SIC
close

Aisladores (2050)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP292(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292 (BL-TPL, E 0.5600
RFQ
 ECAD 307 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP785(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (BL, F) 0.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP385(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (TPR, E 0.5500
RFQ
 ECAD 2461 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP350H(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350H (F) 1.9900
RFQ
 ECAD 7118 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP350 Acoplamiento óptico 1 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 3 Ma, 3 Ma 2.5a 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 3750vrms 20kV/µs 500ns, 500ns 350ns 15V ~ 30V
TLP626(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 1950 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP626 AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP5832(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832 (E 2.8300
RFQ
 ECAD 4832 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 8-SO descascar 1 (ilimitado) 264-TLP5832 (E EAR99 8541.49.8000 75 - 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
TLP5774(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774 (TP, E 2.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5774 Acoplamiento óptico CQC, CUR, UR, VDE 1 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 3a, 3a 4A 15ns, 8ns 1.65V 8 MA 5000 VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 10V ~ 30V
TLP385(D4YH-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4YH-TL, E 0.5600
RFQ
 ECAD 6568 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP781F(D4GRL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRL-F7, F -
RFQ
 ECAD 7446 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4GRL-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781F(GRH-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GRH-TP7, F) -
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (GRH-TP7F) TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP109(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (E 1.2800
RFQ
 ECAD 9923 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP109 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 5A991 8541.49.8000 125 8 MA - 20V 1.64V 20 Ma 3750vrms 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP9114B(TOJS-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (TOJS-TL, F -
RFQ
 ECAD 1713 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9114B (TOJS-TLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP759(D4YSK1T1J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (d4ysk1t1j, f -
RFQ
 ECAD 1393 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (d4ysk1t1jf EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP127(V4-TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (V4-TPR, U, F) -
RFQ
 ECAD 1254 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (V4-TPRUF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP3902(TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3902 (TPR, U, F) 1.0712
RFQ
 ECAD 9472 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP3902 Corriente Continua 1 Fotovoltaico 6-mfsop, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 3 (168 Horas) 5A991 8541.49.8000 3.000 5 µA - 7V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS - - 600 µs, 2 ms -
TLP266J(V4T7,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (V4T7, E 0.9200
RFQ
 ECAD 6891 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TLP Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP266 1 Triac 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP266J (V4T7E EAR99 8541.49.8000 125 1.27V 30 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 600 µA (topos) Si 200V/µs 10 Ma 30 µs
TLP628M(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB, E 0.9100
RFQ
 ECAD 5715 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP628 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 5.5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 10 µs, 10 µs 400mv
TLP250HF(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF (D4, F) -
RFQ
 ECAD 5407 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP250 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 10V ~ 30V 8 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP250HF (D4F) EAR99 8541.49.8000 50 2 A - 50ns, 50ns 1.57V 5 mm 3750vrms 1/0 40kV/µs 500ns, 500ns
TLP5752(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752 (D4-TP4, E 2.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5752 Acoplamiento óptico CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 2.5a, 2.5a 2.5a 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP512(NEMIC,TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (NEMIC, TP1, F -
RFQ
 ECAD 9630 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP512 - 1 (ilimitado) 264-TLP512 (NEMICTP1FTR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP121(GR-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GR-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 6997 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP121 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP121 (GR-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2962(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2962 (TP1, F) 1.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP2962 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 2.7V ~ 5.5V 8-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 50 Ma 15mbd 3ns, 12ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 75ns, 75ns
TLP291-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4 (GB-TP, E) 1.4600
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 2500 VRMS 100% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP291(GR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GR, E) -
RFQ
 ECAD 7147 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 175 50mera 4 µs, 7 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 7 µs, 7 µs 300mv
TLP3905(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3905 (TPL, E 1.8500
RFQ
 ECAD 9912 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP3905 Corriente Continua 1 Fotovoltaico 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 30 µA (typ) - 7V 1.65V 30 Ma 3750vrms - - 300 µs, 1 m -
TLP719(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719 (f) -
RFQ
 ECAD 1578 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP719 Corriente Continua 1 Transistor Ala de Gaviota de 6 SDIP - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 5A991G 8541.49.8000 100 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP388(GB-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (GB-TPR, E 0.8000
RFQ
 ECAD 8526 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP388 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP701(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701 (f) -
RFQ
 ECAD 5580 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP701 Acoplamiento óptico Cul, UL 1 Ala de Gaviota de 6 SDIP - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 5A991G 8541.49.8000 100 400 Ma, 400 Ma 600mA 50ns, 50ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 10 kV/µs 700ns, 700ns - 10V ~ 30V
TLP701HF(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701HF (f) -
RFQ
 ECAD 9730 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Acoplamiento óptico CSA, CUL, UL, VDE 2 6-sdip descascar 264-TLP701HF (f) 1 400 Ma, 400 Ma 200 MMA 50ns, 50ns 1.57V 25 Ma 5000 VRMS 20kV/µs 700ns, 700ns 500ns 10V ~ 30V
TLP385(D4-BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-BL, E 0.5500
RFQ
 ECAD 8372 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (d4-ble EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar