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Optoisoladores (1738)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP785F (D4YHF7, F | - |  | 8839 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (D4YHF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | TLP118 (TPL, E | 1.8300 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP118 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 Ma | 20Mbps | 30ns, 30ns | 1.61V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
 | TLP184 (TPR, E) | - | | 2556 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 5 µs, 9 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 400% @ 5MA | 9 µs, 9 µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP785 (D4GL-F6, F | - | | 5321 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (D4GL-F6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP620-2 (D4-LF2, F) | - | | 9789 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP620 | AC, DC | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP620-2 (D4-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | TLP785 (D4YH-T6, F | 0.7700 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP714F (D4-MBSTP, F | - | | 8895 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP714 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP714F (D4-MBSTPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||||
| TLP719F (D4FNC-TP, F | - | | 9609 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | Ala de Gaviota de 6 SDIP | - | 264-TLP719F (D4FNC-TPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | 800ns, 800ns (Max) | - | |||||||||||||||||
| TLP781 (Tels, F) | - | | 4761 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (Telsf) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | TLP293 (BLL-TPL, E | 0.5100 | | 3760 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 200% @ 500 µA | 400% @ 500 µA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP185 (V4GRTL, SE | - | | 9052 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP185 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP185 (V4GRTLSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||
| TLP9118 (SND-TL, F) | - | | 8041 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9118 (SND-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP121 (Y-TPR, F) | - | | 1498 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP121 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP121 (Y-TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||
| TLP185 (GB-TPL, SE | 0.6100 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP185 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | TLP385 (TPL, E | 0.5500 | | 5885 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| 4N27 (Short-TP1, F) | - | | 6824 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | 4N27 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 4N27 (Corto TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 100mA | 2 µs, 2 µs | 30V | 1.15V | 80 Ma | 2500 VRMS | 20% @ 10mA | - | - | 500mv | ||||||||||||||
| TLP2391 (TPL, E | 1.3100 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2391 | AC, DC | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 Ma | 10mbd | 3ns, 3ns | 1.55V | 10 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| TLP385 (D4GL-TL, E | 0.5600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | TLP785 (f) | 0.6400 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP785 (F (C | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||
 | TLP280-4 (GB-TP, J, F | - | | 6888 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TLP280 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| TLP785 (GR-TP6, F) | 0.6400 | | 71 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP385 (d4blltr, e | 0.5600 | | 7685 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP109 (V4-TPL, E | 1.8900 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP109 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 5 Plomo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 MA | - | 20V | 1.64V | 20 Ma | 3750vrms | 20% @ 16MA | - | 800ns, 800ns (Max) | - | |||||||||||||||
| TLP185 (YH-TPL, SE | 0.4500 | | 2619 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP185 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP385 (D4YH-TR, E | 0.5500 | | 6869 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP2710 (D4-LF4, E | 1.6000 | | 3036 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP2710 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 Ma | 5mbd | 11ns, 13ns | 1.9V (Max) | 8 MA | 5000 VRMS | 1/0 | 25kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
| TLP781 (GB, F) | - | | 3381 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP781GBF | 5A991G | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||
| TLP267J (TPR, E | 1.0100 | | 786 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP267 | CQC, CUR, UR | 1 | Triac | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 200 µA (typ) | No | 500V/µs (topos) | 3mera | 100 µs | |||||||||||||||
 | TLP292-4 (v4latre | 1.7600 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 500 µA | 600% @ 500 µA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | TLP754 (TP1, F) | - | | 6092 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP754 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | TLP754 (TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 15 Ma | - | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 400ns, 550ns |
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