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Aisladores (2080)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VO615C-2X019T | 0.2627 |  | 7210 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 751-VO615C-2X019TTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.35V | 60 Ma | 5300 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 6 µs, 4 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | IL5 | - | | 8439 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IL5 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 7 µs, 20 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 50% @ 10mA | 400% @ 10mA | 2.6 µs, 7.2 µs | 250mv (typ) | |||||||||||||||
 | VO0630T | 3.2800 | | 130 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | VO0630 | Corriente Continua | 2 | Desagüe | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50 Ma | 10mbd | 23ns, 7ns | 1.4V | 15 Ma | 4000 VRMS | 2/0 | 1kV/µs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||
 | VO615A-8 | 0.4400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | VO615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.43V | 60 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | 6 µs, 5 µs | 300mv | ||||||||||||||||
 | H11AA1 | 1.3300 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11 | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 30V | 1.2V | 60 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||||||||||
 | CNY117-3X016 | 0.2798 | | 9227 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | CNY117 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.39V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | SFH6712 | - | | 1685 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | SFH6712 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 15V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 25 Ma | 5mbd | 40ns, 10ns | 1.6V | 10 Ma | 5300 VRMS | 1/0 | 2.5kV/µs | 300ns, 300ns | |||||||||||||||
 | SFH6156-2T | 0.6400 | | 347 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SFH6156 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| SFH619A | 1.2500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | SFH619 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 125 Ma | 3.5 µs, 14.5 µs | 300V | 1.2V | 60 Ma | 5300 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 4.5 µs, 29 µs | 1.2V | |||||||||||||||
 | ILQ66-2 | - | | 4197 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ILQ66 | Corriente Continua | 4 | Darlington | 16 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 200 µs, 200 µs (Max) | 60V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 300% @ 2mA | - | - | 1v | |||||||||||||||
 | VOM618A-8X001T | 0.6100 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Vom618 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 5 µs, 4 µs | 80V | 1.1V | 60 Ma | 3750vrms | 130% @ 1MA | 260% @ 1MA | 7 µs, 6 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| MOC8104 | 1.4200 | | 54 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | MOC81 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 30V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 160% @ 10mA | 256% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | IL410-X006 | - | | 4020 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IL410 | CSA, Ur | 1 | Triac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.16V | 60 Ma | 5300 VRMS | 600 V | 300 mA | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 2mera | 35 µs | |||||||||||||||||
 | IL755-2 | 2.2500 | | 738 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IL755 | AC, DC | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | 70 µs, 70 µs | 60V | 1.2V | 60 Ma | 5300 VRMS | 1000% @ 1MA | - | - | 1v | ||||||||||||||||
| SFH6206-2 | 0.9400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SFH6206 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2266-SFH6206-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 63% @ 10mA | 200% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | ||||||||||||||
 | CNY17-2x017 | 0.2509 | | 7318 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | CNY17 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.39V | 60 Ma | 5000 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | TCLT1107 | 0.7300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho), 5 cables | TCLT1107 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SOP, 5 pinos | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | 6 µs, 5 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | VO615A-2X016 | 0.4400 | | 7194 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | VO615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.43V | 60 Ma | 5000 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 6 µs, 5 µs | 300mv | ||||||||||||||||
 | SFH6701-X009T | - | | 8748 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | SFH6701 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 15V | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 25 Ma | 5mbd | 40ns, 10ns | 1.6V | 10 Ma | 5300 VRMS | 1/0 | 1kV/µs | 300ns, 300ns | |||||||||||||||
 | CNY117F-1x017T | 0.3257 | | 4747 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | CNY117 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.39V | 60 Ma | 5000 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| SFH6156-3X001T | 0.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SFH6156 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| CNY117F-3 | 0.2826 | | 5567 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CNY117 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.39V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| VOT8024AD-V | 1.3000 | | 5282 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | VOT8024 | CQC, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 800 V | 100 mA | 400 µA (topos) | Si | 1kV/µs | 5 mm | - | ||||||||||||||||
| VO4157H | - | | 5800 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | VO4157 | cur, fimko, ur | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.2V | 60 Ma | 5300 VRMS | 700 V | 300 mA | 500 µA | Si | 5kV/µs | 2mera | - | ||||||||||||||||
| ILD766-1 | - | | 6104 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ILD766 | AC, DC | 2 | Darlington | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | 100 µs, 100 µs | 60V | 1.2V | 60 Ma | 5300 VRMS | 500% @ 2mA | - | - | 1v | |||||||||||||||
| VO2631 | 3.2700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | VO2631 | Corriente Continua | 2 | Desagüe | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 10mbd | 23ns, 7ns | 1.42V | 15 Ma | 5300 VRMS | 2/0 | 5kV/µs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||
 | SFH620A-3x016 | 1.1200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | SFH620 | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 320% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
| Cny65bexi | 3.1508 | | 9911 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CNY65 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.050 | 50mera | 2.4 µs, 2.4 µs | 32V | 1.25V | 75 Ma | 8200 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 5 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| IL300-EF-X001 | - | | 1662 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IL300 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico, Linealizado | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 70 µA (typ) | 1 µs, 1 µs | 500mv | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | - | - | - | - | ||||||||||||||||
| IL4116-X009T | - | | 6831 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD | IL4116 | BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.3V | 60 Ma | 5300 VRMS | 600 V | 300 mA | 200 µA | Si | 10 kV/µs | 1.3MA | 35 µs |
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