SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
4N28S1(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd 4N28S1 (TA) -V -
RFQ
ECAD 2405 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3907172810 EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 10% @ 10mA - 3 µs, 3 µs 500mv
H11L33S onsemi H11L33S -
RFQ
ECAD 4265 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11L Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz - - 5 mm 5300 VRMS 1/0 - -
PS2832-1-F3 CEL PS2832-1-F3 -
RFQ
ECAD 1762 0.00000000 Cela NEPOC Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Corriente Continua 1 Darlington 4-SOP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 3,500 60mera 20 µs, 5 µs 300V 1.2V 50 Ma 2500 VRMS 400% @ 1MA 4500% @ 1MA - 1V
H11A33S onsemi H11A33S -
RFQ
ECAD 6913 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A33S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
H11A53SD onsemi H11A53SD -
RFQ
ECAD 5993 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A53SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 30% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
PS2561-1-V-A CEL PS2561-1-VA -
RFQ
ECAD 1901 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 100 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.17V 80 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
HCPL0530R2 onsemi HCPL0530R2 -
RFQ
ECAD 5137 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL05 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 7% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 500ns -
4N38 onsemi 4n38 -
RFQ
ECAD 2822 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4n38 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 80V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 1V
H11G3W onsemi H11G3W -
RFQ
ECAD 1064 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11G Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11G3W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS 200% @ 1MA - 5 µs, 100 µs 1.2V
MOC8105SD onsemi MOC8105SD -
RFQ
ECAD 6389 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8105SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 65% @ 10mA 133% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
PS2501L-1-A CEL PS2501L-1-A -
RFQ
ECAD 5843 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota PS2501 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 100 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.17V 80 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 600% @ 5MA - 300mv
H11A817BW onsemi H11A817BW -
RFQ
ECAD 4041 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817BW-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
H11AA3TM onsemi H11AA3TM -
RFQ
ECAD 8416 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A AC, DC 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.17V 60 Ma 7500vpk 50% @ 10mA - - 400mv
MCT2200SD onsemi MCT2200SD -
RFQ
ECAD 5692 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2200SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
EL827S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL827S (TA) -V -
RFQ
ECAD 8667 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota EL827 Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) C110000808 EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 3 µs, 4 µs 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
PC817XP7J00F Sharp Microelectronics PC817XP7J00F -
RFQ
ECAD 1415 0.00000000 Microelectónica afilada - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
IL4117-X001 Vishay Semiconductor Opto Division IL4117-X001 -
RFQ
ECAD 6560 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) IL4117 BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 1.3V 60 Ma 5300 VRMS 700 V 300 mA 200 µA Si 10 kV/µs 1.3MA 35 µs
TLP9121A(MURGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (MURGBTL, F -
RFQ
ECAD 4467 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9121A (MURGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
EL3061-V Everlight Electronics Co Ltd EL3061-V -
RFQ
ECAD 6701 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) EL3061 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3903610008 EAR99 8541.49.8000 65 1.5V (Máximo) 60 Ma 5000 VRMS 600 V 100 mA 280 µA (tipos) Si 1kV/µs 15 Ma -
TLP267J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J (TPR, E 1.0100
RFQ
ECAD 786 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP267 CQC, CUR, UR 1 Triac 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1.27V 30 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 200 µA (typ) No 500V/µs (topos) 3mera 100 µs
PS2501A-1-M-A CEL PS2501A-1-MA -
RFQ
ECAD 9398 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) PS2501 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 100 30mera 3 µs, 5 µs 70V 1.2V 30 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
HMA121A onsemi HMA121A -
RFQ
ECAD 4175 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA - 400mv
4N37S1(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd 4N37S1 (TA) -V -
RFQ
ECAD 9276 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3907173710 EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 10mA - 10 µs, 9 µs 300mv
CNY17F-3X017 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-3X017 0.8000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 2 µs 70V 1.39V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 3 µs, 2.3 µs 400mv
H11N1FM onsemi H11N1FM -
RFQ
ECAD 9878 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11N Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4V ~ 15V 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30mera 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
HCPL-0211-500E Broadcom Limited HCPL-0211-500E 3.7600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Broadcom Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL-0211 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V 8 Tan Alto descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1.500 25 Ma 5mbd 30ns, 7ns 1.5V 10 Ma 3750vrms 1/0 5kV/µs, 10kV/µs 300ns, 300ns
MCT270 onsemi MCT270 -
RFQ
ECAD 1076 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT270 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 - - 30V - 90 Ma 5300 VRMS 50% @ 10mA 115% @ 10mA - 400mv
4N37SR2VM onsemi 4N37SR2VM 0.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n37 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
TLP182(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (TPL, E 0.5200
RFQ
ECAD 1277 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
FOD2712R2 onsemi FOD2712R2 -
RFQ
ECAD 1646 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD271 Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock