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Aisladores (2050)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP781 (GB-LF6, F) | - |  | 8264 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 5A991G | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP184 (GB, SE | 0.5100 | | 2065 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP358F (f) | - | | 6058 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP358 | Acoplamiento óptico | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 8 Dipp | descascar | 264-TLP358F (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5a, 5a | 6A | 17ns, 17ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 20kV/µs | 500ns, 500ns | 250ns | 15V ~ 30V | |||||||||||||||||||||
 | TLP2704 (D4-TP, E | 1.4600 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP2704 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | 6-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 15 Ma | - | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 400ns, 550ns | ||||||||||||||||||||
| TLP590B (OMT-LF1C, F | - | | 6279 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gull, 5 cables | TLP590 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | Ala de Gaviota de 6 Dipas | descascar | 264-TLP590B (OMT-LF1CF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 12 µA | - | 7V | 1.4V | 50 Ma | 2500 VRMS | - | - | 200 µs, 1 ms | - | |||||||||||||||||||||
 | TLP290 (GR-TP, E) | - | | 3608 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP290 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 4 µs, 7 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 7 µs, 7 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP2358 (TPR, E) | 1.0200 | | 2139 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2358 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 20V | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 Ma | - | 15ns, 12ns | 1.55V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||
| TLP9104A (FD-TL, F) | - | | 2021 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9104A (FD-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2761 (D4-TP4, E | - | | 1286 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP2761 | AC, DC | 1 | 2.7V ~ 5.5V | 6-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP2761 (D4-TP4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 Ma | 15mbd | 3ns, 3ns | 1.5V | 10 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||||||||
 | 6N138 (TP1, F) | - | | 1363 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | 6N138 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 60mera | - | 18V | 1.65V | 20 Ma | 2500 VRMS | 300% @ 1.6MA | - | 1 µs, 4 µs | - | ||||||||||||||||||||
 | 4N38A (Corto, F) | - | | 9550 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 4n38 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 4N38A (Shortf) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | - | 80V | 1.15V | 80 Ma | 2500 VRMS | 10% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 1v | |||||||||||||||||||
| TLP9114B (NIS-TL, F) | - | | 5447 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9114B (NIS-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP385 (GRH, E | 0.5500 | | 2485 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP385 (Grhe | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||
| TLP291 (GB, SE | 0.6100 | | 8740 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP732 (D4-NEMIC, F) | - | | 5116 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP732 (D4-NEMICF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP719 (f) | - | | 1578 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP719 | Corriente Continua | 1 | Transistor | Ala de Gaviota de 6 SDIP | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 5A991G | 8541.49.8000 | 100 | 8 MA | - | 20V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | 800ns, 800ns (Max) | - | ||||||||||||||||||||
| TLP718 (f) | - | | 2742 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP718 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 5A991 | 8541.49.8000 | 100 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.6V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||
| TLP385 (GRL-TPL, E | 0.5400 | | 3612 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP185 (SE | 0.6100 | | 6126 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP185 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP188 (TPL, E | 0.8300 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP188 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 350V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
| TLP190B (Advtpluc, F | - | | 3675 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | 264-TLP190B (ADVTPLUCF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 8V | 1.4V | 50 Ma | 2500 VRMS | - | - | 200 µs, 1 ms | - | ||||||||||||||||||||||
| TLP548J (TP1, F) | 1.0100 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP548 | Tu | 1 | SCR | 6 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 600 V | 150 Ma | 1mera | No | 5V/µs | 7 MMA | 10 µs | ||||||||||||||||||||
 | TLP5212 (D4, E | 5.4900 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5212 | Acoplamiento óptico | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 16-SO | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2a, 2a | 2.5a | 57ns, 56ns | 1.67V | 25 Ma | 5000 VRMS | 25kV/µs | 250ns, 250ns | 50ns | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||||
| TLP385 (GRL-TPR, E | 0.5600 | | 4446 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | 6N138F | - | | 4239 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 6N138 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 60mera | - | 18V | 1.65V | 20 Ma | 2500 VRMS | 300% @ 1.6MA | - | 1 µs, 4 µs | - | |||||||||||||||||||||
| TLP5771H (TP, E | 2.4500 | | 5134 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5771 | Acoplamiento Capacitivo | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1a, 1a | 1A | 56ns, 25ns | 1.65V | 8 MA | 5000 VRMS | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10V ~ 30V | |||||||||||||||||||||
| 4N35 (Corto, F) | - | | 2000 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 4n35 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | - | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 40% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP293-4 (LGBTP, E | 1.6400 | | 8910 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 500 µA | 600% @ 500 µA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP268J (TPL, E | 0.9900 | | 2880 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP268 | CQC, CUR, UR | 1 | Triac | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 200 µA (typ) | Si | 500V/µs (topos) | 3mera | 100 µs | ||||||||||||||||||||
| TLP2719 (D4-TP, E | 1.7200 | | 773 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP2719 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 20V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8 MA | 1mbd | - | 1.6V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 800ns, 800ns |
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