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Tarjetas de Memoria, Módulos (322)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tamaña / dimensión	Paquete / Estuche	TUPO	Tecnología	Peso	Voltaje - Suministro	Ficha de datos	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de Memoria	Tamaña de Memoria	Factor de forma	Velocidad - Leer	Velocidad - Ecribir	Current - Max	Tasa de Transferencia (MB/S, MT/S, MHZ)
DEM28-02TDK1GWAQQ	791.8800	RFQ	3242	InnoDisk USA Corporation	3TE7	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	42.00 mm x 22.00 mm x 3.50 mm		SATA III		-	3.3V	descascar	1 (ilimitado)	4265-DEM28-02TDK1GWAQQ	3A991B1A	8523.51.0000	1		Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (TLC)	2TB	Módulo M.2	560 MB/s	520 MB/s	500mA
DES18-B56D82SWBQB	4.0000	RFQ	3746	InnoDisk USA Corporation	3TG6-P	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	78.50 mm x 54.00 mm x 5.00 mm		SATA III		-	5V	descascar	1 (ilimitado)	4265-des18-B56D82SWBQB			1		Flash de Accionamiento de Estado Sólido (SSD) - Nand (SLC)	256 GB	1.8 "	560 MB/s	360 MB/s	470ma
DES25-32GD82SWAQB	640.0700	RFQ	4299	InnoDisk USA Corporation	3TE7	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	99.80 mm x 69.80 mm x 9.20 mm		SATA III		-	5V	descascar	1 (ilimitado)	4265-DES25-32GD82SWAQB			1		Flash de Accionamiento de Estado Sólido (SSD) - Nand (SLC)	32GB	2.5 "	520 MB/s	340 MB/s	881mA
M4U0-8GS1JCIK	107.2300	RFQ	5480	InnoDisk USA Corporation	DDR4	Una granela	Activo			288-udimm					-	1 (ilimitado)	4265-M4U0-8GS1JCIK			1		Ddr4 sdram	8GB					2666
DRS18-64GD70BW1QC	249.6600	RFQ	5185	InnoDisk USA Corporation	3TE6	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	78.50 mm x 54.00 mm x 5.00 mm		SATA III		-	5V	descascar	1 (ilimitado)	4265-DRS18-64GD70BW1QC			1		Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (MLC)	64 GB	1.8 "	460 MB/s	240 MB/s	1A
M4u0-ags1kcsj	204.3400	RFQ	6381	InnoDisk USA Corporation	DDR4	Una granela	Activo			288-udimm					-	1 (ilimitado)	4265-M4U0-Ags1KCSJ			1		Ddr4 sdram	16 GB					2400
DEUH2-02GDQ1AW1SB	75.6900	RFQ	2968	InnoDisk USA Corporation	2SE2	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	36.90 mm x 26.60 mm x 6.75 mm		USB 2.0		-	-	descascar	1 (ilimitado)	4265-DEUH2-02GDQ1AW1SB			1		Flash de Accionamiento de Estado Sólido (SSD) - Nand (SLC)	2GB	9 pin horizontal	30 MB/s	20 MB/s	-
M3S0-2GSVFCM7	45.8800	RFQ	1243	InnoDisk USA Corporation	DDR3 SODIMM	Una granela	Activo			204-SODIMM					-	1 (ilimitado)	4265-M3S0-2GSVFCM7			1		Ddr3 sdram	2GB					1066
Dem23-b56ig1ewaqh	244.0900	RFQ	7937	InnoDisk USA Corporation	3TE7	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	30.00 mm x 22.00 mm x 2.66 mm		Nvme		-	3.3V	descascar	1 (ilimitado)	4265-DEM23-B56IG1EWAQH			1		Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (TLC)	256 GB	Módulo M.2	1.7 GB/s	1.35GB/s	470ma
DES25-02TDK1KCCQL	589.7600	RFQ	5000	InnoDisk USA Corporation	3TE7	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C	100.00 mm x 69.80 mm x 6.80 mm		SATA III		-	-	-	1 (ilimitado)	4265-DES25-02TDK1KCCQL			1		Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (TLC)	2TB	2.5 "	550 MB/s	520 MB/s	-
DECFA-01TDK1GWAQQ	455.2200	RFQ	5	InnoDisk USA Corporation	3TE7	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C				TLC			descascar	1 (ilimitado)	4265-Decfa-01TDK1GWAQQ	3A991B1A	8523.51.0000	1	-	Castre	1TB
DEE4X-64GD53AC1DB	935.1000	RFQ	3160	InnoDisk USA Corporation	1SE2	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C	48.00 mm x 32.60 mm x 7.30 mm		Pata		-	3.3V	descascar	1 (ilimitado)	4265-DEE4X-64GD53AC1DB			1		Flash de Accionamiento de Estado Sólido (SSD) - Nand (SLC)	64 GB	Ata	110 MB/s	75 MB/s	230mA
DESDM-A28S06GE1SL	60.5800	RFQ	10	InnoDisk USA Corporation	3TE4	Una granela	Activo	-25 ° C ~ 85 ° C				TLC			descascar	1 (ilimitado)	4265-DESDM-A28S06GE1SL			1	Clase 10, UHS Clase 1	microSD ™	128 GB
DECFA-64GDK1KCASL	51.8000	RFQ	41	InnoDisk USA Corporation	3TE7	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C				TLC			-	1 (ilimitado)	4265-DICFA-64GDK1KCASL	3A991B1A	8523.51.0000	1	-	Castre	64 GB
M4R0-8GS1ACRG	250.3900	RFQ	6671	InnoDisk USA Corporation	DDR4	Una granela	Activo			288-RDIMM					descascar	1 (ilimitado)	4265-M4R0-8GS1ACRG			1		Ddr4 sdram	8GB					2133
M2SK-1GMF5CJ5-M	74.3400	RFQ	6569	InnoDisk USA Corporation	3SE2-P	Una granela	Activo			200-SODIMM					-	1 (ilimitado)	4265-M2SK-1GMF5CJ5-M			1		Ddr2 sdram	1GB					667
M5SV-AGS2NC0P-B	337.5000	RFQ	3414	InnoDisk USA Corporation	DDR5 SO-DIMM	Una granela	Activo			262-SODIMM					-	1 (ilimitado)	4265-M5SV-AGS2NC0P-B			1		Ddr5 sdram	16 GB					4800
Dem23-c12ig1ewaqh	470.6100	RFQ	7425	InnoDisk USA Corporation	3TE7	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	30.00 mm x 22.00 mm x 2.66 mm		Nvme		-	3.3V	descascar	1 (ilimitado)	4265-DEM23-C12IG1EWAQH			1		Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (TLC)	512GB	Módulo M.2	1.7 GB/s	1.35GB/s	470ma
M4S0-8GS1NCEM	107.4500	RFQ	3178	InnoDisk USA Corporation	DDR4	Una granela	Activo			260-SODIMM					-	1 (ilimitado)	4265-M4S0-8GS1NCEM			1		Ddr4 sdram	8GB					3200
DEMSR-B56DK1KCAQL	117.1000	RFQ	9	InnoDisk USA Corporation	3TE7	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C	50.80 mm x 29.85 mm x 3.70 mm		SATA III		-	-	-	1 (ilimitado)	4265-DEMSR-B56DK1KCAQL			1		Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (TLC)	256 GB	msata	560 MB/s	520 MB/s	-
Dem24-c12dk1gwaql	221.5100	RFQ	7093	InnoDisk USA Corporation	3TE7	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	42.00 mm x 22.00 mm x 3.50 mm		SATA III		-	3.3V	descascar	1 (ilimitado)	4265-DEM24-C12DK1GWAQL			1		Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (TLC)	512GB	Módulo M.2	560 MB/s	520 MB/s	470ma
M1SF-56MB3CDB-J	40.7600	RFQ	9500	InnoDisk USA Corporation	DDR	Una granela	Activo			200-SODIMM					-	1 (ilimitado)	4265-M1SF-56MB3CDB-J			1		DDR sdram	256 MB					333