SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
VOT8024AM-T Vishay Semiconductor Opto Division VOT8024AM-T 1.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota VOT8024 Cul, UL 1 Triac 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1.2V 50 Ma 3750vrms 800 V 100 mA 400 µA (topos) Si 1kV/µs 5 mm -
TLP290-4(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4 (GB, E) 1.6300
RFQ
ECAD 280 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP290 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 2500 VRMS 100% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
MCT2ES onsemi MCT2ES -
RFQ
ECAD 9516 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2ES-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 1.1 µs, 50 µs 400mv
SFH615A-3X017 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-3x017 0.9900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota SFH615 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 4.000 50mera 2 µs, 2 µs 70V 1.35V 60 Ma 5300 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 3 µs, 2.3 µs 400mv
FODM3051R3 onsemi FODM3051R3 -
RFQ
ECAD 2040 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 15 Ma -
CNW11AV2300 onsemi CNW11AV2300 -
RFQ
ECAD 4308 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNW11 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 70V - 100 mA 4000 VRMS 50% @ 10mA - - 400mv
MOC3051SR2VM onsemi MOC3051SR2VM 0.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc305 Ur, vde 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 Ma 4170vrms 600 V 220 µA (topos) No 1kV/µs 15 Ma -
H11C6300 onsemi H11C6300 -
RFQ
ECAD 1091 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11C Ur, vde 1 SCR 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11C6300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 400 V 300 mA - No 500V/µs 30mera -
H11AA3300W onsemi H11AA3300W -
RFQ
ECAD 3165 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A AC, DC 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AA3300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA - - 400mv
H11A2FR2VM onsemi H11A2FR2VM -
RFQ
ECAD 4804 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
APT1211A Panasonic Electric Works Apt1211a 1.8400
RFQ
ECAD 1355 0.00000000 Panasonic Electric Works Apto Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Apt1211 Cur, VDE 1 Triac descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.49.8000 100 1.21V 50 Ma 5000 VRMS 600 V 100 mA 3.5mA Si 500V/µs 10 Ma 100 µs (MAX)
8237720000 Weidmüller 8237720000 -
RFQ
ECAD 3907 0.00000000 Weidmüller - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 50 ° C DIN Rail Módulo Corriente Continua 1 Transistor - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1 500mA - 24 V - - - - - -
SL5582W onsemi SL5582W -
RFQ
ECAD 8455 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) SL5582 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SL5582W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 50V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 320% @ 10mA 20 µs, 50 µs (máx) 400mv
MOC81123SD onsemi MOC81123SD -
RFQ
ECAD 5700 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC811 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC81123SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 3 µs, 14 µs 70V 1.15V 90 Ma 5300 VRMS 50% @ 10mA - 4.2 µs, 23 µs 400mv
MOC3012SVM onsemi MOC3012SVM -
RFQ
ECAD 8881 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc301 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3012SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 250 V 100 µA (topos) No - 5 mm -
H11A23SD onsemi H11A23SD -
RFQ
ECAD 5086 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A23SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
FOD050L onsemi FOD050L 2.6200
RFQ
ECAD 9693 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD050 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA - 7V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 15% @ 16MA 50% @ 16MA 1 µs, 1 µs (max) -
PS8502L3-AX CEL PS8502L3-AX -
RFQ
ECAD 7946 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados PS8502L3AX EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 35V 1.7V 25 Ma 5000 VRMS 15% @ 16MA - 220ns, 350ns -
HCPL-M456-060E Broadcom Limited HCPL-M456-060E -
RFQ
ECAD 1045 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables HCPL-M456 Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 30V 5-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 15 Ma - - 1.5V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
4N33S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd 4N33S1 (TB) -V -
RFQ
ECAD 9706 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3907150079 EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1V
CNY17F-4X007T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-4X007T 0.8000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2 µs, 2 µs 70V 1.39V 60 Ma 5000 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA 3 µs, 2.3 µs 400mv
MOC5008FR2VM onsemi MOC5008FR2VM -
RFQ
ECAD 1611 0.00000000 onde Globlooptoisolator ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc500 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 1MHz - - 4mA 7500vpk 1/0 - -
PC410L0NIP0F Sharp Microelectronics PC410L0NIP0F -
RFQ
ECAD 7895 0.00000000 Microelectónica afilada OPIC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables PC410 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 5-SOP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50 Ma 10Mbps 20ns, 10ns 1.6V 20 Ma 3750vrms 1/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
TLP188(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188 (GB-TPL, E 0.8300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP188 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 350V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
HCPL0611R2 onsemi HCPL0611R2 5.7800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL0611 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (Max) 50mera 3750vrms 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
PC827 Sharp Microelectronics PC827 -
RFQ
ECAD 5916 0.00000000 Microelectónica afilada - Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 2 Transistor 8 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) 425-1481-5 EAR99 8541.49.8000 50 50mera 4 µs, 3 µs 35V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
PC4SD11NTZBF Sharp Microelectronics PC4SD11NTZBF -
RFQ
ECAD 4194 0.00000000 Microelectónica afilada - Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables PC4SD11 CSA, Ur 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) 425-2149-5 EAR99 8541.49.8000 500 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 800 V 100 mA 3.5mA No 50V/µs 7 MMA 100 µs (MAX)
RV1S9260ACCSP-10YC#SC0 Nexperia USA Inc. RV1S9260ACCSP-10YC#SC0 -
RFQ
ECAD 4981 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Una granela Activo RV1S9260 - 2156-RV1S9260ACCSP-10YC#SC0 1
TLP627MF(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF (E 0.9000
RFQ
ECAD 89 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP627 Corriente Continua 1 Darlington 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP627MF (E EAR99 8541.49.8000 100 150 Ma 60 µs, 30 µs 300V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 110 µs, 30 µs 1.2V
MOC3010SR2VM onsemi MOC3010SR2VM -
RFQ
ECAD 5645 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc301 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3010SR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 250 V 100 µA (topos) No - 15 Ma -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock