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Optoisoladores (15749)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
FODM3010R3 Fairchild Semiconductor FODM3010R3 -
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 15 Ma -
FOD053LR1 Fairchild Semiconductor FOD053LR1 1.5500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 7V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 15% @ 16MA 50% @ 16MA 1 µs, 1 µs (max) -
FOD2200 Fairchild Semiconductor FOD2200 1.8700
RFQ
 ECAD 357 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Tri-estatal 4.5V ~ 20V 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 25 Ma 2.5mbd 80ns, 25ns 1.4V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 300ns, 300ns
PS2581AL2-E3-A Renesas Electronics America Inc PS2581Al2-E3-A 0.5300
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 30mera 3 µs, 5 µs 70V 1.2V 30 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
CNY171300W Fairchild Semiconductor CNY171300W 0.2200
RFQ
 ECAD 4650 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
MOC3052TM Fairchild Semiconductor Moc3052tm -
RFQ
 ECAD 4044 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc305 Tu 1 Triac 6 Dipp - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 Ma 4170vrms 600 V 220 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
6N135 Fairchild Semiconductor 6N135 0.6000
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar Rohs no conforme EAR99 8541.49.8000 503 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 7% @ 16MA 50% @ 16MA 350ns, 350ns -
MOC211R1M Fairchild Semiconductor Moc211r1m 1.0000
RFQ
 ECAD 8232 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar No Aplicable EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 20% @ 10mA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
FODM3011R3 Fairchild Semiconductor FODM3011R3 -
RFQ
 ECAD 6317 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 10 Ma -
CNY173W Fairchild Semiconductor CNY173W 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
FOD2743AT Fairchild Semiconductor Fod2743at 0.5100
RFQ
 ECAD 998 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 592 50mera - 70V 1.07V 5000 VRMS 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400mv
MOC8030 Fairchild Semiconductor MOC8030 1.0000
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 80V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 300% @ 10mA - 3.5 µs, 95 µs -
MOC3012SVM Fairchild Semiconductor MOC3012SVM 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc301 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 250 V 100 µA (topos) No - 5 mm -
FODM3052R2V Fairchild Semiconductor FODM3052R2V 0.5100
RFQ
 ECAD 5614 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 441 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
H11A4S Fairchild Semiconductor H11A4S 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
CNY17F23SD Fairchild Semiconductor CNY17F23SD 0.1000
RFQ
 ECAD 8150 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD - ROHS3 Cumplante 2156-CNY17F23SD-FSTR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
4N31S Fairchild Semiconductor 4n31s -
RFQ
 ECAD 2732 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2,314 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 50% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1.2V
H11AA2 Fairchild Semiconductor H11AA2 0.2700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) AC, DC 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 - 10 µs, 10 µs (máx) 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 10% @ 10mA - 10 µs, 10 µs (máx) 400mv
FOD617A300W Fairchild Semiconductor FOD617A300W 0.0700
RFQ
 ECAD 5124 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 3,300 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 400mv
H11B1300 Fairchild Semiconductor H11B1300 0.1000
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2.799 - - 25V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 500% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
MOC3022SVM Fairchild Semiconductor MOC3022SVM 0.3300
RFQ
 ECAD 3345 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc302 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 95 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 10 Ma -
CNY17F4W Fairchild Semiconductor CNY17F4W 0.1100
RFQ
 ECAD 5736 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
FOD617ASD Fairchild Semiconductor FOD617Asd 0.1000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2,959 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 400mv
FOD2743BT Fairchild Semiconductor FOD2743BT 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 70V 1.07V 5000 VRMS 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400mv
HCPL2731 Texas Instruments HCPL2731 1.0000
RFQ
 ECAD 2359 0.00000000 Instrumentos de Texas - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 2 Darlington 8 Dipp descascar Rohs no conforme EAR99 8541.49.8000 1,000 60mera - 18V 1.3V 20 Ma 2500 VRMS 500% @ 1.6MA - 300ns, 5 µs -
MOC8111M Fairchild Semiconductor MOC8111M 0.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 - 2 µs, 11 µs 70V 1.15V 90 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 3 µs, 18 µs 400mv
FOD2741C Fairchild Semiconductor FOD2741C 0.3600
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
MOC256R1M Fairchild Semiconductor Moc256r1m 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) AC, DC 1 Base de transistor 8-Soico descascar No Aplicable EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 60 Ma 2500 VRMS 20% @ 10mA - - 400mv
H11A1W Fairchild Semiconductor H11A1W 0.0900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
FODM3023R3V Fairchild Semiconductor FODM3023R3V 0.5000
RFQ
 ECAD 2013 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 432 1.2V 60 Ma 3750vrms 400 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 5 mm -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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