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Optoisoladores (1738)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP9148J (PSD-TL, F) | - |  | 2942 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9148J (PSD-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLX9185 (OGI-TL, F (O | - | | 4186 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLX9185 (OGI-TLF (O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP620-2 (D4-TP1, F) | - | | 7918 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 2 | Transistor | 8-SMD | descascar | 264-TLP620-2 (D4-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP2531 (Tosyk, F) | - | | 2768 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP2531 (TOSYKF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 15V | 1.65V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | - | - | - | |||||||||||||||
 | TLP626 (Sanyd, F) | - | | 1971 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 264-TLP626 (sanydf) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP759 (D4Hitim, J, F | - | | 2380 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759 (d4hitimjf | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | |||||||||||||||
| TLP190B (Costopluc, F | - | | 3149 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP190 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | 264-TLP190B (costplucf | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 12 µA | - | 8V | 1.4V | 50 Ma | 2500 VRMS | - | - | 200 µs, 1 ms | - | ||||||||||||||
| TLP669LF (D4, S, C, F) | - | | 8098 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm), 5 cables | TLP669 | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | 264-TLP669LF (D4SCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 5000 VRMS | 800 V | 100 mA | - | Si | - | 10 Ma | - | |||||||||||||||
| TLP759 (MBS-IT, J, F) | - | | 1082 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759 (MBS-ITJF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||||
| TLP358 (TP5, F) | - | | 9877 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP358 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 8-SMD | descascar | 264-TLP358 (TP5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5.5 A | - | 17ns, 17ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 500ns, 500ns | ||||||||||||||
| TLP358F (TP4, F) | - | | 6352 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP358 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 8-SMD | descascar | 264-TLP358F (TP4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 6 A | - | 17ns, 17ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 500ns, 500ns | ||||||||||||||
| TLP626 (BV-LF2, F) | - | | 9710 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP626 | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 264-TLP626 (BV-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | ||||||||||||||
| TLP754 (MBI, F) | - | | 7757 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP754 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | 8 Dipp | descascar | 264-TLP754 (MBIF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||
| TLX9185 (TOJ2GBTF (O | - | | 3905 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLX9185 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | - | 264-TLX9185 (TOJ2GBTF (O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 20% @ 5MA | 600% @ 5MA | 5 µs, 5 µs | 400mv | ||||||||||||||
| TLP714F (4HWTP, F | - | | 7589 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP714 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP714F (4HWTPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||
| TLP108 (TPL, F) | - | | 7832 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP108 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 6-mfsop, 5 Plomo | descascar | 264-TLP108 (TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||
| TLP2530 (LF1, F) | - | | 2723 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP2530 | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | 264-TLP2530 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 15V | 1.65V | 25 Ma | 2500 VRMS | 7% @ 16MA | 30% @ 16MA | 300ns, 500ns | - | ||||||||||||||
| TLP2768 (f) | - | | 8492 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP2768 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP2768 (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 20mbd | 30ns, 30ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||
| TLP716F (ABB-TP, F) | - | | 6660 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP716 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 5.5V | 6-sdip | descascar | 264-TLP716F (ABB-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 Ma | 15mbd | 15ns, 15ns | 1.65V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||
| TLP9148J (ND-TL, F) | - | | 2452 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9148J (ND-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP626 (LF5, F) | - | | 2264 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP626 | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 264-TLP626 (LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | ||||||||||||||
| TLP2766 (D4-TP, F) | - | | 7722 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP2766 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP2766 (D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 Ma | 20mbd | 15ns, 15ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 55ns, 55ns | ||||||||||||||
| TLP759 (D4-IGM, J, F) | - | | 1741 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759 (D4-IGMJF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 25% @ 10mA | 75% @ 10mA | - | - | ||||||||||||||
| TLX9185 (KBDGBTLF (O | - | | 8129 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLX9185 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | - | 264-TLX9185 (KBDGBTLF (O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 20% @ 5MA | 600% @ 5MA | 5 µs, 5 µs | 400mv | ||||||||||||||
| TLP630 (TA, F) | - | | 4822 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP630 | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 264-TLP630 (TAF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||
| TLP626 (MAT-LF2, F) | - | | 9349 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP626 | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 264-TLP626 (MAT-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | ||||||||||||||
| TLP2766F (TP, F) | - | | 2401 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP2766 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP2766F (TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 Ma | 20mbd | 15ns, 15ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 55ns, 55ns | ||||||||||||||
| TLP719F (f) | - | | 3997 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP719 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-sdip | - | 264-TLP719F (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||||
| TLP759 (D4MBIMT1J, F | - | | 3454 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759 (D4MBIMT1JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||||
| TLP358 (D4-TP1, F) | - | | 1860 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP358 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 8-SMD | descascar | 264-TLP358 (D4-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5.5 A | - | 17ns, 17ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 500ns, 500ns |
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