SIC
close
Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP137(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (TPR, F) -
RFQ
ECAD 2750 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP137 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-mfsop, 5 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP137 (TPRF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 8 µs, 8 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
EL3H7(H)-G Everlight Electronics Co Ltd EL3H7 (H) -G -
RFQ
ECAD 4088 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) EL3H7 Corriente Continua 1 Transistor 4-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 5,000 50mera 5 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 200 MV
PS9123-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS9123-F3-AX 4.4200
RFQ
ECAD 3023 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables PS9123 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V 5-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 13 Ma 15Mbps - 1.55V 20 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 60ns, 60ns
TLP2362(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (TPR, E 1.0500
RFQ
ECAD 8277 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2362 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma 10mbd 30ns, 30ns 1.55V 25 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 100ns, 100ns
TLP732(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GB-LF2, F) -
RFQ
ECAD 1724 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimitado) 264-TLP732 (GB-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
PS2561L2-1-E3-A Renesas Electronics America Inc PS2561L2-1-E3-A 0.3300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 902 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.17V 80 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
TCLT1109 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1109 0.7300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho), 5 cables TCLT1109 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SOP, 5 pinos descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 3 µs, 4.7 µs 80V 1.25V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 6 µs, 5 µs 300mv
PS2501L-1-W-A CEL PS2501L-1-WA -
RFQ
ECAD 4120 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota PS2501 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 100 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.17V 80 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 300mv
4N49A TT Electronics/Optek Technology 4N49A 31.8588
RFQ
ECAD 2835 0.00000000 TT Electronics/Optek Technology - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO-78-6 METAL CAN Corriente Continua 1 Base de transistor Un 78-6 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 250 50mera 25 µs, 25 µs 40V 1.5V (Máximo) 40 Ma 1000VDC 200% @ 1MA 1000% @ 1MA - 300mv
5962-8957103KYC Broadcom Limited 5962-895710333KKYC 686.1750
RFQ
ECAD 9740 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie Junta de 8-smd 5962-8957103 Corriente Continua 2 Push-Pull, Tótem 4.75V ~ 5.25V Junta de 8 Dips descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 40mbps 15ns, 10ns 1.35V 10 Ma 1500VDC 2/0 500V/µs 60ns, 60ns
CNY64ABST Vishay Semiconductor Opto Division Cny64abst 3.0900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota CNY64 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 4 (72 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 400 50mera 2.4 µs, 2.7 µs 32V 1.32V 75 Ma 8200 VRMS 80% @ 5MA 240% @ 5MA 5 µs, 3 µs 300mv
OPI127 TT Electronics/Optek Technology OPI127 -
RFQ
ECAD 7637 0.00000000 TT Electronics/Optek Technology - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero - Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 25 250kbps 100ns, 100ns 1.5V (Máximo) 25 Ma 15000VDC 1/0 - 5 µs, 5 µs (topos)
BRT23M-X007T Vishay Semiconductor Opto Division BRT23M-X007T -
RFQ
ECAD 1438 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota BRT23 Cul, Ur, VDE 1 Triac 6-SMD - 751-BRT23M-X007T EAR99 8541.49.8000 1,000 1.16V 60 Ma 5300 VRMS 800 V 300 mA 500 µA Si 10 kV/µs 3mera 35 µs
HCPL-814-06AE Broadcom Limited HCPL-814-06AE 0.1966
RFQ
ECAD 6347 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL-814 AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 35V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 MV
SFH618A-5X017 Vishay Semiconductor Opto Division SFH618A-5X017 0.3918
RFQ
ECAD 5331 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota SFH618 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 4.000 50mera 3.5 µs, 5 µs 55V 1.1V 60 Ma 5300 VRMS 250% @ 1MA 500% @ 1MA 6 µs, 5.5 µs 400mv
OPIA402BTU TT Electronics/Optek Technology Opia402btu -
RFQ
ECAD 5564 0.00000000 TT Electronics/Optek Technology - Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota AC, DC 1 Transistor 4-SOP (2.54 mm) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 365-1416 EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 60V 1.2V 50 Ma 3750vrms 20% @ 1MA 400% @ 1MA - 300mv
PS2501A-1-L-A CEL PS2501A-1-LA -
RFQ
ECAD 6022 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) PS2501 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 100 30mera 3 µs, 5 µs 70V 1.2V 30 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
FOD617D3SD onsemi Fod617d3sd -
RFQ
ECAD 8343 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD617 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA - 400mv
TLP2355(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2355 (TPR, E 1.0200
RFQ
ECAD 4732 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2355 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma - 15ns, 12ns 1.55V 20 Ma 3750vrms 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
H11AA3 Everlight Electronics Co Ltd H11AA3 -
RFQ
ECAD 1474 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11AA AC, DC 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 65 - 10 µs, 10 µs (máx) 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 10mA - 10 µs, 10 µs (máx) 400mv
PS2565L-1-K-A Renesas Electronics America Inc PS2565L-1-KA -
RFQ
ECAD 5137 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota PS2565 AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 559-1392 EAR99 8541.49.8000 100 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.17V 80 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
SFH6326-X009T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6326-X009T 0.9914
RFQ
ECAD 2801 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota SFH6326 Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 25V 1.33V 25 Ma 5300 VRMS 19% @ 16MA - 200ns, 500ns -
TLP2301(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2301 (E 0.6100
RFQ
ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP2301 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 50mera - 40V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 1MA 600% @ 1MA - 300mv
PC3HU72YIP1B SHARP/Socle Technology PC3HU72YIP1B -
RFQ
ECAD 3964 0.00000000 Tecnología Sharp/Sócle - Una granela Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) PC3HU72 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat - EAR99 8541.49.8000 3,500 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
HMA121CR1V onsemi HMA121CR1V -
RFQ
ECAD 4291 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 400mv
5962-0824203KTA Broadcom Limited 5962-0824203kta 586.6886
RFQ
ECAD 7658 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SMD, Ala de Gaviota 5962-0824203 Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 3V ~ 3.6V Ala de Gaviota de 16 años SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 10mbd 20ns, 8ns 1.55V 20 Ma 1500VDC 2/0 1kV/µs 100ns, 100ns
H11L2S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd H11L2S1 (TB) -V -
RFQ
ECAD 2306 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11L2 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 16V 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.15V 60mera 5000 VRMS 1/0 - 4 µs, 4 µs
PS2503L-1-L-A Renesas Electronics America Inc PS2503L-1-LA 1.3600
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota PS2503 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 559-1249 EAR99 8541.49.8000 100 30mera 20 µs, 30 µs 40V 1.1V 80 Ma 5000 VRMS 150% @ 1MA 300% @ 1MA - 250 MV
EL3H7(A)(TA)-G Everlight Electronics Co Ltd EL3H7 (a) (ta) -g 0.1649
RFQ
ECAD 3022 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) EL3H7 Corriente Continua 1 Transistor 4-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3903H70004 EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 5 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
TLP293-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4LGB, E 1.6400
RFQ
ECAD 9035 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock