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Aisladores (2050)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP168J (U, C, F) | - |  | 2728 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP168 | Tu | 1 | Triac | 6-mfsop, 4 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 1.4V | 20 Ma | 2500 VRMS | 600 V | 70 Ma | 600 µA (topos) | Si | 200V/µs | 3mera | - | |||||||||||||||
 | TLP265J (T7-TPL, E | 0.8200 | | 37 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP265 | CQC, CUR, UR | 1 | Triac | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.27V | 50 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 1 ma (typ) | No | 500V/µs (topos) | 7 MMA | 100 µs (MAX) | |||||||||||||||
 | TLP2116 (TP, F) | - | | 5260 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TLP2116 | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 5.5V | 8-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 10 Ma | 15mbd | 15ns, 15ns | 1.65V | 20 Ma | 2500 VRMS | 2/0 | 10 kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
 | TLP781F (BLL-TP7, F) | - | | 2449 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (BLL-TP7F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | TLP748J (D4, F) | 1.8600 | | 3983 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP748 | BSI, SEMKO, UR, VDE | 1 | SCR | 6 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.15V | 50 Ma | 4000 VRMS | 600 V | 150 Ma | 1mera | No | 5V/µs | 10 Ma | 15 µs | |||||||||||||||
| TLP781F (YH-LF7, F) | - | | 4883 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (YH-LF7F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP187 (V4-TPL, E | - | | 8201 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP187 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-SOP | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP187 (V4-TPLETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||||||
| TLP358 (D4-LF5, F) | - | | 9293 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP358 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 8-SMD | descascar | 264-TLP358 (D4-LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5.5 A | - | 17ns, 17ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 500ns, 500ns | ||||||||||||||||
 | TLP388 (TPR, E | 0.8000 | | 6169 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP388 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 350V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | TLP5702 (D4, E | - | | 7371 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5702 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP5702 (D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 Ma | - | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||
| TLP781F (D4-Gr-FD, F | - | | 6200 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-Gr-FDF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | TLP2200 (TP1, F) | - | | 5811 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP2200 | Corriente Continua | 1 | Tri-estatal | 4.5V ~ 20V | 8-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 Ma | 2.5mbd | 35ns, 20ns | 1.55V | 10 Ma | 2500 VRMS | 1/0 | 1kV/µs | 400ns, 400ns | |||||||||||||||
| TLP5702 (E | 1.4000 | | 100 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5702 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 6-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1 A | - | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||
| TLP385 (Y, E | 0.5500 | | 2132 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP385 (YE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||
| TLP385 (GRL, E | 0.5500 | | 9932 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP385 (Grle | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||
| TLP781 (TP6, F) | - | | 3754 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (TP6F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP759 (D4-LF2, J, F) | - | | 6708 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759 (D4-LF2JF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||||||
 | TLP626 (Fuji, f) | - | | 6112 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 264-TLP626 (Fujif) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | TLP109 (V4, E | 1.3100 | | 135 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP109 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 5 Plomo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8 MA | - | 20V | 1.64V | 20 Ma | 3750vrms | 20% @ 16MA | - | 800ns, 800ns (Max) | - | |||||||||||||||
| TLP385 (D4-Gr, E | 0.5500 | | 4492 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP385 (D4-Gre | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||
| TLP383 (D4YH-TL, E | 0.6000 | | 3131 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP383 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP781F (D4NKODGB7F | - | | 3296 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4NKODGB7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP781F (D4Tee-T7, F | - | | 2010 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4TEE-T7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | TLP504A (f) | - | | 8450 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP504 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | TLP504AF | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP185 (V4GBTL, SE | - | | 3535 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP185 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP185 (V4GBTLSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||
| TLP2361 (V4-TPR, E | 1.0700 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2361 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 Ma | 15mbd | 3ns, 3ns | 1.5V | 10 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||
| TLP120 (GB, F) | - | | 5979 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP120 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP120 (GBF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||
 | TLP290 (GR, SE | 0.5100 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP290 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | TLP290 (Grse | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||
| TLP785F (YH-LF7, F | - | | 6865 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (YH-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP781 (BL-TP6, F) | - | | 3612 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (BL-TP6F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv |
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30,000,000
Unidad de producto estándar
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