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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EL3010S1 (TA) -V | - |  | 5180 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | EL3010 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3903100014 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.18V | 60 Ma | 5000 VRMS | 250 V | 100 mA | 250 µA (topos) | No | 100V/µs (TÍP) | 15 Ma | - | |||||||||||||||
 | Moc3063sta1-v | 0.2844 | | 9204 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | Moc306x | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc306 | - | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 160-MOC3063STA1-VTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 100 mA | 400 µA | Si | 1kV/µs | 5 mm | - | ||||||||||||||||
 | SFH615A-2XSM | 0.6400 | | 920 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SFH615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 3 µs, 14 µs | 70V | 1.65V (Max) | 50 Ma | 5300 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 4.2 µs, 23 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP2710 (D4-LF4, E | 1.6000 | | 3036 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP2710 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 Ma | 5mbd | 11ns, 13ns | 1.9V (Max) | 8 MA | 5000 VRMS | 1/0 | 25kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||
| 4N35-X001 | 0.7300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 4n35 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | - | 30V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | - | 10 µs, 10 µs | - | ||||||||||||||||
 | EL212 | - | | 9540 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | - | 1.6 µs, 2.2 µs | 80V | 1.3V | 60 Ma | 3750vrms | 50% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| CNY117-4X007T | 0.2997 | | 4474 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | CNY117 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.39V | 60 Ma | 5000 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | EL817 (S1) (TD) | - | | 7465 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EL817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
| TLP714F (D4-MBSTP, F | - | | 8895 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP714 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP714F (D4-MBSTPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||||
 | TCLT1114 | 0.2596 | | 2880 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho), 5 cables | TCLT1114 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SOP, 5 pinos | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5000 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 6 µs, 5 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | NTE3089 | 4.9500 | | 241 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - | Bolsa | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 2368-NTE3089 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 100mA | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 1500VPK | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | |||||||||||||||||
 | FODM3052R4 | 0.5100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 1kV/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||||
 | TLP293 (BLL-TPL, E | 0.5100 | | 3760 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 200% @ 500 µA | 400% @ 500 µA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||
 | ILD615-4X001 | 0.6582 | | 6321 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ILD615 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.15V | 60 Ma | 5300 VRMS | 160% a 320 mm | 320% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | - | ||||||||||||||||
 | 140817141110 | 0.2900 | | 46 | 0.00000000 | Würth Elektronik | WL-ocpt | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-DIP-M | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 35V | 1.24V | 60 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
 | IL211at | 1.0800 | | 35 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IL211 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | - | 30V | 1.3V | 60 Ma | 4000 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | TCET4100 | 1.8200 | | 610 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TCET4100 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 6 µs, 5 µs | 300mv | |||||||||||||||
| VO3020 | - | | 7058 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | VO302 | CQC, CSA, CUL, Fimko, UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | - | 751-VO3020 | Obsoleto | 1 | 1.3V | 50 Ma | 5000 VRMS | 400 V | 100 mA | 200 µA (typ) | No | 100V/µs | 30mera | - | ||||||||||||||||||
 | H11A2-V | - | | 9495 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11A2 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3907171118 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP620-2 (D4-LF2, F) | - | | 9789 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP620 | AC, DC | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP620-2 (D4-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| CNY17F -4S (TB) -V | - | | 1120 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | CNY17F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3907171793 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.65V (Max) | 60 Ma | 5000 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 10 µs, 9 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | HCPL-6530 | 85.0608 | | 7293 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 20-Clcc | HCPL-6530 | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 20-LCCC (8.89x8.89) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.55V | 20 Ma | 1500VDC | 9% @ 16MA | - | 400ns, 1 µs | - | |||||||||||||||
 | TLP754 (TP1, F) | - | | 6092 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP754 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | TLP754 (TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 15 Ma | - | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 400ns, 550ns | |||||||||||||||
| HCPL-5300#100 | 103.0661 | | 7812 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Junta de 8 csmd | HCPL-5300 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 30V | Junta de 8-smd | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | - | - | 1.5V | 25 Ma | 1500VDC | 1/0 | 10kV/µs (TÍP) | 750ns, 500ns | |||||||||||||||
| TLP628-2 (f) | - | | 5515 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP628 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP628-2 (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PS2561-1-VWA | - | | 7166 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||||
| ACPL-560KL-200 | 523.6525 | | 3085 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) | ACPL-560 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 3V ~ 3.6V | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 10mbd | 20ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 1500VDC | 1/0 | 1kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | PS2501L-4-A | 2.3300 | | 306 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 559-1007 | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||
 | TLP387 (TPL, E | 0.8700 | | 6400 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP387 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1V | ||||||||||||||||
 | TCMT1109 | 0.6200 | | 45 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TCMT1109 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 5.5 µs, 7 µs | 70V | 1.35V | 60 Ma | 3750vrms | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 9.5 µs, 8.5 µs | 300mv |
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