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Memoria: Módulos (4191)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Paquete / Estuche | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | Tasa de Transferencia (MB/S, MT/S, MHZ) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTA18ASF1G72PDZ-2G6F1 | - |  | 5831 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 288-RDIMM | - | 3 (168 Horas) | 557-MTA18ASF1G72PDZ-2G6F1 | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | Ddr4 sdram | 8GB | 2666 | |||
| MTA9ASF1G72PZ-2G9J3 | - | | 9184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Ddr4 sdram | Banda | Obsoleto | 288-RDIMM | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | Ddr4 sdram | 8GB | 2933 | |||
| 96D4I-16G3200R-AT1 | 266.8500 | | 8551 | 0.00000000 | Advantech Corp | * | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1588-96D4I-16G3200R-AT1 | EAR99 | 8473.30.1140 | 1 | ||||||
| MTA8ATF2G64AZ-3G2B1 | - | | 4269 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Ddr4 sdram | Banda | Obsoleto | 288-udimm | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MTA8ATF2G64AZ-3G2B1 | Obsoleto | 100 | Ddr4 sdram | 16 GB | 3200 | |||
| MTA36ASF4G72PZ-3G2R1 | 185.2500 | | 8548 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Ddr4 sdram | Banda | Activo | 288-RDIMM | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MTA36ASF4G72PZ-3G2R1 | 100 | Ddr4 sdram | 32GB | 3200 | |||
| MTA9ASF1G72PZ-3G2J4 | - | | 7021 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Ddr4 sdram | Banda | Obsoleto | 288-RDIMM | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MTA9ASF1G72PZ-3G2J4 | Obsoleto | 100 | Ddr4 sdram | 8GB | 3200 | |||
| MTA36ASF4G72PZ-2G9J3 | - | | 8185 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Ddr4 sdram | Banda | Obsoleto | 288-RDIMM | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MTA36ASF4G72PZ-2G9J3 | Obsoleto | 100 | Ddr4 sdram | 32GB | 2933 | |||
| MTA18ASF2G72PZ-2G9J3 | - | | 4242 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Ddr4 sdram | Banda | Obsoleto | 288-RDIMM | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MTA18ASF2G72PZ-2G9J3 | Obsoleto | 100 | Ddr4 sdram | 16 GB | 2933 | |||
| MTA18ASF2G72PZ-3G2J4 | - | | 5098 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Ddr4 sdram | Banda | Obsoleto | 288-RDIMM | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MTA18ASF2G72PZ-3G2J4 | Obsoleto | 100 | Ddr4 sdram | 16 GB | 3200 | |||
| MTA18ASF2G72PDZ-3G2J3 | - | | 8349 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Ddr4 sdram | Banda | Obsoleto | 288-RDIMM | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MTA18ASF2G72PDZ-3G2J3 | Obsoleto | 100 | Ddr4 sdram | 16 GB | 3200 | |||
| MTA4ATF1G64HZ-3G2F1 | 37.2450 | | 7914 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Ddr4 sdram | Banda | Activo | 260-SODIMM | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MTA4ATF1G64HZ-3G2F1 | 100 | Ddr4 sdram | 8GB | 3200 | |||
| MTA18ASF4G72PDZ-3G2F1 | 185.2500 | | 8438 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Ddr4 sdram | Banda | Activo | 288-RDIMM | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MTA18ASF4G72PDZ-3G2F1 | 100 | Ddr4 sdram | 32GB | 3200 | |||
| MTA9ASF2G72PZ-3G2F1 | 129.6500 | | 73 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Ddr4 sdram | Banda | Activo | 288-RDIMM | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MTA9ASF2G72PZ-3G2F1 | EAR99 | 8473.30.1140 | 100 | Ddr4 sdram | 16 GB | 3200 | |
 | SFUI016GJ2AB2TO-I-5S-2AP-STD | 62.6800 | | 6 | 0.00000000 | Suiza | U-48 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8473.30.1140 | 1 | Flash - Nand (PSLC) | 16 GB | - | ||
 | M4s0-4gsxzcik | 60.1400 | | 8472 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 260-SODIMM | - | 1 (ilimitado) | 4265-M4S0-4GSXZCIK | 1 | Ddr4 sdram | 4GB | 2666 | |||||
 | M3S0-2GSVFLN9 | 45.8800 | | 3158 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR3L SODIMM | Una granela | Activo | 204-SODIMM | - | 1 (ilimitado) | 4265-M3S0-2GSVFLN9 | 1 | Ddr3l sdram | 2GB | 1333 | |||||
| M4S0-AGS2NCEM | 204.3400 | | 9322 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 260-SODIMM | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-M4S0-Ags2Ncem | 1 | Ddr4 sdram | 1GB | 3200 | |||||
 | M4u0-bgs2kcik | 331.3800 | | 7022 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 288-udimm | - | 1 (ilimitado) | 4265-M4U0-BGS2KCIK | 1 | Ddr4 sdram | 32GB | 2666 | |||||
 | M4R0-4GSSACSJ | 104.6000 | | 4350 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 288-RDIMM | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-M4R0-4GSSACSJ | 1 | Ddr4 sdram | 4GB | 2400 | |||||
 | M1UF-12MC2C03-J | 73.2400 | | 1507 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR | Una granela | Activo | 184-udimm | - | 1 (ilimitado) | 4265-M1UF-12MC2C03-J | EAR99 | 8473.30.1180 | 1 | DDR sdram | 512MB | 400 | |||
| M3S0-4GMV0LPC | 94.1800 | | 4799 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR3L SODIMM | Una granela | Activo | 204-SODIMM | - | 1 (ilimitado) | 4265-M3S0-4GMV0LPC | EAR99 | 8473.30.1140 | 1 | Ddr3l sdram | 4GB | 1600 | |||
| M4s0-4gsxzcem | 60.1400 | | 1647 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 260-SODIMM | - | 1 (ilimitado) | 4265-M4S0-4GSXZCEM | 1 | Ddr4 sdram | 4GB | 3200 | |||||
| M4u0-ags1kcem | 208.6900 | | 5597 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 288-udimm | - | 1 (ilimitado) | 4265-M4U0-Ags1kcem | 1 | Ddr4 sdram | 16 GB | 3200 | |||||
| M3S0-2GSVFCPC | 45.8800 | | 3344 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR3 SODIMM | Una granela | Activo | 204-SODIMM | - | 1 (ilimitado) | 4265-M3S0-2GSVFCPC | 1 | Ddr3 sdram | 2GB | 1600 | |||||
| M4D0-4GSSPCRG | 84.8700 | | 1380 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 3TE7 | Una granela | Activo | 260-SODIMM | - | 1 (ilimitado) | 4265-M4D0-4GSSPCRG | 1 | Ddr4 sdram | 4GB | 2133 | |||||
| M4U0-8GS1JCRG | 107.2300 | | 3732 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 288-udimm | - | 1 (ilimitado) | 4265-M4U0-8GS1JCRG | 1 | Ddr4 sdram | 8GB | 2133 | |||||
| M4R0-8GS1ACEM | 260.2100 | | 4788 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 288-RDIMM | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-M4R0-8GS1ACEM | 1 | Ddr4 sdram | 8GB | 3200 | |||||
| M4U0-4GSX1CRG | 60.3600 | | 4032 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 288-udimm | - | 1 (ilimitado) | 4265-M4U0-4GSX1CRG | 1 | Ddr4 sdram | 4GB | 2133 | |||||
 | AMP56016G18A0TB-CQK48 | 102.0000 | | 75 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3642-AMP56016G18A0TB-CQK48 | 1 | |||||||||
| AMP58464G24A0TB-CQK49 | 540.0000 | | 75 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3642-AMP58464G24A0TB-CQK49 | 1 |
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