SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
MOC215-M Fairchild Semiconductor MOC215-M 0.2200
RFQ
ECAD 1995 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,257 150 Ma 3 µs, 3 µs 30V 1.07V 60 Ma 2500 VRMS 20% @ 1MA - 4 µs, 4 µs 400mv
MOC216 Fairchild Semiconductor MOC216 0.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.49.8000 1 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.07V 60 Ma 2500 VRMS - - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
CNY17F4SR2VM Fairchild Semiconductor CNY17F4SR2VM 1.0000
RFQ
ECAD 8070 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
MOC3082SM Fairchild Semiconductor MOC3082SM 0.5000
RFQ
ECAD 844 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc308 Ul 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 601 1.3V 60 Ma 4170vrms 800 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 10 Ma -
HCPL2630SDV Fairchild Semiconductor HCPL2630SDV -
RFQ
ECAD 1493 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL2630 Corriente Continua 2 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 30mera 2500 VRMS 2/0 10kV/µs (TÍP) 75ns, 75ns
FOD2741AV Fairchild Semiconductor Fod2741av -
RFQ
ECAD 5467 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
FOD3184 Fairchild Semiconductor FOD3184 1.0000
RFQ
ECAD 1799 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Acoplamiento óptico Ul 1 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1 2.5a, 2.5a 3A 38ns, 24ns 1.43V 25 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 210ns, 210ns 65ns 15V ~ 30V
4N38SM Fairchild Semiconductor 4N38SM -
RFQ
ECAD 3219 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1.008 100mA - 80V 1.15V 80 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 1V
4N38VM Fairchild Semiconductor 4N38VM 1.0000
RFQ
ECAD 8050 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 100mA - 80V 1.15V 80 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 1V
6N136M Fairchild Semiconductor 6n136m 1.0000
RFQ
ECAD 9793 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 6N136 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 350ns, 300ns -
MCT61 Fairchild Semiconductor MCT61 0.3200
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 2 Transistor 8 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 926 30mera - 30V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA - 2.4 µs, 2.4 µs 400mv
MOC3032SM Fairchild Semiconductor MOC3032SM 0.3700
RFQ
ECAD 9325 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc303 Ul 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 200 1.25V 60 Ma 4170vrms 250 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 10 Ma -
H11AA4VM Fairchild Semiconductor H11AA4VM -
RFQ
ECAD 6597 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) AC, DC 1 Base de transistor 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera - 30V 1.17V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - - 400mv
MOC3042SM Fairchild Semiconductor MOC3042SM -
RFQ
ECAD 8301 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc304 Ul 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 1.25V 60 Ma 4170vrms 400 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 10 Ma -
H11L1SR2M Fairchild Semiconductor H11L1SR2M -
RFQ
ECAD 4153 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 15V 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30mera 4170vrms 1/0 - 4 µs, 4 µs
HCPL0531 Fairchild Semiconductor HCPL0531 2.2000
RFQ
ECAD 268 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar EAR99 8541.49.8000 137 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
FOD4218V Fairchild Semiconductor FOD4218V 1.0000
RFQ
ECAD 4924 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD4218 UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 1.28V 30 Ma 5000 VRMS 800 V 300 mA 500 µA No 10 kV/µs 1.3MA 60 µs
FOD2741BV Fairchild Semiconductor FOD2741BV 0.6500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 502 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
HCPL0600 Fairchild Semiconductor HCPL0600 1.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar EAR99 8541.49.8000 214 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (Max) 50mera 3750vrms 1/0 5kV/µs 75ns, 75ns
MOC3012M Fairchild Semiconductor Moc3012m 0.2800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo Moc301 descascar EAR99 8541.49.8000 1.081
FODM1007 Fairchild Semiconductor FODM1007 -
RFQ
ECAD 8079 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 5.7 µs, 8.5 µs 70V 1.4V 50 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300mv
MOC216R2VM Fairchild Semiconductor MOC216R2VM 0.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar EAR99 8541.49.8000 1.186 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.07V 60 Ma 2500 VRMS 50% @ 1MA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
MOC3012SM Fairchild Semiconductor MOC3012SM 0.2400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc301 Ul 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1.259 1.15V 60 Ma 4170vrms 250 V 100 µA (topos) No - 5 mm -
MOC3041VM Fairchild Semiconductor MOC3041VM -
RFQ
ECAD 9812 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc304 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 100 1.25V 60 Ma 4170vrms 400 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 15 Ma -
FOD3180SV Fairchild Semiconductor FOD3180SV 1.3400
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Acoplamiento óptico Cul, UL, VDE 1 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 224 2a, 2a 2.5a 75ns, 55ns 1.43V 25 Ma 5000 VRMS 15kV/µs 200ns, 200ns 65ns 10V ~ 20V
CNY174SR2VM Fairchild Semiconductor CNY174SR2VM -
RFQ
ECAD 1027 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
FOD814300W Fairchild Semiconductor FOD814300W -
RFQ
ECAD 8857 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 974 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 MV
6N138SDM Fairchild Semiconductor 6N138SDM 0.6800
RFQ
ECAD 7654 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota 6N138 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 60mera - 7V 1.3V 20 Ma 5000 VRMS 300% @ 1.6MA - 1 µs, 7.3 µs -
4N28TVM Fairchild Semiconductor 4N28TVM -
RFQ
ECAD 9517 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 791 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
FOD4118SD Fairchild Semiconductor Fod4118sd -
RFQ
ECAD 1386 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota FOD4118 CSA, UL 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 99 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 800 V 500 µA Si 10 kV/µs 1.3MA 60 µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock