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Aisladores (2050)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP719F(D4FNC-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F (D4FNC-TP, F -
RFQ
 ECAD 9609 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor Ala de Gaviota de 6 SDIP - 264-TLP719F (D4FNC-TPF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP5754(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754 (D4-TP4, E 2.9200
RFQ
 ECAD 738 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5754 Acoplamiento óptico CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 3a, 3a 4A 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP781(TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (Tels, F) -
RFQ
 ECAD 4761 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (Telsf) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP5751(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751 (D4-TP4, E 2.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5751 Acoplamiento óptico CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 1a, 1a 1A 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP620-2(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (D4-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 9789 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP620 AC, DC 2 Transistor 8 Dipp descascar 264-TLP620-2 (D4-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP267J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J (TPR, E 1.0100
RFQ
 ECAD 786 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP267 CQC, CUR, UR 1 Triac 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1.27V 30 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 200 µA (typ) No 500V/µs (topos) 3mera 100 µs
TLP754(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP754 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 30V 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable TLP754 (TP1F) EAR99 8541.49.8000 1.500 15 Ma - - 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 400ns, 550ns
TLP628-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP628-2 (f) -
RFQ
 ECAD 5515 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP628 - 1 (ilimitado) 264-TLP628-2 (f) EAR99 8541.49.8000 50
TLP185(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (e) -
RFQ
 ECAD 8142 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 50mera 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 400% @ 5MA 9 µs, 9 µs 300mv
TLP387(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387 (TPL, E 0.8700
RFQ
 ECAD 6400 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP387 Corriente Continua 1 Darlington 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1v
TLP292-4(V4LATPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4LATPE 1.7900
RFQ
 ECAD 8491 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP109(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (V4-TPL, E 1.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP109 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA - 20V 1.64V 20 Ma 3750vrms 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP292-4(V4LATRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (v4latre 1.7600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP185(YH-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (YH-TPL, SE 0.4500
RFQ
 ECAD 2619 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP104(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP104 (e) 1.5100
RFQ
 ECAD 9716 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP104 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 30V 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 8 MA 1Mbps - 1.61V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
TLP2767(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2767 (TP, E 2.5900
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2767 Corriente Continua 1 Empuje 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 10 Ma 50mbd 2ns, 1NS 1.6V 15 Ma 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 20ns, 20ns
TLP293-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (GBTPR, E 1.2300
RFQ
 ECAD 4227 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP371(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 2803 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota TLP371 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP626(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (f) -
RFQ
 ECAD 6179 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP2631TP1F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631TP1F -
RFQ
 ECAD 5085 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP2631 Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 16 Ma 10mbd 30ns, 30ns 1.65V 20 Ma 2500 VRMS 2/0 1kV/µs 75ns, 75ns
TLP124(BV-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (BV-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 9071 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP124 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 8 µs, 8 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 200% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP160J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (TPR, U, C, F) -
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP160J Tu 1 Triac 6-mfsop, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 600 V 70 Ma 1 ma (typ) No 500V/µs 10 Ma 30 µs
TLP759(MBJ-IGM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (MBJ-IGM, J, F -
RFQ
 ECAD 5035 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (MBJ-IGMJF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP209D(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP209D (TP, F) 2.9000
RFQ
 ECAD 8964 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Activo TLP209 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 5A991G 8541.49.8000 2.500
TLP2451A(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2451A (TP, F) -
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TLP2451 Acoplamiento óptico CSA, CUL, UL 1 8-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 400 Ma, 400 Ma 600mA 50ns, 50ns 1.55V 25 Ma 3750vrms 20kV/µs 500ns, 500ns 350ns 10V ~ 30V
TLP372(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP372 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 9841 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP372 - 1 (ilimitado) 264-TLP372 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP160G(TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (TPR, U, F) -
RFQ
 ECAD 7480 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP160G Tu 1 Triac 6-mfsop, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 400 V 70 Ma 600 µA (topos) No 200V/µs 10 Ma 30 µs
TLP2530(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530 (f) 1.7600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP2530 Corriente Continua 2 Transistor 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 - - 15V 1.65V 25 Ma 2500 VRMS 7% @ 16MA - 300ns, 500ns -
TLP293(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (E 0.5100
RFQ
 ECAD 3658 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP293 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 175 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
4N32(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N32 (Corto, F) -
RFQ
 ECAD 4608 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4N32 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 80 Ma 2500 VRMS 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

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