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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VO617C-3X001 | 0.2330 |  | 2033 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 751-VO617C-3X001TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.1V | 60 Ma | 5300 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 6 µs, 4 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | VOS628A-3X001T | 1.0600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | VOS628A | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | AC, DC | 1 | Transistor | 4-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 5 µs, 7 µs | 80V | 1.1V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 1MA | 200% @ 1MA | 5 µs, 8 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | VO3023-X001 | 0.2596 | | 9563 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | VO3023 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CQC, CSA, CUL, Fimko, UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | 751-VO3023-X001TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.3V | 50 Ma | 5000 VRMS | 400 V | 100 mA | 200 µA (typ) | No | 100V/µs | 5 mm | - | ||||||||||||||||
 | VO3021-X006 | 0.2596 | | 1124 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | VO3021 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | CQC, CSA, CUL, Fimko, UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | 751-VO3021-X006TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.3V | 50 Ma | 5000 VRMS | 400 V | 100 mA | 200 µA (typ) | No | 100V/µs | 15 Ma | - | ||||||||||||||||
 | TLP759F (D4, J, F) | - | | 3790 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759F (D4JF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | |||||||||||||||
| TLP759 (D4MBS-IGM, F | - | | 9951 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759 (D4MBS-IGMF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||||||
| TLP9104 (OGI-TL, F) | - | | 2225 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9104 (OGI-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2531 (LF1, F) | - | | 2555 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | 264-TLP2531 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 15V | 1.65V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||||||
| TLP715 (TP, F) | - | | 2863 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP715 (TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.6V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
| TLP2768 (D4-TP, F) | - | | 6014 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 2.7V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP2768 (D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 20mbd | 30ns, 30ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
| TLP9104A (HNE-TL, F) | - | | 6741 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9104A (HNE-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP9121A (PSDGBTL, F | - | | 5767 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9121A (PSDGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP714 (D4-TP, F) | - | | 2704 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 30V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP714 (D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||||
| TLP2768F (D4MBSTP, F | - | | 9277 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 2.7V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP2768F (D4MBSTPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 20mbd | 30ns, 30ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
| TLP2766 (TP, F) | - | | 2345 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP2766 (TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 Ma | 20Mbps | 15ns, 15ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 55ns, 55ns | ||||||||||||||||
| TLP105 (V4MBS-TPL, F | - | | 7671 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 6-mfsop, 5 Plomo | descascar | 264-TLP105 (V4MBS-TPLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
| TLP719F (D4SOY-TP, F | - | | 7583 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP719 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-sdip | - | 264-TLP719F (D4SOY-TPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | |||||||||||||||
| TLP2066 (TPL, F) | - | | 9257 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP2066 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 3.6V | 6-mfsop, 5 Plomo | - | 264-TLP2066 (TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 Ma | 20Mbps | 5ns, 4ns | 1.6V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
| TLP715 (D4-MBS-TP, F | - | | 9066 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP715 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP715 (D4-MBS-TPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.6V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
| TLP626 (D4-LF2, F) | - | | 6425 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP626 | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 264-TLP626 (D4-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | TLP525G (FUJT, F) | - | | 7033 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP525 | CSA, CUL, UL | 1 | Triac | 4 Dipp | descascar | 264-TLP525G (FUJTF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 400 V | 100 mA | 600 µA | No | 200V/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||
| TLP759F (D4MBIMT4JF | - | | 5358 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759F (D4MBIMT4JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | |||||||||||||||
| TLP9121A (OGIGBTL, F | - | | 1570 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9121A (OGIGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP714F (D4-TP, F) | - | | 2411 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP714 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP714F (D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||
| TLP718 (D4-TP, F) | - | | 9542 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP718 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP718 (D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.6V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
| TLP759 (D4IM-T1, J, F | - | | 9523 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759 (D4IM-T1JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | |||||||||||||||
| TLP2530 (TP1, F) | - | | 9916 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP2530 | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | 264-TLP2530 (TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 15V | 1.65V | 25 Ma | 2500 VRMS | 7% @ 16MA | 30% @ 16MA | 300ns, 500ns | - | |||||||||||||||
| TLP669L (D4, S, C, F) | - | | 3275 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables | TLP669 | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | - | 264-TLP669L (D4SCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.2V | 30 Ma | 5000 VRMS | 800 V | 100 mA | 600 µA | Si | 500V/µs (topos) | 10 Ma | 30 µs | |||||||||||||||
| TLP750 (PPA, F) | - | | 1617 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP750 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | - | 264-TLP750 (PPAF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 10% @ 16MA | - | - | - | |||||||||||||||
| TLP9104A (TOJS-TL, F | - | | 7141 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9104A (TOJS-TLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 |
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