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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP781F (D4-GRL, E) | - |  | 1801 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-GRLE) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| IS181 | - | | 6234 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | - | 5009-IS181TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | ||||||||||||||||||
 | PS8502L3-E3-AX | - | | 7903 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 35V | 1.7V | 25 Ma | 5000 VRMS | 15% @ 16MA | - | 220ns, 350ns | - | |||||||||||||||
 | Fod2742ar1v | - | | 1243 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 10 | 50mera | - | 70V | 1.2V | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||
 | ILD207-X001T | - | | 1172 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ILD207 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.2V | 30 Ma | 4000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 6 µs, 5 µs | 400mv | |||||||||||||||
| Tced4100g | - | | 8709 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Tced41 | Corriente Continua | 4 | Darlington | 16 Dipp | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 80mera | 300 µs, 250 µs | 35V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 600% @ 1MA | - | - | 1V | |||||||||||||||
 | TLP387 (D4-TPL, E | 0.8700 | | 7441 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP387 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1V | |||||||||||||||
 | 140814241110 | 0.3900 | | 150 | 0.00000000 | Würth Elektronik | WL-ocpt | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP-M | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 80V | 1.24V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 1MA | - | 200 MV | |||||||||||||||
| TLP731 (D4-LF4, F) | - | | 9979 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731 (D4-LF4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MOC3020TVM | - | | 8154 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc302 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 400 V | 100 µA (topos) | No | - | 30mera | - | ||||||||||||||||||
| TLP105 (TPL, F) | - | | 3574 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP105 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 6-mfsop, 5 Plomo | descascar | 264-TLP105 (TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
 | K817P4 | - | | 1496 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | K817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5000 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 6 µs, 5 µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP9104 (Hitj-TL, F) | - | | 4935 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9104 (HITJ-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RV1S9162ACCSP-100C#SC0 | 6.0600 | | 9970 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | RV | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | RV1S9162 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 30V | 5-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 Ma | 15Mbps | - | 1.54V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 100kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||
| TLP781F (D4GRT7, F, W | - | | 7022 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4GRT7FWTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | H11A617AW | 0.0600 | | 2048 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.350 | 50mera | 2.4 µs, 2.4 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5300 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||
 | Moc3021tm | - | | 8489 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc302 | Ul | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 400 V | 100 µA (topos) | No | - | 15 Ma | - | |||||||||||||||||
 | Jantx4n48 | 29.4910 | | 6544 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | Jantx4 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | Un 78-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 365-1970 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 20 µs, 20 µs (máx) | 40V | 1.5V (Máximo) | 40 Ma | 1000VDC | 100% @ 1MA | 500% @ 1MA | - | 300mv | |||||||||||||
 | Til195 | - | | 7587 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FOD8523S | 1.0000 | | 1454 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 100 µs, 20 µs | 300V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | 15000% @ 1MA | - | 1.2V | ||||||||||||||||||
| MOC3061SR2M | - | | 9002 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc306 | Ul | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 190 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 15 Ma | - | ||||||||||||||||||
 | NTE3098 | 2.6400 | | 8746 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - | Bolsa | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 2368-NTE3098 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 20 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| EL817S1 (C) (TU) -F | 0.1284 | | 9742 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | EL817 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | - | 1080 -El817S1 (c) (tu) -ftr | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.500 | 50mera | 18 µs, 18 µs (máx) | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
| TLP2066 (TPR, F) | - | | 4049 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP2066 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 3.6V | 6-mfsop, 5 Plomo | - | 264-TLP2066 (TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 Ma | 20Mbps | 5ns, 4ns | 1.6V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
 | HMHA2801BV | - | | 9035 | 0.00000000 | onde | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | HMHA28 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-Mini-Flat | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||
| OR-6N136S-TA1 | 0.9300 | | 3740 | 0.00000000 | Shenzhen Orient Components Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127 (FJDK-TL, U, F | - | | 8745 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (FJDK-TLUF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||||||
| HCPL-2630-520 | - | | 5532 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 2 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 10mbd | 24ns, 10ns | 1.5V | 15 Ma | 5000 VRMS | 2/0 | 5kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
 | PS9817A-1-V-F3-AX | 4.0800 | | 8694 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | PS9817 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 Ma | 10Mbps | 20ns, 5ns | 1.65V | 20 Ma | 2500 VRMS | 1/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||
| HCPL2630V | 1.3100 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 2 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 229 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1.4V | 30mera | 2500 VRMS | 2/0 | 10kV/µs (TÍP) | 75ns, 75ns |
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