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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Til195 | - |  | 7587 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx4n48 | 29.4910 | | 6544 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | Jantx4 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | Un 78-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 365-1970 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 20 µs, 20 µs (máx) | 40V | 1.5V (Máximo) | 40 Ma | 1000VDC | 100% @ 1MA | 500% @ 1MA | - | 300mv | |||||||||||||
 | Jantx4n24 | 28.5340 | | 9037 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | Jantx4 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | Un 78-6 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 365-1958 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 20 µs, 20 µs (máx) | 40V | 1.5V (Máximo) | 40 Ma | 1000VDC | 100% @ 10mA | - | - | 300mv | |||||||||||||
 | IL300-EFG-X016 | - | | 3761 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | IL300 | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico, Linealizado | 8 Dipp | - | 751-IL300-EFG-X016 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 1 µs, 1 µs | - | 1.25V | 60 Ma | 4420 VRMS | - | - | - | - | |||||||||||||||||
| TLP785 (GRH, F | - | | 6028 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (GRHF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | FOD817B3S | 0.4700 | | 9644 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FOD817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||
| TLP9121A (HNEGBTL, F | - | | 3405 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9121A (HNEGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-8947702KYA | 782.7320 | | 1851 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Junta de 8-smd | 5962-8947702 | AC, DC | 1 | Darlington | Junta de 8 Dips | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 40mera | 10 µs, 0.5 µs | 20V | - | 1500VDC | - | - | 4 µs, 8 µs | - | |||||||||||||||
 | 5962-8876801PA | 168.1300 | | 286 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 5962-8876801 | Corriente Continua | 1 | Tri-estatal | 4.5V ~ 20V | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 5mbd | 45ns, 10ns | 1.3V | 8 MA | 1500VDC | 1/0 | 1kV/µs | 350ns, 350ns | ||||||||||||||
 | ILD1207T | 1.4600 | | 34 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ILD1207 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | - | 70V | 1.2V | 30 Ma | 4000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 5 µs, 4 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | SFH628A-3x016 | 1.4100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | SFH628 | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3.5 µs, 5 µs | 55V | 1.1V | 50 Ma | 5300 VRMS | 100% @ 1MA | 320% @ 1MA | 6 µs, 5.5 µs | 400mv | ||||||||||||||
| Ax de PS9587-V | 4.4400 | | 18 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | PS9587 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 559-PS9587-V-AX | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 Ma | 10Mbps | 20ns, 10ns | 1.65V | 30mera | 5000 VRMS | 1/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||
 | VO615A-5X016 | 0.1167 | | 8213 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | VO615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.43V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 6 µs, 5 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | TLP781F (D4YH-TP7, F | - | | 7445 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4YH-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | 4N26SM | 0.2300 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.291 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 20% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||||||||||||
 | SFH615A-3X007T | 1.0000 | | 845 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SFH615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 60 Ma | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | ||||||||||||||
| EL814S (a) (Tu) | 0.2432 | | 1862 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EL814 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | C120000086 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 7 µs, 11 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 150% @ 1MA | - | 200 MV | ||||||||||||||
 | 140816143100 | 0.3800 | | 1 | 0.00000000 | Würth Elektronik | WL-ocpt | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-dip-sl | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 80V | 1.24V | 60 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | - | ||||||||||||||||
| SFH6106-5T-LB | - | | 6571 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | SFH6106 | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | - | Alcanzar sin afectado | 751-SFH6106-5T-LB | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 250% @ 10mA | 500% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | EL817 (S) (B) (TB) -G | - | | 3189 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
| PS2561DL-1Y-VA | 0.8700 | | 3818 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | PS2561 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.2V | 40 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||
| ELT3021M-V | 0.5989 | | 9397 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ELT3021 | Cul, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE | 1 | Triac | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | C120000081 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 1.18V | 60 Ma | 5000 VRMS | 400 V | 250 µA (topos) | No | 100V/µs (TÍP) | 15 Ma | - | |||||||||||||||
 | Sfh690at | 0.8000 | | 81 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SFH690 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP (2.54 mm) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 70V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 5 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||
 | HMA121DR3 | - | | 9060 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | HMA121 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 100% @ 5MA | - | 400mv | |||||||||||||||
 | H11A617BW | - | | 7282 | 0.00000000 | onde | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11A | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2.4 µs, 2.4 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5300 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||
 | VOS618A-2X001T | 0.6400 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Vos618 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 5 µs, 7 µs | 80V | 1.1V | 50 Ma | 3750vrms | 63% @ 1MA | 125% @ 1MA | 5 µs, 8 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP781F (D4DLTGRH, F | - | | 1288 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4DLTGRHF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | H11A2S1 (TB) -V | - | | 6237 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | H11A2 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3907171123 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||
 | TLP2405 (f) | - | | 3997 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TLP2405 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 8-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP2405F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.57V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||
| TLP2955F (TP4, F) | - | | 1035 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP2955 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 20V | 8-SMD | descascar | 264-TLP2955F (TP4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 16ns, 14ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns |
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