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Tarjetas de Memoria, Módulos (322)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tamaña / dimensión | Paquete / Estuche | TUPO | Tecnología | Peso | Voltaje - Suministro | Ficha de datos | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | Factor de forma | Velocidad - Leer | Velocidad - Ecribir | Current - Max | Tasa de Transferencia (MB/S, MT/S, MHZ) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M3S0-2GSVFLPC | 45.8800 |  | 3959 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR3L SODIMM | Una granela | Activo | 204-SODIMM | - | 1 (ilimitado) | 4265-M3S0-2GSVFLPC | 1 | Ddr3l sdram | 2GB | 1600 | ||||||||||||||
 | DESDM-08GS02SE1SK | 21.1300 | | 49 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 3me3 | Una granela | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | MLC | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DESDM-08GS02SE1SK | EAR99 | 8523.51.0000 | 1 | Clase 10, UHS Clase 1 | microSD ™ | 8GB | |||||||||||
 | M4R0-Ags1bcik | 255.2100 | | 9652 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 288-RDIMM | - | 1 (ilimitado) | 4265-M4R0-AGS1BCIK | 1 | Ddr4 sdram | 16 GB | 2666 | ||||||||||||||
 | DESDC-B56S06GE1SL | 126.3300 | | 10 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 3TE4 | Una granela | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | TLC | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DESDC-B56S06GE1SL | 1 | - | Sd ™ | 256 GB | |||||||||||||
 | DECFC-08GYA2AW2DB | 211.0800 | | 3327 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 1S3 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | SLC | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DECFC-08GYA2AW2DB | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | - | CompactFlash® | 8GB | |||||||||||
| DECFC-512YA1AC2SB | 31.4200 | | 10 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 1S3 | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | SLC | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DECFC-512YA1AC2SB | 1 | - | CompactFlash® | 512MB | |||||||||||||
 | M4u0-ags1kcrg | 200.4900 | | 2891 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 288-udimm | - | 1 (ilimitado) | 4265-M4U0-Ags1KCRG | 1 | Ddr4 sdram | 16 GB | 2133 | ||||||||||||||
| DECFC-256YA2AW2SB | 35.9000 | | 9 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 1S3 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | SLC | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DECFC-256YA2AW2SB | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | - | CompactFlash® | 256 MB | |||||||||||
 | DES18-16GD82SWBQB | 366.3200 | | 7876 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 3TG6-P | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | 78.50 mm x 54.00 mm x 5.00 mm | SATA III | - | 5V | - | 1 (ilimitado) | 4265-DES18-16GD82SWBQB | 1 | Flash de Accionamiento de Estado Sólido (SSD) - Nand (SLC) | 16 GB | 1.8 " | 560 MB/s | 360 MB/s | 470ma | |||||||
 | DES25-A28DK1GW3DL | 94.2100 | | 9 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 3TE7 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | 100.00 mm x 69.80 mm x 6.80 mm | SATA III | - | - | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DES25-A28DK1GW3DL | 1 | Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (TLC) | 128 GB | 2.5 " | 550 MB/s | 520 MB/s | - | |||||||
| DESDM-08GS02SW1SK | 24.9400 | | 10 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 3me3 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | MLC | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DESDM-08GS02SW1SK | 8523.51.0000 | 1 | Clase 10, UHS Clase 1 | microSD ™ | 8GB | ||||||||||||
 | M4S0-AGS1OCIK | 194.7000 | | 6123 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 260-SODIMM | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-M4S0-AGS1OCIK | 1 | Ddr4 sdram | 16 GB | 2666 | ||||||||||||||
| M4r0-bgs2bcik | 392.4000 | | 6539 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 288-RDIMM | - | 1 (ilimitado) | 4265-M4R0-BGS2BCIK | 1 | Ddr4 sdram | 32GB | 2666 | ||||||||||||||
 | DECFA-C12DK1GWAQL | 254.1200 | | 2 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 3TE7 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | TLC | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DECFA-C12DK1GWAQL | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | - | Castre | 512GB | |||||||||||
 | DEUH1-512DQ1AW1SB | 43.8400 | | 7767 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 2SE2 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | 36.90 mm x 26.60 mm x 9.85 mm | USB 2.0 | - | - | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DEUH1-512DQ1AW1SB | 1 | Flash de Accionamiento de Estado Sólido (SSD) - Nand (SLC) | 512MB | 9 pin horizontal | 30 MB/s | 20 MB/s | - | |||||||
 | DEM28-C12DK1GW1QL | 245.3300 | | 4012 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 3TE7 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | 42.00 mm x 22.00 mm x 3.50 mm | SATA III | - | 3.3V | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DEM28-C12DK1GW1QL | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (TLC) | 512GB | Módulo M.2 | 560 MB/s | 520 MB/s | 500mA | |||||
| DECFC-01GYA2AC2DB | 49.3300 | | 9 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 1S3 | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | SLC | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DECFC-01GYA2AC2DB | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | - | CompactFlash® | 1GB | |||||||||||
 | DESDC-64GS06GE1SL | 39.4800 | | 8 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 3TE4 | Una granela | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | TLC | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DESDC-64GS06GE1SL | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | - | Sd ™ | 64 GB | |||||||||||
| DEUH1-04GDQ1AC1SB | 94.5000 | | 1339 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 2SE2 | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | 36.90 mm x 26.60 mm x 9.85 mm | USB 2.0 | - | - | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DEUH1-04GDQ1AC1SB | 1 | Flash de Accionamiento de Estado Sólido (SSD) - Nand (SLC) | 4GB | 9 pin horizontal | 30 MB/s | 20 MB/s | - | |||||||
 | DES25-64GD82SCAQB | 1.0000 | | 9064 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 3TE7 | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | 99.80 mm x 69.80 mm x 9.20 mm | SATA III | - | 5V | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DES25-64GD82SCAQB | 1 | Flash de Accionamiento de Estado Sólido (SSD) - Nand (SLC) | 64 GB | 2.5 " | 520 MB/s | 340 MB/s | 881mA | |||||||
| M5SV-BGS2OC0P-B | 631.8000 | | 5315 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR5 SO-DIMM | Una granela | Activo | 262-SODIMM | - | 1 (ilimitado) | 4265-M5SV-BGS2OC0P-B | 1 | Ddr5 sdram | 32GB | 4800 | ||||||||||||||
| M4u0-bgm2kcem | 334.9800 | | 2647 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 288-udimm | - | 1 (ilimitado) | 4265-M4U0-BGM2KCEM | 1 | Ddr4 sdram | 32GB | 3200 | ||||||||||||||
| DECFC-128YA2AW2SB | 32.8300 | | 10 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 1S3 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | SLC | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DECFC-128YA2AW2SB | 1 | - | CompactFlash® | 128 MB | |||||||||||||
 | M1UF-1GMC2C03-J | 138.2600 | | 7510 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR3L SODIMM | Una granela | Activo | 184-udimm | - | 1 (ilimitado) | 4265-M1UF-1GMC2C03-J | 1 | DDR sdram | 1GB | 400 | ||||||||||||||
| DEUH1-32GDQ1AW1SB | 575.7800 | | 8528 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 2SE2 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | 36.90 mm x 26.60 mm x 9.85 mm | USB 2.0 | - | - | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DEUH1-32GDQ1AW1SB | 1 | Flash de Accionamiento de Estado Sólido (SSD) - Nand (SLC) | 32GB | 9 pin horizontal | 30 MB/s | 20 MB/s | - | |||||||
| DEUH2-08GDQ1AW1SB | 188.6000 | | 3544 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 2SE2 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | 36.90 mm x 26.60 mm x 6.75 mm | USB 2.0 | - | - | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DEUH2-08GDQ1AW1SB | 1 | Flash de Accionamiento de Estado Sólido (SSD) - Nand (SLC) | 8GB | 9 pin horizontal | 30 MB/s | 20 MB/s | - | |||||||
 | DEM24-01TDD1KCAQF | 379.0400 | | 8366 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 3TE6 | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | 42.00 mm x 22.00 mm x 1.35 mm | Nvme | - | - | - | 1 (ilimitado) | 4265-DEM24-01TDD1KCAQF | 1 | Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (TLC) | 1TB | Módulo M.2 | 2.0GB/s | 1.85GB/s | - | |||||||
| M4U0-8GS1JCSJ | 107.2300 | | 2795 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 288-udimm | - | 1 (ilimitado) | 4265-M4U0-8GS1JCSJ | 1 | Ddr4 sdram | 8GB | 2400 | ||||||||||||||
 | DEE4X-16GD53AC1DB | 251.5400 | | 9509 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | 1SE2 | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | 48.00 mm x 32.60 mm x 7.30 mm | Pata | - | 3.3V | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-DEE4X-16GD53AC1DB | 1 | Flash de Accionamiento de Estado Sólido (SSD) - Nand (SLC) | 16 GB | Ata | 110 MB/s | 75 MB/s | 230mA | |||||||
| M4r0-ags1bcem | 260.2100 | | 1176 | 0.00000000 | InnoDisk USA Corporation | DDR4 | Una granela | Activo | 288-RDIMM | descascar | 1 (ilimitado) | 4265-m4r0-ags1bcem | 1 | Ddr4 sdram | 16 GB | 3200 |
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