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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SFH615A-1x016 | 0.9900 |  | 290 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | SFH615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 60 Ma | 5300 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | TLP627M (TP1, E | 0.9300 | | 8195 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP627 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 150 Ma | 60 µs, 30 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 110 µs, 30 µs | 1.2V | |||||||||||||||||
| TLP626 (LF2, F) | - | | 7360 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP626 | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 264-TLP626 (LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | FOD617D | - | | 4109 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | FOD617 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||
 | IL4108-X001 | - | | 7559 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | IL4108 | CSA, Ur, VDE | 1 | Triac | SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.16V | 60 Ma | 5300 VRMS | 800 V | 300 mA | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 2mera | 35 µs | ||||||||||||||||
 | FOD8173TR2 | 1.4543 | | 5568 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | FOD8173 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 5.5V | 6-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 10 Ma | 20Mbps | 7ns, 7ns | 1.35V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||
 | CNY17F2TM | - | | 1903 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | CNY17 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | TLP3042SCF | - | | 8672 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables | TLP3042 | BSI, SEMKO, UR | 1 | Triac | 6 DIP (Corte), 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 400 V | 100 mA | 600 µA (topos) | Si | 200V/µs | 10 Ma | - | ||||||||||||||||
 | SFH6135 | 0.5041 | | 6270 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | SFH6135 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 8 MA | - | 25V | 1.6V | 25 Ma | 5300 VRMS | 7% @ 16MA | - | 300ns, 300ns | - | |||||||||||||||
 | FOD410V | 1.6213 | | 9572 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | FOD410 | CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.25V | 30 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 2mera | 60 µs | ||||||||||||||||
| H11A617As | - | | 2229 | 0.00000000 | onde | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | H11A | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2.4 µs, 2.4 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5300 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||
 | 4n32m | 0.7300 | | 631 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 4N32 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 150 Ma | - | 30V | 1.2V | 80 Ma | 4170vrms | 500% @ 10mA | - | 5 µs, 100 µs (máx) | 1V | |||||||||||||||
| 4n31s | - | | 5604 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | 4N31 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4N31S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | - | 30V | 1.2V | 80 Ma | 5300 VRMS | 50% @ 10mA | - | 5 µs, 40 µs (máx) | 1.2V | |||||||||||||||
 | VO615A-6X001 | 0.4400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | VO615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.43V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 6 µs, 5 µs | 300mv | ||||||||||||||||
 | MOC3083SR2M | 1.4000 | | 4 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc308 | Ul | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 800 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 5 mm | - | ||||||||||||||||
 | 6N137F | - | | 3245 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 6N137 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 10mbd | 30ns, 30ns | 1.65V | 20 Ma | 2500 VRMS | 1/0 | 200V/µs, 500V/µs (TYP) | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
| EL3022 | 0.4965 | | 1908 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | EL302 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3903220000 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 1.18V | 60 Ma | 5000 VRMS | 400 V | 100 mA | 250 µA (topos) | No | 100V/µs (TÍP) | 10 Ma | - | |||||||||||||||
 | ACSL-6410-00TE | 9.4700 | | 4877 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ACSL-6410 | Corriente Continua | 4 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 3V ~ 5.5V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 15mbd | 30ns, 12ns | 1.52V | 15 Ma | 2500 VRMS | 3/1 | 10 kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| 6N136 | 1.2804 | | 3300 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 6N136 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 516-1026-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 MA | - | 20V | 1.5V | 25 Ma | 3750vrms | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 200ns, 600ns | - | ||||||||||||||
 | VO615C-3X016 | 0.2307 | | 4850 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | VO615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.35V | 60 Ma | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 6 µs, 4 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | SFH615ay-X009 | - | | 4607 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SFH615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | - | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 2 µs, 25 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | PS9617L-E3-A | - | | 7944 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 25 Ma | 10Mbps | 20ns, 10ns | 1.65V | 30mera | 5000 VRMS | 1/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
| MOC8105W | - | | 3495 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | MOC810 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC8105W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 30V | 1.15V | 100 mA | 5300 VRMS | 65% @ 10mA | 133% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| Moc3011m | 0.7600 | | 2 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc301 | Ul | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 250 V | 100 µA (topos) | No | - | 10 Ma | - | ||||||||||||||||
| MOC3012TVM | 1.1900 | | 6521 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc301 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 250 V | 100 µA (topos) | No | - | 5 mm | - | ||||||||||||||||
 | IL5 | - | | 8439 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IL5 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 7 µs, 20 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 50% @ 10mA | 400% @ 10mA | 2.6 µs, 7.2 µs | 250mv (typ) | |||||||||||||||
| LH1262CB | 3.9900 | | 5367 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | LH1262 | Corriente Continua | 2 | Fotovoltaico | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1 µA | - | 15V | 1.26V | 50 Ma | 5300 VRMS | - | - | 35 µs, 90 µs | - | |||||||||||||||
| H11D3300W | - | | 1789 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11d | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | H11D3300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 200V | 1.15V | 80 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | FODM3011R2V | - | | 6852 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 250 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 10V/µs (topos) | 10 Ma | - | ||||||||||||||||
| SFH615A-4 | 0.8000 | | 884 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | SFH615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 60 Ma | 5300 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv |
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