SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
PS2561AL-1-W-A CEL PS2561Al-1-WA -
RFQ
ECAD 9868 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 100 30mera 3 µs, 5 µs 70V 1.2V 30 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 300mv
FODM3022R3 onsemi FODM3022R3 -
RFQ
ECAD 6505 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 400 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 10 Ma -
HCPL-063A-000E Broadcom Limited HCPL-063A-000E 7.4900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL-063 Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8 Tan Alto descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50 Ma 10mbd 42ns, 12ns 1.3V 10 Ma 3750vrms 2/0 1kV/µs 100ns, 100ns
6N135-V Everlight Electronics Co Ltd 6N135-V -
RFQ
ECAD 9131 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) C170000032 EAR99 8541.49.8000 45 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 7% @ 16MA 50% @ 16MA 350ns, 500ns -
PS8601L CEL PS8601L -
RFQ
ECAD 7594 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 35V 1.7V 25 Ma 5000 VRMS 15% @ 16MA - 500ns, 300ns -
H11B2-X009 Vishay Semiconductor Opto Division H11B2-X009 -
RFQ
ECAD 8328 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 100mA - 25V 1.1V 60 Ma 5300 VRMS 200% @ 1MA - 5 µs, 30 µs 1V
PS2561-4 CEL PS2561-4 -
RFQ
ECAD 4236 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 4 Transistor 16 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 20 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.17V 80 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
HCPL-2430 Broadcom Limited HCPL-2430 19.3800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL-2430 Corriente Continua 2 Push-Pull, Tótem 4.75V ~ 5.25V 8 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 25 Ma 40mbd 20ns, 10ns 1.3V 10 Ma 3750vrms 2/0 1kV/µs 55ns, 55ns
TLP292(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292 (TPL, E 0.5700
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
H11A2M Lite-On Inc. H11A2M -
RFQ
ECAD 3409 0.00000000 Lite-on Inc. H11AX Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 65 150 Ma 2.8 µs, 4.5 µs 30V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 20% @ 10mA - - 400mv
JAN4N49 TT Electronics/Optek Technology Jan4n49 29.5242
RFQ
ECAD 8838 0.00000000 TT Electronics/Optek Technology - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO-78-6 METAL CAN Corriente Continua 1 Base de transistor Un 78-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 365-1975 EAR99 8541.49.8000 100 50mera 20 µs, 20 µs (máx) 40V 1.5V (Máximo) 40 Ma 1000VDC 200% @ 1MA 1000% @ 1MA - 300mv
CNY173SM onsemi CNY173SM 0.7200
RFQ
ECAD 578 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY173 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY173SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
PS2561AL-1-H-A CEL PS2561Al-1-HA -
RFQ
ECAD 4748 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados PS2561Al1HA EAR99 8541.49.8000 100 30mera 3 µs, 5 µs 70V 1.2V 30 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300mv
HCPL-5531#100 Broadcom Limited HCPL-5531#100 100.9815
RFQ
ECAD 4378 0.00000000 Broadcom Limited - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie Junta de 8-smd HCPL-5531 Corriente Continua 2 Base de transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A001A2C 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.55V 20 Ma 1500VDC 9% @ 16MA - 400ns, 1 µs -
PC8Q51 Sharp Microelectronics PC8Q51 2.1600
RFQ
ECAD 174 0.00000000 Microelectónica afilada * Tubo Obsoleto - Rohs no conforme No Aplicable 425-1516-5 EAR99 8541.49.8000 25
MCT2103SD onsemi MCT2103SD -
RFQ
ECAD 3729 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2103SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 11 µs 30V 1.33V 100 mA 5300 VRMS 150% @ 10mA - 1 µs, 50 µs 400mv
H11B2-X009T Vishay Semiconductor Opto Division H11B2-X009T -
RFQ
ECAD 4779 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 25V 1.1V 60 Ma 5300 VRMS 200% @ 1MA - 5 µs, 30 µs 1V
MCT271S onsemi MCT271S -
RFQ
ECAD 2707 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT271 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT271S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 45% @ 10mA 90% @ 10mA 1 µs, 48 µs 400mv
TIL113W onsemi Til113w -
RFQ
ECAD 5093 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Til113 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Til113w-ndr EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 300% @ 10mA - 350ns, 55 µs 1.25V
PS2513-1-A CEL PS2513-1-A -
RFQ
ECAD 5636 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados PS25131A EAR99 8541.49.8000 100 30mera 5 µs, 25 µs 120V 1.1V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 200% @ 5MA - 300mv
H11AA814A300 onsemi H11AA814A300 -
RFQ
ECAD 3673 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AA814A300-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 MV
MCA231 onsemi MCA31 -
RFQ
ECAD 6058 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCA23 Corriente Continua 1 Darlington 6 Dipp - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma - 30V - 10 Ma 4400 VRMS - - - -
PS2565L-1-A CEL PS2565L-1-A -
RFQ
ECAD 9694 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 100 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.17V 80 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
FOD817DSD onsemi FOD817DSD 0.6300
RFQ
ECAD 36 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4-PDIP-GW descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
EL817(S)(D)(TU)-G Everlight Electronics Co Ltd El817 (s) (d) (tu) -g -
RFQ
ECAD 5529 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota EL817 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mera 6 µs, 8 µs 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
PS2811-4-F3 CEL PS2811-4-F3 -
RFQ
ECAD 4631 0.00000000 Cela NEPOC Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Corriente Continua 4 Transistor 16-ssop descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 2.500 40mera 4 µs, 5 µs 40V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 100% @ 1MA 400% @ 1MA - 300mv
H11B3300 onsemi H11B3300 -
RFQ
ECAD 6886 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11B Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B3300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
PS2535-1-A CEL PS2535-1-A -
RFQ
ECAD 2414 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Darlington 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados PS25351A EAR99 8541.49.8000 100 120 Ma 18 µs, 5 µs 350V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 400% @ 1MA 5500% @ 1MA - 1V
ACPL-847-300E Broadcom Limited ACPL-847-300E 1.8700
RFQ
ECAD 5914 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 16-SMD, Ala de Gaviota ACPL-847 Corriente Continua 4 Transistor 16-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 25 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
TLP160G(U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (U, F) -
RFQ
ECAD 6312 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP160G Tu 1 Triac 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 150 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 400 V 70 Ma 600 µA (topos) No 200V/µs 10 Ma 30 µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock