SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max)
TLP9121A(BYDGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (BYDGBTL, F -
RFQ
ECAD 4024 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9121A (BYDGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP700AF(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700AF (f) -
RFQ
ECAD 3214 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP700 Acoplamiento óptico CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP700AF (f) EAR99 8541.49.8000 1 2a, 2a 2.5a 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 20kV/µs 200ns, 200ns 50ns 15V ~ 30V
TLP716(D4-MBS-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP716 (D4-MBS-TP, F -
RFQ
ECAD 8296 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP716 (D4-MBS-TPF EAR99 8541.49.8000 1 10 Ma 15mbd 15ns, 15ns 1.65V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
TLP550(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Y, F) -
RFQ
ECAD 7449 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550 (YF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP352(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352 (TP1, F) 1.9900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP352 Acoplamiento óptico CSA, CUL, UL 1 8-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 2a, 2a 2.5a 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 3750vrms 20kV/µs 200ns, 200ns 50ns 15V ~ 30V
TLP785F(BL-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (BL-TP7, F -
RFQ
ECAD 8055 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (BL-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP732(GRH-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GRH-LF2, F) -
RFQ
ECAD 2242 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimitado) 264-TLP732 (GRH-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP350(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350 (TP1, F) -
RFQ
ECAD 8024 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP350 Acoplamiento óptico Tu 1 8-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 2a, 2a 2.5a 15ns, 8ns 1.6V 20 Ma 3750vrms 15kV/µs 500ns, 500ns - 15V ~ 30V
TLP5754(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754 (E 2.7900
RFQ
ECAD 9858 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5754 Acoplamiento óptico CQC, CSA, CUL, UL 1 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 3a, 3a 4A 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP5754(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754 (D4, E 2.9100
RFQ
ECAD 4989 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5754 Acoplamiento óptico CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 3a, 3a 4A 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP705(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705 (D4-TP, F) -
RFQ
ECAD 3476 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP705 Acoplamiento óptico CSA, CUR, UR, VDE 1 Ala de Gaviota de 6 SDIP - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP705 (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1.500 300 mA, 300 mA 450 mm - 1.6V 20 Ma 5000 VRMS 10 kV/µs 200ns, 200ns - 10V ~ 20V
TLP151A(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP151A (E) 1.5900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP151 Acoplamiento óptico Cul, UL 1 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 400 Ma, 400 Ma 600mA 50ns, 50ns 1.55V 25 Ma 3750vrms 20kV/µs 500ns, 500ns 350ns 10V ~ 30V
TLP715F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715F (D4, F) -
RFQ
ECAD 8953 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP715F (D4F) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.6V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLP759(IGM,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (IGM, J, F) -
RFQ
ECAD 9198 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (IGMJF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 25% @ 10mA 75% @ 10mA - -
TLP718F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F (D4, F) -
RFQ
ECAD 2847 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP718F (D4F) EAR99 8541.49.8000 1 5Mbps - - - 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLP759(D4-MBS,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-MBS, J, F) -
RFQ
ECAD 1349 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (D4-MBSJF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP759F(D4-LF4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4-LF4, J, F -
RFQ
ECAD 6069 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar 264-TLP759F (D4-LF4JF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP781F(BL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (BL-LF7, F) -
RFQ
ECAD 6707 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (BL-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781F(D4-BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-BL, F) -
RFQ
ECAD 5474 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4-BLF) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781(D4-GR-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-Gr-LF6, F -
RFQ
ECAD 6070 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4-GR-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781F(D4GRH-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRH-F7, F -
RFQ
ECAD 3128 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4GRH-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP785F(GR-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GR-LF7, F -
RFQ
ECAD 3252 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (GR-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781(D4-GB-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GB-TP6, F -
RFQ
ECAD 7972 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4-GB-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP785F(GRH-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GRH-T7, F -
RFQ
ECAD 4567 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (GRH-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP785F(D4-GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-GB, F -
RFQ
ECAD 5988 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (D4-GBF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781F(Y-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (Y-LF7, F) -
RFQ
ECAD 6990 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (Y-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781F(D4-Y-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-Y-TP7, F -
RFQ
ECAD 9935 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4-Y-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781(D4GRL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4GRL-TP6, F -
RFQ
ECAD 4437 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4GRL-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781(GRH-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GRH-TP6, F) -
RFQ
ECAD 7605 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (GRH-TP6F) TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781F(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GRL, F) -
RFQ
ECAD 3814 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (GRLF) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock