SIC
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Aisladores (24)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Tipo de entrada Número de Canales Tipo de Salida Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max)
TPC816MC C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816MC C9G -
RFQ
 ECAD 4841 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC816 Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
TPC817S1C RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC817S1C RAG -
RFQ
 ECAD 3578 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC817 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
TPC816S1D RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC816S1D RAG -
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC816 Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
TPC816MD C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816MD C9G -
RFQ
 ECAD 2137 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC816 Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
TPC816MB C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816MB C9G -
RFQ
 ECAD 4667 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC816 Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
TPC817MA C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817MA C9G -
RFQ
 ECAD 6523 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC817 Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
TPC817MC C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817MC C9G -
RFQ
 ECAD 1887 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC817 Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
TPC817S1D RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC817S1D RAG -
RFQ
 ECAD 3903 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC817 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
TPC816C C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816C C9G -
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC816 Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
TPC816MA C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816MA C9G -
RFQ
 ECAD 4294 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC816 Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
TPC816B C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816B C9G -
RFQ
 ECAD 7307 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC816 Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
TPC817B C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817B C9G -
RFQ
 ECAD 1680 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC817 Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
TPC817C C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817C C9G -
RFQ
 ECAD 6081 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC817 Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
TPC817S1B RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC817S1B RAG -
RFQ
 ECAD 9796 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC817 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
TPC816S1A RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC816S1A TRAPO -
RFQ
 ECAD 8623 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC816 Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
TPC817D C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817D C9G -
RFQ
 ECAD 9291 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC817 Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
TPC817S1A RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC817S1A TRAPO -
RFQ
 ECAD 8455 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC817 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
TPC816S1B RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC816S1B RAG -
RFQ
 ECAD 5692 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC816 Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
TPC817MB C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817MB C9G -
RFQ
 ECAD 7125 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC817 Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
TPC816D C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816D C9G 0.3900
RFQ
 ECAD 252 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC816 Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
TPC817MD C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817MD C9G -
RFQ
 ECAD 6686 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC817 Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
TPC816A C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816A C9G 0.3900
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC816 Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
TPC817A C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817A C9G -
RFQ
 ECAD 3336 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC817 Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
TPC816S1C RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC816S1C RAG -
RFQ
 ECAD 2586 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán TPC816 Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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