SIC
close
Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
MOC8100TVM onsemi MOC8100TVM -
RFQ
ECAD 6257 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC810 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8100TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 2 µs, 2 µs 30V 1.2V 60 Ma 7500vpk 30% @ 1MA - 20 µs, 20 µs (máx) 500mv
FOD2200SV onsemi FOD2200SV -
RFQ
ECAD 1776 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD220 Corriente Continua 1 Tri-estatal 4.5V ~ 20V 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 25 Ma 2.5mbd 80ns, 25ns 1.4V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 300ns, 300ns
H11A3SD onsemi H11A3SD -
RFQ
ECAD 1982 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A3SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
H11A5300W onsemi H11A5300W -
RFQ
ECAD 5400 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A5300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 30% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
H11L2SVM onsemi H11L2SVM 2.0400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11L2 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 15V 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11L2SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30mera 4170vrms 1/0 - 4 µs, 4 µs
HCPL0700R2 onsemi HCPL0700R2 2.7900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL0700 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 60mera - 7V 1.25V 20 Ma 2500 VRMS 300% @ 1.6MA 2600% @ 1.6MA 1 µs, 7 µs -
6N135M onsemi 6n135m 1.8700
RFQ
ECAD 972 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 6N135 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 6n135mfs EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 7% @ 16MA 50% @ 16MA 230ns, 450ns -
MOC3020TVM onsemi MOC3020TVM 0.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc302 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado MOC3020TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 30mera -
HCPL0637R1 onsemi HCPL0637R1 -
RFQ
ECAD 9661 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL06 Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 15 Ma 10Mbps 17ns, 5ns 1.75V (Max) - 3750vrms 2/0 5kV/µs 75ns, 75ns
CNX48USD onsemi CNX48USD -
RFQ
ECAD 8960 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNX48 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNX48USD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 350% @ 500 µA - 3.5 µs, 36 µs 1v
FOD2742AR2V onsemi FOD2742AR2V -
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD274 Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera - 70V 1.2V 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
MOC3010SM onsemi MOC3010SM 0.9400
RFQ
ECAD 286 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc301 Ul 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3010SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 60 Ma 4170vrms 250 V 100 µA (topos) No - 15 Ma -
MOC3052M_F132 onsemi MOC3052M_F132 -
RFQ
ECAD 5683 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc305 Tu 1 Triac 6 Dipp - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 Ma 4170vrms 600 V 220 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
H11G46 onsemi H11G46 -
RFQ
ECAD 5521 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11G Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 60mera - 55V - 60 Ma 3750vrms 350% @ 500 µA - - -
H11F23SD onsemi H11F23SD -
RFQ
ECAD 3972 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11F Corriente Continua 1 Mosfet 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11F23SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS - - 25 µs, 25 µs (MAX) -
MOC217R2M onsemi MOC217R2M 0.8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOC217 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.07V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
FODM2701BV onsemi FODM2701BV -
RFQ
ECAD 7936 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM27 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
MOC8105 onsemi MOC8105 -
RFQ
ECAD 8116 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8105-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 65% @ 10mA 133% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
H11D3SR2M onsemi H11D3SR2M 1.4800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11D3 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 200V 1.15V 80 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
H11A817BW onsemi H11A817BW -
RFQ
ECAD 4041 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817BW-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
FOD617DSD onsemi FOD617DSD -
RFQ
ECAD 5133 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD617 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA - 400mv
H11N3SR2VM onsemi H11N3SR2VM -
RFQ
ECAD 4846 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11N Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4V ~ 15V 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30mera 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
H11AA2M onsemi H11AA2M -
RFQ
ECAD 4367 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A AC, DC 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.17V 60 Ma 7500vpk 10% @ 10mA - - 400mv
MOC8030 onsemi MOC8030 -
RFQ
ECAD 9331 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MOC803 Corriente Continua 1 Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 80V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 300% @ 10mA - 3.5 µs, 95 µs -
HCPL2601S onsemi HCPL2601S 2.2800
RFQ
ECAD 9153 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL2601 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 50mera 2500 VRMS 1/0 5kV/µs 75ns, 75ns
FODM3051R2V onsemi FODM3051R2V -
RFQ
ECAD 2869 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 15 Ma -
4N40SD onsemi 4n40sd -
RFQ
ECAD 7111 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N40 Tu 1 SCR 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N40SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.1V 60 Ma 5300 VRMS 400 V 300 mA 1mera No 500V/µs 14 MA 50 µs (MAX)
HCPL0534 onsemi HCPL0534 2.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL05 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 15% @ 16MA - 450ns, 300ns -
H11A1W onsemi H11A1W -
RFQ
ECAD 1196 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A1W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
4N33300W onsemi 4N3333300W -
RFQ
ECAD 5772 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4N33 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N3333300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock