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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP5832 (D4, E | 2.8300 | ![]() | 1178 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 75 | - | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||||
![]() | ACPL-K71T-500E | 2.0450 | ![]() | 1479 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.268 ", 6.81 mm de ancho) | ACPL-K71 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 5.5V | 8 por estirado | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 10ns, 10ns | 1.5V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 15kV/µs | 35ns, 35ns | ||||||||||||||||
![]() | TLP559 (IGM, F) | - | ![]() | 1752 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP559 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 MA | - | 20V | 1.65V | 25 Ma | 2500 VRMS | 25% @ 10mA | 75% @ 10mA | 450ns, 450ns | - | ||||||||||||||||
![]() | 5962-8957101pc | 194.0040 | ![]() | 6327 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 5962-8957101 | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 4.75V ~ 5.25V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 40mbps | 15ns, 10ns | 1.35V | 10 Ma | 1500VDC | 2/0 | 500V/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
![]() | 6n137m | 1.8000 | ![]() | 8347 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 6N137 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 10Mbps | 30ns, 10ns | 1.45V | 50mera | 5000 VRMS | 1/0 | 10kV/µs (TÍP) | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
![]() | IL207AT | - | ![]() | 6571 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IL207 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | - | 70V | 1.3V | 60 Ma | 4000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
![]() | TLP383 (D4, E | - | ![]() | 1774 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP383 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP383 (D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||
PS9317L-V-AX | 8.1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | PS9317 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 6-sdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 Ma | 10Mbps | 20ns, 5ns | 1.56V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
Apt1231wa | 0.8762 | ![]() | 1530 | 0.00000000 | Panasonic Electric Works | Apto | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | APT1231 | Cur, VDE | 1 | Triac | 4 Dipp | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 1.21V | 50 Ma | 3750vrms | 600 V | 50 Ma | 3.5mA | Si | 500V/µs | 10 Ma | 100 µs (MAX) | ||||||||||||||||||
![]() | CNY17F-2 | 0.4552 | ![]() | 4986 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CNY17F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.65V (Max) | 60 Ma | 5000 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 10 µs, 9 µs | 300mv | ||||||||||||||||
![]() | TLP2531 (MAT-TP5, F) | - | ![]() | 4242 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP2531 (MAT-TP5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 15V | 1.65V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | PS9513L3-AX | 4.6200 | ![]() | 310 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | PS9513 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 20V | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 15kV/µs | 750ns, 500ns | |||||||||||||||
![]() | TCLT1010 | 0.2596 | ![]() | 9728 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TCLT1010 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 6 µs, 5 µs | 300mv | |||||||||||||||
TLP290-4 (GB-TP, E) | 1.6300 | ![]() | 4383 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP290 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
![]() | 5962-8876904kpc | 739.2140 | ![]() | 7225 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 5962-8876904 | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 5mbd | 45ns, 10ns | 1.3V | 8 MA | 1500VDC | 2/0 | 1kV/µs | 350ns, 350ns | |||||||||||||||
![]() | 8008160000 | - | ![]() | 6146 | 0.00000000 | Weidmüller | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 50 ° C | DIN Rail | Módulo | Corriente Continua | 1 | Transistor | - | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 20 Ma | - | 48V | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | CNY171SM | 0.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.156 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||
![]() | EL852S (TA) | 0.3349 | ![]() | 2714 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | EL852 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SMD | - | 1080-El852S (TA) TR | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,000 | 150 Ma | 300 µs, 100 µs (MAX) | 350V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | 15000% @ 1MA | - | 1.2V | ||||||||||||||||||
![]() | 4N26SD | - | ![]() | 3161 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | 4N26 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4N26SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 100 mA | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 500mv | |||||||||||||||
PC847XJ0000F | - | ![]() | 5188 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 425-2198-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||
![]() | FODM3052R3 | 0.5100 | ![]() | 2719 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 1kV/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||||
![]() | ILD755-2X007T | 4.9900 | ![]() | 655 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | ILD755 | AC, DC | 2 | Darlington | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 70 µs, 70 µs | 60V | 1.2V | 60 Ma | 5300 VRMS | 1000% @ 1MA | - | - | 1V | ||||||||||||||||
![]() | 140357145300 | 0.2900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Würth Elektronik | WL-ocpt | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 35V | 1.24V | 60 Ma | 3750vrms | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
![]() | TLP759 (IGM-TP5, J, F | - | ![]() | 2062 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | 264-TLP759 (IGM-TP5JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 25% @ 10mA | 75% @ 10mA | - | - | |||||||||||||||||
![]() | TLP781 (D4-BL-SD, F) | - | ![]() | 9452 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4-BL-SDF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
![]() | TLP718F (D4, F) | - | ![]() | 2847 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP718F (D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5Mbps | - | - | - | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||
![]() | FODM3012R2V-NF098 | 1.3400 | ![]() | 1182 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | cur, ur, vde | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 250 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 10V/µs (topos) | 5 mm | - | |||||||||||||||
![]() | HMA124R1V | 0.0900 | ![]() | 1944 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | - | 400mv | ||||||||||||||||||
![]() | SFH636-X017 | - | ![]() | 3867 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | SFH636 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 8 MA | - | 20V | 1.5V | 25 Ma | 4420 VRMS | 19% @ 16MA | - | 300ns, 300ns | 400mv | |||||||||||||||
![]() | O-MOC3083 (L) S-TA1 | 0.6900 | ![]() | 3304 | 0.00000000 | Shenzhen Orient Components Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1,000 |
Volumen de RFQ promedio diario
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