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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP121 (GRL, F) | - |  | 7071 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP121 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP121 (GRLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||
| 5962-8767902YA | 101.3700 | | 6057 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Junta de 8-smd | 5962-8767902 | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.55V | 20 Ma | 1500VDC | 9% @ 16MA | - | 400ns, 1 µs | - | ||||||||||||||
 | ACPL-224-560E | 0.5671 | | 8497 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | ACPL-224 | AC, DC | 2 | Transistor | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 3000 VRMS | 20% @ 1MA | 400% @ 1MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||
 | Moc3052fm | - | | 5365 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc305 | Tu | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC3052FM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.15V | 60 Ma | 7500vpk | 600 V | 280 µA (tipos) | No | 1kV/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||
| 4N383SD | - | | 7628 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | 4n38 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4N383SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 80V | 1.15V | 80 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 1V | ||||||||||||||
| CNW11AV3SD | - | | 6032 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | CNW11 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 70V | - | 100 mA | 4000 VRMS | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||||||||
 | CNY171M | 0.6400 | | 1 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CNY171 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||
 | PS9924-Y-AX | 13.0500 | | 166 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.543 ", 13.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 5.5V | 8-LSDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 10 | 25 Ma | 10Mbps | 20ns, 5ns | 1.56V | 25 Ma | 7500 VRMS | 1/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
 | HCPL-4506-320E | 1.2019 | | 5827 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCPL-4506 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 30V | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 15 Ma | - | - | 1.5V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 15kV/µs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||
 | MOC3082TVM | 1.0900 | | 1 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc308 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 800 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||
 | 4N37VM | 1.0000 | | 3569 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 0000.00.0000 | 1 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 100% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 300mv | |||||||||||||||||||
| MOC8101300W | - | | 4389 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | MOC810 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC8101300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 30V | 1.15V | 100 mA | 5300 VRMS | 50% @ 10mA | 80% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||
| H11F2M | - | | 8399 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11F | Corriente Continua | 1 | Mosfet | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | - | - | 45 µs, 45 µs (MAX) | - | |||||||||||||||
| H11B2M | - | | 2702 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11B2 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3907150113 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | - | 55V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 1MA | - | 25 µs, 18 µs | 1V | ||||||||||||||
| 6n138m-V | - | | 1220 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 45 | 60mera | - | 7V | 1.3V | 20 Ma | 5000 VRMS | 300% @ 1.6MA | - | 1.4 µs, 8 µs | - | ||||||||||||||||
 | CNY66B | 3.6100 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | Módulo de 4 Dips (0.300 ", 7.62 mm) | CNY66 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-DIP-HV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mera | 2.4 µs, 2.7 µs | 32V | 1.25V | 75 Ma | 13900VDC | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 5 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||
| HCNR201-350E | 6.5400 | | 2 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCNR201 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico, Linealizado | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 42 | - | - | - | 1.6V | 25 Ma | 5000 VRMS | 0.36% @ 10mA | 0.72% @ 10 MMA | - | - | ||||||||||||||
 | RV1S9160ACCSP-100C#SC0 | 4.8600 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | RV1S9160 | - | 1 | CMOS | 2.7V ~ 5.5V | 5-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | -1161-RV1S9160ACCSP-100C#SC0 | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 10 Ma | 15Mbps | 5ns, 5ns | 1.55V | 6mA | 3750vrms | 1/0 | 50kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||
| TLP785 (D4-Y-F6, F | - | | 2729 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (D4-Y-F6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | SFH6106-4X001 | 0.3115 | | 2865 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SFH6106 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | ||||||||||||||
| HCPL4503SVM | 1.1300 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCPL4503 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 266 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 250ns, 260ns | - | ||||||||||||||
| MOC3081FR2M | - | | 7693 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc308 | - | 1 | Triac | 6-SMD | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC3081FR2M-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 60 Ma | 7500vpk | 800 V | 500 µA (topos) | Si | - | 15 Ma | - | |||||||||||||||
 | TLP714 (f) | - | | 5428 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP714 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | 6-sdip | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP714F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||
 | HCPL-0601#560 | - | | 4827 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | 8 Tan Alto | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 Ma | 10mbd | 24ns, 10ns | 1.5V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | HCPL-2611-000E | 3.2200 | | 6923 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL-2611 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 10mbd | 24ns, 10ns | 1.5V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||
 | FOD2743BSDV | 2.1000 | | 711 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | FOD2743 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 70V | 1.07V | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 100% @ 1MA | - | 400mv | |||||||||||||||
 | PS2581al1-WA | - | | 6407 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mera | 3 µs, 5 µs | 70V | 1.2V | 30 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||
 | FODM121D | - | | 2111 | 0.00000000 | onde | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM12 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 400mv | |||||||||||||||
| SFH6156-3T0 | 0.2798 | | 4023 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SFH6156 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | ||||||||||||||
 | PC123B | - | | 6481 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | 425-1312-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 250% @ 5MA | - | 200 MV |
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