SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
6N136SV onsemi 6N136SV -
RFQ
ECAD 5377 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota 6N136 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 500ns -
CNX35U300 onsemi CNX35U300 -
RFQ
ECAD 4996 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) CNX35 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNX35U300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 160% @ 10mA 20 µs, 20 µs 400mv
HCPL2531S onsemi HCPL2531S -
RFQ
ECAD 8001 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL2531 Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
MOC206R2M onsemi MOC206R2M 0.7500
RFQ
ECAD 3686 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Moc206 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
MOC3020TM onsemi Moc3020tm -
RFQ
ECAD 8890 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc302 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3020TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 30mera -
MOC5009SM onsemi MOC5009SM -
RFQ
ECAD 8364 0.00000000 onde Globlooptoisolator ™ Bolsa Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc500 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz - - 10 Ma 7500vpk 1/0 - -
HMA121ER4 onsemi HMA121ER4 -
RFQ
ECAD 3177 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 150% @ 5MA 300% @ 5MA - 400mv
4N36300 onsemi 4N36300 -
RFQ
ECAD 4403 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4n36 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N36300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
FODM3052R1 onsemi FODM3052R1 -
RFQ
ECAD 2146 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
74OL6000300 onsemi 74ol6000300 -
RFQ
ECAD 8734 0.00000000 onde Optológico ™ Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 74ol600 Lógica 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 40 Ma 15mbd 45ns, 5ns - - 5300 VRMS 1/0 5kV/µs 100ns, 100ns
FOD270L onsemi FOD270L -
RFQ
ECAD 6494 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD270 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 60mera - 7V 1.35V 20 Ma 5000 VRMS 400% @ 500 µA 7000% @ 500 µA 3 µs, 50 µs -
H11AV2FM onsemi H11AV2FM -
RFQ
ECAD 2222 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AV2FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 70V 1.18V 60 Ma 7500vpk 50% @ 10mA - 15 µs, 15 µs 400mv
FOD2741CSD onsemi FOD2741CSD -
RFQ
ECAD 7219 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD274 Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
FOD2742BR2V onsemi FOD2742BR2V 1.8700
RFQ
ECAD 4960 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD2742 Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera - 70V 1.2V 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
CNY1713SD onsemi CNY1713SD -
RFQ
ECAD 10000 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY171 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY1713SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
H11AV1AM onsemi H11AV1AM 0.9300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11AV Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 - - 70V 1.18V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA 300% @ 10mA 15 µs, 15 µs (máx) 400mv
CNY172SR2VM onsemi CNY172SR2VM 0.8200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY172 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
MOC8050SR2VM onsemi MOC8050SR2VM 1.3900
RFQ
ECAD 5298 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC8050 Corriente Continua 1 Darlington 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 80V 1.18V 60 Ma 4170vrms 500% @ 10mA - 8.5 µs, 95 µs -
MOC3061SM onsemi Moc3061sm 1.6200
RFQ
ECAD 32 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc306 Ul 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3061SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 15 Ma -
MOC119S onsemi Moc119s -
RFQ
ECAD 8631 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC19 Corriente Continua 1 Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC119S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 300% @ 10mA - 3.5 µs, 95 µs 1V
MOC3082SVM onsemi MOC3082SVM 1.5600
RFQ
ECAD 950 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc308 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3082SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.3V 60 Ma 4170vrms 800 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 10 Ma -
6N137W onsemi 6N137W -
RFQ
ECAD 4250 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 6N137 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8 mdip descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 6N137W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 50mera 2500 VRMS 1/0 10kV/µs (TÍP) 75ns, 75ns
CNY171SD onsemi CNY171SD -
RFQ
ECAD 7789 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY171 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY171SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
MOC3063TVM onsemi MOC3063TVM 1.0400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc306 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 5 mm -
FOD2743BS onsemi FOD2743BS 2.1000
RFQ
ECAD 3244 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD2743 Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 70V 1.07V 5000 VRMS 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400mv
MOC81013S onsemi MOC81013S -
RFQ
ECAD 7201 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC81013S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
4N26300W onsemi 4N26300W -
RFQ
ECAD 1807 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4N26 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N26300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
MCT2M onsemi MCT2M -
RFQ
ECAD 7703 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2 µs, 1.5 µs 30V 1.25V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
MOC3061TVM onsemi MOC3061TVM 1.3500
RFQ
ECAD 5675 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc306 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado MOC3061TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 15 Ma -
CNY1743SD onsemi CNY1743SD -
RFQ
ECAD 8554 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY174 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY1743SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock