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Aisladores (2050)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | CMS-Filter-Header-MFR | Serie CMS-Filter-Header | Paquete de Hojas de Filtro CMS | CMS-Filter-Header-Productstatus | CMS-MSL | CMS-ECCN-DETAIL-PAGE | CMS-HTSUS-DETAIL-PAGE | Paquete de Parada de CMS | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo | CMS-Filter-Header-BPN |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP624-4 (f) | - |  | 8129 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP624 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 55V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP759F (D4-IGM, J, F | - | | 6010 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759F (D4-IGMJF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP293-4 (LA-TP, E | 1.6300 | | 3201 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 500 µA | 600% @ 500 µA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2531 (QCPL4531, F | - | | 6037 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP2531 | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP2531 (QCPL4531F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 15V | 1.65V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | 30% @ 16MA | 200ns, 300ns | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP388 (D4GB-TR, E | 0.7800 | | 7489 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP388 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 350V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP570 (LF1, F) | - | | 2392 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP570 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP570 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2955F (TP4, F) | - | | 1035 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP2955 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 20V | 8-SMD | descascar | 264-TLP2955F (TP4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 16ns, 14ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP624LF1F | - | | 3637 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP624 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP352 (f) | 1.9900 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP352 | Acoplamiento óptico | CSA, CUL, UL | 1 | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP352F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2a, 2a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 3750vrms | 20kV/µs | 200ns, 200ns | 50ns | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F (D4DLTGRH, F | - | | 1288 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4DLTGRHF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP759 (TP1, J, F) | - | | 6281 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | TLP759 (TP1JF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8 MA | - | 20V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | 200ns, 300ns | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2309 (TPR, E | 1.2600 | | 6442 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2309 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 MA | - | 20V | 1.55V | 25 Ma | 3750vrms | 15% @ 16MA | - | 1 µs, 1 µs (max) | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP105 (V4-TPL, F) | - | | 2136 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP105 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 6-mfsop, 5 Plomo | descascar | 264-TLP105 (V4-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP373 (f) | - | | 6222 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP373 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP373 (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2348 (V4-TPR, E | 1.1200 | | 7824 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2348 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 30V | 6-so, 5 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 Ma | 10Mbps | 3ns, 3ns | 1.55V | 15 Ma | 3750vrms | 1/0 | 30kV/µs | 120ns, 120ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP290 (SE | 0.5100 | | 5250 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP290 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP705 (TP, F) | - | | 5460 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP705 | Acoplamiento óptico | Tu | 1 | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 300 mA, 300 mA | 450 mm | - | 1.6V | 20 Ma | 5000 VRMS | 10 kV/µs | 170ns, 170ns | - | 10V ~ 20V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2405 (f) | - | | 3997 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TLP2405 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 8-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP2405F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.57V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||||||||||
| TLP700F (D4-TP, F) | - | | 1418 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP700 | Acoplamiento óptico | - | 1 | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP700F (D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 2a | - | - | 5000 VRMS | 15kV/µs | 500ns, 500ns | - | 15V ~ 30V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP265J (V4T7, E | 0.8400 | | 1508 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP265 | CQC, CUR, UR, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP265J (V4T7E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1.27V | 50 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 1 ma (typ) | No | 500V/µs (topos) | 7 MMA | 20 µs | ||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785 (D4-BL, F | - | | 2555 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (D4-Blf | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP383 (d4blltl, e | 0.6000 | | 2511 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP383 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 500 µA | 400% @ 500 µA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP513 (f) | - | | 5066 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP513 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP513 (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2766F (D4MBSTP, F | - | | 6271 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP2766 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP2766F (D4MBSTPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 Ma | 20mbd | 15ns, 15ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 55ns, 55ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2748 (TP, E | 1.1500 | | 3907 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP2748 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 30V | 6-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 Ma | - | 3ns, 3ns | 1.55V | 15 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 30kV/µs | 120ns, 120ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLX9185 (KMGBTL, F (O | - | | 5179 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLX9185 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | - | 264-TLX9185 (KMGBTLF (O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 20% @ 5MA | 600% @ 5MA | 5 µs, 5 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP5772 (D4-TP, E | 0.9772 | | 4079 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5772 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 10V ~ 30V | 6-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP5772 (D4-TPE | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 15ns, 8ns | 1.65V | 8 MA | 5000 VRMS | 1/0 | 35kV/µs | 150ns, 150ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5771H (D4LF4, E | 2.6200 | | 4172 | 0.00000000 | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Acoplamiento Capacitivo | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | descascar | 1a, 1a | 1A | 56ns, 25ns | 1.65V | 8 MA | 5000 VRMS | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10V ~ 30V | TLP5771 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385 (GB-TPR, E | 0.5500 | | 1431 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP9121A (Toyogtl, F | - | | 7371 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9121A (Toyogtlf | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 |
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