SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP385(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4GB-TR, E 0.5600
RFQ
ECAD 8208 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP733F(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F (D4-C174, F) -
RFQ
ECAD 4345 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP733 - 1 (ilimitado) 264-TLP733F (D4-C174F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2451(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2451 (f) -
RFQ
ECAD 9513 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP2451 - 1 (ilimitado) 264-TLP2451 (f) EAR99 8541.49.8000 100
TLP2368(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2368 (TPR, E 0.6028
RFQ
ECAD 2105 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2368 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2368 (TPRE EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma 20mbd 30ns, 30ns 1.55V 25 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP719(D4FA-TPS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719 (D4FA-TPS, F) -
RFQ
ECAD 7188 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor Ala de Gaviota de 6 SDIP - 264-TLP719 (D4FA-TPSF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP550(HITACHI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Hitachi, F) -
RFQ
ECAD 9304 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550 (Hitachif) EAR99 8541.49.8000 50
TLP750(D4-O-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-O-TP4, F) -
RFQ
ECAD 1204 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (ilimitado) 264-TLP750 (D4-O-TP4F) EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP700A(S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A (S) -
RFQ
ECAD 8457 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP700 - 1 (ilimitado) 264-TLP700A (S) EAR99 8541.49.8000 100
TLP2768F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F (D4-TP, F) -
RFQ
ECAD 4795 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP2768 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 2.7V ~ 5.5V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP2768F (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 20mbd 30ns, 30ns 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP5752H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H (LF4, E 1.9500
RFQ
ECAD 5896 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5752 Acoplamiento óptico CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 2.5a, 2.5a 2.5a 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP781F(BLL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (BLL-LF7, F) -
RFQ
ECAD 3705 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (BLL-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP626-4(HITOMK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626-4 (Hitomk, F) -
RFQ
ECAD 8644 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP626 AC, DC 4 Transistor 16 Dipp descascar 264-TLP626-4 (hitomkf) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP121(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GR-TPL, F) -
RFQ
ECAD 2963 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP121 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP121 (GR-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP785(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4, F -
RFQ
ECAD 7573 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785 (D4F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP734(D4GRHT5,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (D4GRHT5, M, F -
RFQ
ECAD 2332 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimitado) 264-TLP734 (D4GRHT5MF EAR99 8541.49.8000 50
TLP9114B(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (HNE-TL, F) -
RFQ
ECAD 9858 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - EAR99 8541.49.8000 1
TLP185(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB-TPR, SE 0.6000
RFQ
ECAD 2461 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP290(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (GB, SE 0.5100
RFQ
ECAD 2539 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP290 AC, DC 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 175 50mera 4 µs, 7 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 400% @ 5MA 7 µs, 7 µs 300mv
TLP627-2(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2 (TP1, F) -
RFQ
ECAD 4395 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP627 - 1 (ilimitado) 264-TLP627-2 (TP1F) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP360JF(D4-CANO) Toshiba Semiconductor and Storage TLP360JF (D4-Cano) -
RFQ
ECAD 8119 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 4 Dipp descascar 264-TLP360JF (D4-Cano) EAR99 8541.49.8000 1 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 600 V 100 mA 1mera No 500V/µs (topos) 10 Ma 30 µs
TLP632(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (GB-LF2, F) -
RFQ
ECAD 1145 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP632 - 1 (ilimitado) 264-TLP632 (GB-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP121(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (y, f) -
RFQ
ECAD 5341 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP121 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP121 (YF) EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2391(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2391 (E 1.3000
RFQ
ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2391 AC, DC 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 10 Ma 10mbd 3ns, 3ns 1.55V 10 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 100ns, 100ns
TLP700F(D4FNC-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP700F (D4FNC-TP, F -
RFQ
ECAD 6090 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP700 Acoplamiento óptico TUV, TU 1 Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP700F (D4FNC-TPF EAR99 8541.49.8000 1 - 2a - - 5000 VRMS 15kV/µs 500ns, 500ns - 15V ~ 30V
TLP2270(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270 (D4-LF4, E 3.0900
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) TLP2270 AC, DC 2 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 8-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 75 10 Ma 20mbd 1.3ns, 1ns 1.5V 8 MA 5000 VRMS 2/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP385(D4BLLTL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (d4blltl, e 0.5500
RFQ
ECAD 7135 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP182(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (GR, E 0.5700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP182 (Gre EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP748J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP748J (f) 1.8600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP748 BSI, SEMKO, UR 1 SCR 6 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50 Ma 4000 VRMS 600 V 150 Ma 1mera No 5V/µs 10 Ma 15 µs
TLP701H(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701H (TP, F) 0.5373
RFQ
ECAD 4868 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP701 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 10V ~ 30V 6-sdip descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP701H (TPF) EAR99 8541.49.8000 1.500 600 mA - 50ns, 50ns 1.57V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 700ns, 700ns
TLP184(BL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (BL-TPL, SE 0.5100
RFQ
ECAD 6089 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock