SIC
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Optoisoladores (1738)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP2761(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (D4-LF4, E -
RFQ
 ECAD 7269 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2761 AC, DC 1 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2761 (D4-LF4E EAR99 8541.49.8000 1.500 10 Ma 15mbd 3ns, 3ns 1.5V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP2358(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2358 (TPR, E) 1.0200
RFQ
 ECAD 2139 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2358 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma - 15ns, 12ns 1.55V 20 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP9104A(FD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (FD-TL, F) -
RFQ
 ECAD 2021 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9104A (FD-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP121(Y-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (Y-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 1498 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP121 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP121 (Y-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP385(D4YH-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4YH-TR, E 0.5500
RFQ
 ECAD 6869 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP2391(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2391 (TPL, E 1.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2391 AC, DC 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 Ma 10mbd 3ns, 3ns 1.55V 10 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 100ns, 100ns
TLP280-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP280-4 (GB-TP, J, F -
RFQ
 ECAD 6888 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TLP280 AC, DC 4 Transistor 16-SOP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP385(D4BLLTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (d4blltr, e 0.5600
RFQ
 ECAD 7685 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP2710(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (D4-LF4, E 1.6000
RFQ
 ECAD 3036 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2710 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 10 Ma 5mbd 11ns, 13ns 1.9V (Max) 8 MA 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
TLP385(D4GL-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4GL-TL, E 0.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP126(FA-TPLS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (FA-TPLS, F) -
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP126 - 1 (ilimitado) 264-TLP126 (FA-TPLSF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP781(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 3381 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP781GBF 5A991G 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP714F(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F (D4-MBSTP, F -
RFQ
 ECAD 8895 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP714 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 30V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP714F (D4-MBSTPF EAR99 8541.49.8000 1 15 Ma 1Mbps - 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
TLP785(D4YH-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4YH-T6, F 0.7700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.49.8000 4.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP293(BLL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (BLL-TPL, E 0.5100
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 200% @ 500 µA 400% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP781(TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (Tels, F) -
RFQ
 ECAD 4761 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (Telsf) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP620-2(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (D4-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 9789 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP620 AC, DC 2 Transistor 8 Dipp descascar 264-TLP620-2 (D4-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP267J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J (TPR, E 1.0100
RFQ
 ECAD 786 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP267 CQC, CUR, UR 1 Triac 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1.27V 30 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 200 µA (typ) No 500V/µs (topos) 3mera 100 µs
TLP754(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP754 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 30V 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable TLP754 (TP1F) EAR99 8541.49.8000 1.500 15 Ma - - 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 400ns, 550ns
TLP628-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP628-2 (f) -
RFQ
 ECAD 5515 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP628 - 1 (ilimitado) 264-TLP628-2 (f) EAR99 8541.49.8000 50
TLP185(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (e) -
RFQ
 ECAD 8142 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 50mera 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 400% @ 5MA 9 µs, 9 µs 300mv
TLP387(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387 (TPL, E 0.8700
RFQ
 ECAD 6400 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP387 Corriente Continua 1 Darlington 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1v
TLP292-4(V4LATPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4LATPE 1.7900
RFQ
 ECAD 8491 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP292-4(V4LATRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (v4latre 1.7600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP185(YH-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (YH-TPL, SE 0.4500
RFQ
 ECAD 2619 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP104(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP104 (e) 1.5100
RFQ
 ECAD 9716 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP104 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 30V 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 8 MA 1Mbps - 1.61V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
TLP2767(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2767 (TP, E 2.5900
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2767 Corriente Continua 1 Empuje 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 10 Ma 50mbd 2ns, 1NS 1.6V 15 Ma 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 20ns, 20ns
TLP293-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (GBTPR, E 1.2300
RFQ
 ECAD 4227 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP371(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 2803 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota TLP371 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP626(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (f) -
RFQ
 ECAD 6179 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

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