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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 4N46-300E | - |  | 4064 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | 4N46 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 60mera | - | 20V | 1.4V | 20 Ma | 3750vrms | 200% @ 10mA | 1000% @ 10 Ma | 5 µs, 150 µs | - | ||||||||||||||||
 | PS2801C-1-MA | - | | 7010 | 0.00000000 | Cela | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 30mera | 5 µs, 7 µs | 80V | 1.2V | 30 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 5MA | 400% @ 5MA | 10 µs, 7 µs | 300mv | ||||||||||||||||
 | MOC3082SM | 1.4500 | | 8985 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc308 | Ul | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC3082SM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 800 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||
 | 6N135 | 0.8862 | | 9296 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 45 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000 VRMS | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 350ns, 500ns | - | |||||||||||||||||
 | TLP291 (GR, SE | 0.6000 | | 8905 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | TLP291 (Grse | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | TLP2468 (TP, F) | - | | 5321 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TLP2468 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 5.5V | 8-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 25 Ma | 20mbd | 30ns, 30ns | 1.57V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
 | PS2501L-1-F3-KA | - | | 8536 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | PS2501 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||
 | H11C6300W | - | | 8204 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11C | Ur, vde | 1 | SCR | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | H11C6300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 60 Ma | 5300 VRMS | 400 V | 300 mA | - | No | 500V/µs | 30mera | - | |||||||||||||||
| H11G3TM | - | | 8821 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11G | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 55V | 1.3V | 60 Ma | 7500vpk | 200% @ 1MA | - | 5 µs, 100 µs | 1.2V | ||||||||||||||||
| Moc3010tm | - | | 2584 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc301 | Ul | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC3010TM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 250 V | 100 µA (topos) | No | - | 15 Ma | - | ||||||||||||||||
| TLP734 (D4-Gr, M, F) | - | | 2461 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP734 (D4-GRMF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | H24B1 | - | | 8124 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H24B | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | - | - | 30V | - | 60 Ma | 5300 VRMS | 1000% @ 5MA | - | - | 1V | |||||||||||||||
 | ILQ615-3X007T | 1.4579 | | 4466 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SMD, Ala de Gaviota | ILQ615 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.15V | 60 Ma | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | - | ||||||||||||||||
| HCPL-5631 | 111.5100 | | 6876 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL-5631 | Corriente Continua | 2 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 10mbd | 35ns, 35ns | 1.5V | 20 Ma | 1500VDC | 2/0 | 1kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | HCPL-2731-300E | 4.4500 | | 1 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCPL-2731 | Corriente Continua | 2 | Darlington | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 60mera | - | 18V | 1.4V | 12 MA | 3750vrms | 500% @ 1.6MA | 2600% @ 1.6MA | 5 µs, 10 µs | 100mv | |||||||||||||||
 | FODM3053R2-NF098 | 1.9000 | | 34 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | Cur, eres | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 1kV/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||
 | TLP719 (TP, F) | - | | 4784 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP719 | Corriente Continua | 1 | Transistor | Ala de Gaviota de 6 SDIP | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 5A991G | 8541.49.8000 | 1.500 | 8 MA | - | 20V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | 800ns, 800ns (Max) | - | ||||||||||||||||
| HCPL-4506-520E | 1.1708 | | 9202 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCPL-4506 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 30V | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 15 Ma | - | - | 1.5V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 15kV/µs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||
| H11N2S | - | | 3103 | 0.00000000 | onde | - | Bolsa | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | H11N | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | - | 6-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 5MHz | - | 1.4V | 5 mm | 7500 VRMS | 1/0 | - | 330ns, 330ns | |||||||||||||||
| IL300-X007T | 4.9600 | | 28 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | IL300 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico, Linealizado | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 70 µA (typ) | 1 µs, 1 µs | 500mv | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | - | - | - | - | ||||||||||||||||
 | H11A617DW | - | | 1233 | 0.00000000 | onde | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11A | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2.4 µs, 2.4 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5300 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||
 | TLP292-4 (TP, E | 1.7900 | | 2765 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||
| Moc3032fvm | - | | 4776 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc303 | - | 1 | Triac | 6-SMD | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC3032FVM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 60 Ma | 7500vpk | 250 V | 400 µA (topos) | Si | - | 10 Ma | - | ||||||||||||||||
 | CNY172TVM | 0.2100 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.584 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||
 | HCPL2531TSR2VM | 1.6378 | | 1503 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCPL2531 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 700 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 250ns, 260ns | - | |||||||||||||||
| TLP785 (GR, F | 0.2172 | | 1540 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (GRF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||
| EL1112 (TB) -V | - | | 8193 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho), 5 cables | EL1112 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 5-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 5000 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 4 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| CNY17-3-560E | 0.2203 | | 6184 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | CNY17 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | 5 µs, 5 µs | 70V | 1.4V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 300mv | |||||||||||||||
| TLP2166A (f) | - | | 2622 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TLP2166 | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 3.63V | 8-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP2166AF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 Ma | 15mbd | 5ns, 5ns | 1.65V | 15 Ma | 2500 VRMS | 2/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
 | PS2705-1 | - | | 8074 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | PS2705-1NEC | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 80mera | 3 µs, 5 µs | 40V | 1.1V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 300% @ 5MA | - | 300mv |
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