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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 4N55#300 | 101.9762 |  | 2160 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SMD, Ala de Gaviota | 4N55 | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 16-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 18V | 1.55V | 20 Ma | 1500VDC | 9% @ 16MA | - | 400ns, 1 µs | - | ||||||||||||||
 | TLP331 (BV-LF1, F) | - | | 6076 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP331 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP331 (BV-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP628M (GB-TP1, E | 0.9100 | | 4514 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) | TLP628 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 5.5 µs, 10 µs | 350V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 10 µs, 10 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | TLP781 (D4-Y-LF6, F) | - | | 4558 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4-Y-LF6F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP781F (D4-Y-FD, F) | - | | 5912 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-Y-FDF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP781F (D4-Gr-TC, F | - | | 5980 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-Gr-TCF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | 3C91C | 17.1500 | | 187 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | Corriente Continua | 1 | Transistor | TO-72-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 365-1893 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mera | - | 50V | 1.2V (Máximo) | 50 Ma | 1000VDC | 30% @ 10mA | 200% @ 10mA | 9 µs, 6 µs (máx) | 400mv | ||||||||||||||
| TLP127 (MAT-M-TPL, F | - | | 8990 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (MAT-M-TPLFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||||||
| OLH7000.0020 | - | | 8309 | 0.00000000 | SkyWorks Solutions Inc. | - | Una granela | Obsoleto | OLH7000 | - | 863-OLH7000.0020 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EL3H4 (a) (EB) -vg | - | | 9290 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | EL3H4 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 1MA | 150% @ 1MA | - | 200 MV | |||||||||||||||
| TLP531 (YG, F) | - | | 6694 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP531 (YGF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fod617b3sd | - | | 4218 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FOD617 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||
| TLP628M (LF1, E | 0.9100 | | 2527 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) | TLP628 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 5.5 µs, 10 µs | 350V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 10 µs, 10 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| TLP781 (BLL-TP6, F) | - | | 7168 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (BLL-TP6F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | HCPL2531SDM | 0.7600 | | 571 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 397 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 250ns, 260ns | - | ||||||||||||||||||
| TLP785F (D4GHF7, F | - | | 7137 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (D4GHF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | PS2562L2-1-A | 1.2600 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | PS2562 | Corriente Continua | 1 | Darlington | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 200 MMA | 100 µs, 100 µs | 40V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 1MA | - | - | 1V | |||||||||||||||
| TLX9185 (OGI-TL, F (O | - | | 4186 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLX9185 (OGI-TLF (O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PS2703-1-VA | 0.9305 | | 5118 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | PS2703 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 30mera | 10 µs, 10 µs | 120V | 1.1V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||
 | Moc3061tm | - | | 3051 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc306 | Ul | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC3061TM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 15 Ma | - | |||||||||||||||
 | TLP250H (D4-TP1, F) | 1.7900 | | 7192 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP250 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 10V ~ 30V | 8-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2.5 A | - | 50ns, 50ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 40kV/µs | 500ns, 500ns | |||||||||||||||
 | TLP293-4 (V4GBTRE | 1.6300 | | 8493 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | CNY17F2TVM | - | | 4526 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | PS2561-4-V | - | | 1065 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||
 | SFH615A-2 | 0.8000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | SFH615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 60 Ma | 5300 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | ||||||||||||||
 | HCPL-0601-060E | 1.0600 | | 8366 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | HCPL-0601 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | 8 Tan Alto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 Ma | 10mbd | 24ns, 10ns | 1.5V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||
 | HCPL-817-36LE | 0.1572 | | 4101 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | HCPL-817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 100% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||
 | PS2933-1-A | - | | 8797 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-smd, planos de cables | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-Mini-Flat | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | PS2933-1 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 60mera | 20 µs, 5 µs | 350V | 1.1V | 50 Ma | 2500 VRMS | 400% @ 1MA | 4500% @ 1MA | - | 1V | |||||||||||||||
 | MOC3163SR2M | 2.0200 | | 478 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc316 | Ul | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 500 µA (topos) | Si | 1kV/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||
 | 6N136 | 1.1100 | | 317 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 6n136is | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 150ns, 400ns | - |
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