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Aisladores (2050)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tipo de Canal | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Poder aislado | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP2370 (E | 1.7900 |  | 5671 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2370 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP2370 (E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 Ma | 20Mbps | 3ns, 2ns | 1.5V | 8 MA | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||||||||
| TLP2768 (TP, F) | - | | 6523 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP2768 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 2.7V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP2768 (TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 20mbd | 30ns, 30ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||||||||
| TLP731 (GB, F) | - | | 2664 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731 (GBF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F (D4-Y, F) | - | | 4224 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| TLP2200 (LF1, F) | - | | 4746 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP2200 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP2200 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP383 (D4-GB, E | - | | 3269 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP383 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP383 (D4-GBETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||
| DCL541B01 (T, E | 6.3000 | | 7575 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | DCL541X01 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Propósito general | DCL541 | Acoplamiento magnético | 4 | 2.25V ~ 5.5V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1.500 | 150Mbps | Unidireccional | 0.9ns, 0.9ns | 5000 VRMS | Si | 3/1 | 100kV/µs | 18.3ns, 18.3ns | 2.8ns | |||||||||||||||||||||||||
| TLP785 (D4-LF6, F | - | | 5826 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (D4-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| TLP785 (LF6, F | - | | 7433 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| TLP532 (BL, F) | - | | 8121 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP532 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP532 (BLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP5751 (D4, E | 2.4300 | | 9678 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5751 | Acoplamiento óptico | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1a, 1a | 1A | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15V ~ 30V | |||||||||||||||||||||||
| TLP785F (D4GHF7, F | - | | 7137 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (D4GHF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| TLP2451 (TP, F) | - | | 8881 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP2451 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP2451 (TPF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP631 (GB-TP1, F) | - | | 7347 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP631 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP631 (GB-TP1F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP383 (D4GB-TL, E | 0.6100 | | 1349 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP383 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||
| TLP785 (GR-TP6, F | 0.1515 | | 7283 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (GR-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F (f) | - | | 6116 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
 | TLP267J (TPL, E | 0.9900 | | 1432 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP267 | CQC, CUR, UR | 1 | Triac | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 200 µA (typ) | No | 500V/µs (topos) | 3mera | 100 µs | |||||||||||||||||||||||
| TLP718F (D4-FA-TP, F | - | | 5186 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP718F (D4-FA-TPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5Mbps | - | - | - | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||||||||
| TLP2958 (D4-MBT1, F) | - | | 1956 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP2958 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 20V | 8 Dipp | descascar | 264-TLP2958 (D4-MBT1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 15ns, 10ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||||||
| TLP628M (GB-TP1, E | 0.9100 | | 4514 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) | TLP628 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 5.5 µs, 10 µs | 350V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 10 µs, 10 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||||
| TLP351 (D4-TP5, Z, F) | - | | 7659 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP351 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP351 (D4-TP5ZF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP785F (Y-TP7, F | - | | 6359 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (Y-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| TLP732 (GR-LF2, F) | - | | 5089 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP732 (GR-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2261 (LF4, E | 3.0200 | | 8964 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) | TLP2261 | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | TLP2261 (LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 75 | 10 Ma | 15mbd | 3ns, 3ns | 1.5V | 10 Ma | 5000 VRMS | 2/0 | 20kV/µs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||||||||||
 | TLP291 (BL-TP, SE | 0.6100 | | 7938 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||
| TLP250F (D4, F) | - | | 6977 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP250F | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP250F (D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F (D4BL-TP7, F | - | | 2536 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4BL-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||
| TLP108 (V4-TPL, F) | - | | 5440 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP108 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 6-mfsop, 5 Plomo | descascar | 264-TLP108 (V4-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||||||
| TLP785F (BLL-T7, F | - | | 7721 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (BLL-T7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv |
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