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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VO615A-7X001 | 0.1190 |  | 5863 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 751-VO615A-7X001TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.43V | 60 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | 6 µs, 5 µs | 300mv | ||||||||||
 | PS8821-2-A | - | | 5042 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Transistor | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 8 MA | - | 7V | 1.7V | 25 Ma | 2500 VRMS | 20% @ 16MA | - | 300ns, 500ns | - | ||||||||||
 | HCPL-263N | 10.4200 | | 9646 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL-263 | Corriente Continua | 2 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 10mbd | 42ns, 12ns | 1.3V | 10 Ma | 3750vrms | 2/0 | 15kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||
 | TLP292 (GB-TPL, E | 0.5500 | | 15 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP292 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||
 | ACPL-K63L-500E | 6.9500 | | 2 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.268 ", 6.81 mm de ancho) | ACPL-K63 | Corriente Continua | 2 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V | 8 por estirado | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 15mbd | 24ns, 10ns | 1.5V | 15 Ma | 5000 VRMS | 2/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||
 | 6N139SDVM | 0.7092 | | 7342 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | 6N139 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 60mera | - | 18V | 1.3V | 20 Ma | 5000 VRMS | 500% @ 1.6MA | - | 240ns, 1.3 µs | - | |||||||
| PC827AD | - | | 6055 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | 425-1483-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||
| PC412S0NIP0F | - | | 3659 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | OPIC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Lógica | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 5.5V | 8 miniflatos | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 Ma | 25Mbps | 4ns, 3ns | - | - | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 40ns, 40ns | ||||||||||
 | TLP2958 (TP1, F) | - | | 7098 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP2958 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 20V | 8-SMD | descascar | 264-TLP2958 (TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 15ns, 10ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||
| PC4N350NSZX | - | | 9953 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | 425-1792-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | - | 30V | - | 3550vrms | 100% @ 10mA | - | - | 300mv | |||||||||
 | VOS627A-2T | 0.2163 | | 8084 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | VOS627 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.1V | 50 Ma | 3750vrms | 63% @ 5MA | 125% @ 5MA | 6 µs, 4 µs | 400mv | ||||||||
 | PS2815-4-F3-A | - | | 1002 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | AC, DC | 4 | Transistor | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | PS2815-4ATR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 40mera | 4 µs, 5 µs | 40V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 1MA | 400% @ 1MA | - | 300mv | |||||||
 | EL817 (S1) (C) (Tu) -G | 0.1162 | | 2370 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EL817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||
 | Tced4100 | 0.7662 | | 6043 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Tced4100 | Corriente Continua | 4 | Darlington | 16 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 80mera | 300 µs, 250 µs | 35V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 600% @ 1MA | - | - | 1V | ||||||||
 | FOD050L | - | | 8363 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 7V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 15% @ 16MA | 50% @ 16MA | 1 µs, 1 µs (max) | - | |||||||||||
 | H11AV2AVM | - | | 7347 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11A | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | H11AV2AVM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 70V | 1.18V | 60 Ma | 7500vpk | 50% @ 10mA | - | 15 µs, 15 µs | 400mv | |||||||
| EL817 (S1) (a) (TB) | - | | 1005 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||
| 4n28 | - | | 5354 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 4n28 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 100 mA | 5300 VRMS | 10% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||
| 5962-0822701kpc | 631.8867 | | 6057 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 5962-0822701 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 40mera | - | 20V | 1.4V | 10 Ma | 1500VDC | 200% @ 5MA | - | 2 µs, 6 µs | - | |||||||
 | VOM617A-4X001T | 0.5700 | | 839 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | VOM617 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.1V | 60 Ma | 3750vrms | 160% @ 5MA | 320% @ 5MA | 6 µs, 4 µs | 400mv | ||||||||
 | HCPL-0700#500 | 1.3406 | | 4361 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | HCPL-0700 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 60mera | - | 7V | 1.4V | 20 Ma | 3750vrms | 300% @ 1.6MA | 2600% @ 1.6MA | 1.6 µs, 10 µs | - | |||||||
 | TLP385 (D4GB-TL, E | 0.5500 | | 3486 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||
 | 4n48 | 42.9661 | | 7613 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | Un 78-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2266-4n48 | EAR99 | 8541.49.8000 | 250 | 50mera | 20 µs, 20 µs | 40V | 1.5V (Máximo) | 40 Ma | 1000VDC | 100% @ 1MA | 500% @ 1MA | - | 300mv | |||||||
| TLP9121A (FD-GBTL, F | - | | 5947 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9121A (FD-GBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| CPC1302G | 3.2500 | | 5 | 0.00000000 | División de Circuitos Integrados Ixys | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CPC1302 | Corriente Continua | 2 | Darlington | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | CLA295 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | 40 µs, 5 µs | 350V | 1.2V | 1 MA | 3750vrms | 1000% @ 1MA | 8000% @ 1MA | 5 µs, 60 µs | 1.2V | ||||||
 | FOD2743C | 0.3300 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 70V | 1.07V | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 100% @ 1MA | - | 400mv | |||||||||||
 | OCP-PCT4216/A-TR | - | | 7793 | 0.00000000 | LUMEX OPTO/COMPONENTES Inc. | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SMD, Ala de Gaviota | OCP-PCT4216 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 24 | 50mera | 5 µs, 4 µs | 60V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 60% @ 1MA | 600% @ 1MA | - | 300mv | |||||||
| 5962-8767902YA | 101.3700 | | 6057 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Junta de 8-smd | 5962-8767902 | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.55V | 20 Ma | 1500VDC | 9% @ 16MA | - | 400ns, 1 µs | - | |||||||
 | SFH615A-2X | 0.5600 | | 815 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | SFH615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 14 µs | 70V | 1.65V (Max) | 50 Ma | 5300 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 4.2 µs, 23 µs | 400mv | |||||||
 | TPC816C C9G | - | | 6984 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | TPC816 | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV |
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