SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Calificante Calificante
TLP2761F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F (D4, F) -
RFQ
ECAD 9878 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2761 AC, DC 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-SO - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2761F (D4F) EAR99 8541.49.8000 50 10 Ma 15mbd 3ns, 3ns 1.5V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP291-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4 (GB-TP, E) 1.4600
RFQ
ECAD 4285 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 2500 VRMS 100% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781F(D4-GR-FD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-Gr-FD, F -
RFQ
ECAD 6200 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4-Gr-FDF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP388(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (TPR, E 0.8000
RFQ
ECAD 6169 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP388 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2200(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200 (TP1, F) -
RFQ
ECAD 5811 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP2200 Corriente Continua 1 Tri-estatal 4.5V ~ 20V 8-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 25 Ma 2.5mbd 35ns, 20ns 1.55V 10 Ma 2500 VRMS 1/0 1kV/µs 400ns, 400ns
TLP121(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (TPL, F) -
RFQ
ECAD 9597 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP121 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP121 (TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP358(D4-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358 (D4-LF5, F) -
RFQ
ECAD 9293 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP358 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 8-SMD descascar 264-TLP358 (D4-LF5F) EAR99 8541.49.8000 1 5.5 A - 17ns, 17ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 500ns, 500ns
TLP187(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187 (V4-TPL, E -
RFQ
ECAD 8201 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP187 Corriente Continua 1 Darlington 6-SOP - 1 (ilimitado) 264-TLP187 (V4-TPLETR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.25V 50 Ma 3750vrms 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP5702(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (E 1.4000
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5702 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 1 A - 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
TLP626(FUJI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (Fuji, f) -
RFQ
ECAD 6112 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar 264-TLP626 (Fujif) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP5702(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (D4, E -
RFQ
ECAD 7371 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5702 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar 1 (ilimitado) 264-TLP5702 (D4E EAR99 8541.49.8000 125 50 Ma - 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
TLP781F(D4NKODGB7F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4NKODGB7F -
RFQ
ECAD 3296 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4NKODGB7F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP385(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (Y, E 0.5500
RFQ
ECAD 2132 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (YE EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP109(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (V4, E 1.3100
RFQ
ECAD 135 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP109 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 8 MA - 20V 1.64V 20 Ma 3750vrms 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP385(GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GRL, E 0.5500
RFQ
ECAD 9932 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (Grle EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP185(GRL-TR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GRL-TR, SE -
RFQ
ECAD 5268 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP185 (GRL-TRSE EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP781(BL-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (BL-TP6, F) -
RFQ
ECAD 3612 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (BL-TP6F) TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP785F(YH-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (YH-LF7, F -
RFQ
ECAD 6865 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (YH-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2361(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361 (V4-TPR, E 1.0700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2361 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 Ma 15mbd 3ns, 3ns 1.5V 10 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP290(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (GR, SE 0.5100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP290 AC, DC 1 Transistor 4-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) TLP290 (Grse EAR99 8541.49.8000 175 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP120(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GB, F) -
RFQ
ECAD 5979 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP120 AC, DC 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP120 (GBF) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP624F Toshiba Semiconductor and Storage TLP624F -
RFQ
ECAD 9727 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP624 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP160G(TEE-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (TEE-TPL, F) -
RFQ
ECAD 8847 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP160 - 1 (ilimitado) 264-TLP160G (Tee-TPLF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP632(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (f) -
RFQ
ECAD 9713 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP632 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP632F EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLX9185A(GBTPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185A (GBTPL, F 3.1500
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLX9185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.27V 30 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 5 µs, 5 µs 400mv Automotor AEC-Q101
TLP701AF(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701AF (TP, F) -
RFQ
ECAD 9577 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP701 Acoplamiento óptico CSA, CUL, UL, VDE 1 Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP701AF (TPF) EAR99 8541.49.8000 1 600 Ma, 600 Ma 600mA 50ns, 50ns 1.57V 25 Ma 5000 VRMS 20kV/µs 500ns, 500ns 350ns 10V ~ 30V
TLP383(D4YH-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (D4YH-TL, E 0.6000
RFQ
ECAD 3131 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP383 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP385(D4-GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-Gr, E 0.5500
RFQ
ECAD 4492 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (D4-Gre EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP504A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A (f) -
RFQ
ECAD 8450 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP504 Corriente Continua 2 Transistor 8 Dipp descascar 1 (ilimitado) TLP504AF EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (TP6, F) -
RFQ
ECAD 3754 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (TP6F) TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock