SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
MOC3071M onsemi Moc3071m 1.0300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc307 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.18V 60 Ma 4170vrms 800 V 540 µA (topos) No 1kV/µs 15 Ma -
HCPL0501 onsemi HCPL0501 2.8800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Caja Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL05 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
VOT8123AB-T2 Vishay Semiconductor Opto Division VOT8123AB-T2 0.4124
RFQ
ECAD 2729 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota VOT8123 CQC, CUL, UL, VDE 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 751-VOT8123AB-T2TR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 800 V 100 mA 400 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
H11A1300 onsemi H11A1300 -
RFQ
ECAD 2662 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
TIL195A Texas Instruments Til195a 0.7800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Instrumentos de Texas * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 386
TPS5910A Texas Instruments TPS5910A 0.7500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Instrumentos de Texas * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.49.8000 398
HCPL-2411-000E Broadcom Limited HCPL-2411-000E 3.4716
RFQ
ECAD 5956 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL-2411 Corriente Continua 1 Tri-estatal 4.75V ~ 5.25V 8 Dipp - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 25 Ma 40mbd 20ns, 10ns 1.3V 10 Ma 2500 VRMS 1/0 1kV/µs 55ns, 55ns
6N136 Broadcom Limited 6N136 1.2804
RFQ
ECAD 3300 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 6N136 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 516-1026-5 EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 20V 1.5V 25 Ma 3750vrms 19% @ 16MA 50% @ 16MA 200ns, 600ns -
PS2581AL2-W-A CEL PS2581Al2-WA -
RFQ
ECAD 4119 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 100 30mera 3 µs, 5 µs 70V 1.2V 30 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 300mv
4N25FR2VM onsemi 4N25FR2VM -
RFQ
ECAD 1119 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n25 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N25FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
HCPL062N onsemi HCPL062N 4.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL062 Corriente Continua 2 Coleccionista abierto 2.7V ~ 3.3V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 15 Ma 10Mbps 16ns, 4ns 1.75V (Max) 50mera 2500 VRMS 2/0 25kV/µs 90ns, 75ns
MCT210M onsemi MCT210M -
RFQ
ECAD 7311 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT210 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 30mera 1 µs, 11 µs 30V 1.33V 60 Ma 7500vpk 150% @ 10mA - 1 µs, 50 µs 400mv
MOC3010SR2M onsemi MOC3010SR2M 1.0900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc301 Ul 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 250 V 100 µA (topos) No - 15 Ma -
CNX82AW onsemi Cnx82aw -
RFQ
ECAD 9603 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNX82 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNX82AW-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 50V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 250% @ 10mA 3 µs, 3 µs 400mv
4N32S onsemi 4N32S -
RFQ
ECAD 4747 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N32 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1V
MOC81043S onsemi MOC81043S -
RFQ
ECAD 1986 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC81043S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 160% @ 10mA 256% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
PS2501-4 CEL PS2501-4 -
RFQ
ECAD 7761 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) PS2501 Corriente Continua 4 Transistor 16 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados PS2501-4NEC EAR99 8541.49.8000 20 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.17V 80 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 600% @ 5MA - 300mv
TLP785F(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-Gr, F -
RFQ
ECAD 1238 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (D4-GRF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
H11B815300 onsemi H11B815300 -
RFQ
ECAD 5771 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11B Corriente Continua 1 Darlington 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B815300-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 80mera 300 µs, 250 µs (MAX) 35V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1V
8237720000 Weidmüller 8237720000 -
RFQ
ECAD 3907 0.00000000 Weidmüller - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 50 ° C DIN Rail Módulo Corriente Continua 1 Transistor - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1 500mA - 24 V - - - - - -
4N26S(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd 4N26S (TB) -V -
RFQ
ECAD 6307 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor SMD DE 6 DIPS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3907172609 EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 20% @ 10mA - 3 µs, 3 µs 500mv
TLP185(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB, SE 0.6100
RFQ
ECAD 8225 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) TLP185 (GBSE EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
VO617C-2X001 Vishay Semiconductor Opto Division VO617C-2X001 0.2262
RFQ
ECAD 4504 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 751-VO617C-2X001TR EAR99 8541.49.8000 4.000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.1V 60 Ma 5300 VRMS 63% @ 5MA 125% @ 5MA 6 µs, 4 µs 400mv
EL817S(C)(TU)(ELEU) Everlight Electronics Co Ltd EL817S (C) (Tu) (ELEU) 0.1649
RFQ
ECAD 3999 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd EL817 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp - 1080-el817s (c) (tu) (ELEU) TR EAR99 8541.41.0000 1.500 50mera 6 µs, 8 µs 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
CNY17F1300W onsemi CNY17F1300W -
RFQ
ECAD 6556 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY17F1300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
PC357NT Sharp Microelectronics PC357NT -
RFQ
ECAD 3301 0.00000000 Microelectónica afilada - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 750 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
H11AA814A300 onsemi H11AA814A300 -
RFQ
ECAD 3673 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AA814A300-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 MV
FODM3053R1V onsemi FODM3053R1V -
RFQ
ECAD 3394 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 5 mm -
TLP385(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-TPL, E 0.5400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
PS2501AL-1-P-A CEL PS2501Al-1-PA -
RFQ
ECAD 4047 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota PS2501 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 100 30mera 3 µs, 5 µs 70V 1.2V 30 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock