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Tarjetas de Memoria, Módulos (39)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tamaña / dimensión | Paquete / Estuche | TUPO | Tecnología | Peso | Voltaje - Suministro | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | Factor de forma | Velocidad - Leer | Velocidad - Ecribir | Current - Max | Tasa de Transferencia (MB/S, MT/S, MHZ) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AMPV5T256-N43SAC | 87.3800 |  | 112 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | 3642-AMPV5T256-N43SAC | 1 | |||||||||||||||||||||
 | AMPSD256G3S-00ES1YE-3P | 180.0000 | | 5 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | MLC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 3642-AMPSD256G3S-00ES1YE-3P | EAR99 | 8523.51.0000 | 1 | Clase 10 | SDXC ™ | 256 GB | |||||||||||
 | AMPW5T480-IM02AI | 329.1100 | | 2 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | 3642-ampw5t480-IM02AI | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMPW5DT10-I302AI | 2.0000 | | 15 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | 3642-AMPW5DT10-I302AI | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMPW5TT10-N40DAI | 294.1200 | | 30 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | 3642-ampw5tt10-n40dai | 1 | |||||||||||||||||||||
 | AMP56016G18A0TB-CQK48 | 102.0000 | | 75 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3642-AMP56016G18A0TB-CQK48 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | AMP25T125-NM02AI | 115.0000 | | 2 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | 3642-AMP25T125-NM02AI | 1 | |||||||||||||||||||||
 | AMPMS01T0S-00ES7YE-8P | 219.0000 | | 199 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | QLC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 3642-ampms01t0s-00es7ye-8p | EAR99 | 8523.51.0000 | 1 | Clase 10, UHS Clase 3 | microSDXC ™ | 1TB | |||||||||||
 | AMP4L08GD45E2SP-C7J | 397.6700 | | 49 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | 288-LRDIMM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 3642-AMP4L08GD45E2SP-C7J | EAR99 | 8542.32.0023 | 1 | DDR4 LRDIMM | 64 GB | 2666 | ||||||||||||
| AMP58464G24A0TB-CQK49 | 540.0000 | | 75 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3642-AMP58464G24A0TB-CQK49 | 1 | ||||||||||||||||||||
| Amp25t640-nm2vai | 809.5200 | | 5 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | 3642-amp25t640-nm2vai | 1 | |||||||||||||||||||||
 | AMPW5D1T9-N40QAI | 885.9200 | | 200 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3642-ampw5d1t9-n40qai | 1 | ||||||||||||||||||||
| AMP58016G18AT0B-CQK48 | 142.0000 | | 75 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3642-AMP58016G18AT0B-CQK48 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | AMPSD064G3S-00WS1YE-3P | 66.3600 | | 5 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | MLC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 3642-ampsd064g3s-00ws1ye-3p | EAR99 | 8523.51.0000 | 1 | Clase 10 | SDXC ™ | 64 GB | |||||||||||
| AMPV5T480-N400AC | 138.8200 | | 12 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | 3642-AMPV5T480-N400AC | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMPW5DT40-N60QAC | 560.7100 | | 41 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | 3642-ALPW5DT40-N60QAC | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP56032G28B0TB-CQ48 | 197.0000 | | 75 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Banda | Activo | - | 3642-AMP56032G28B0TB-CQ48 | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP59432G14B0TB-CQK48 | 304.0000 | | 75 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3642-AMP59432G14B0TB-CQK48 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | AMPMS032G3S-00ES4YC-3P | 54.3300 | | 10 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | PSLC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 3642-Ampms032G3S-00ES4YC-3P | EAR99 | 8523.51.0000 | 1 | Clase 10 | microSD ™ | 32GB | |||||||||||
| AMP25TT20-HM02AC | 2.0000 | | 1 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | 3642-AMP25TT20-HM02AC | 1 | |||||||||||||||||||||
 | AMPW3T250-I302AI | 522.4100 | | 5 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | 3642-ALPW3T250-I302AI | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP4E02GS28G1SP-C3F | 171.6800 | | 50 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | 260-SODIMM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 3642-amp4e02gs28g1sp-c3f | EAR99 | 8542.32.0023 | 1 | DDR4 SODIMM | 16 GB | 2133 | ||||||||||||
| AMPV5T032-NS9FAI | 336.8000 | | 2 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | SATA III | - | - | - | 3642-AMPV5T032-NS9FAI | 1 | Flash de Accionamiento de Estado Sólido (SSD) - Nand (SLC) | 32GB | msata | - | - | - | ||||||||||
| AMP4N02GD28B1SN-C4H | 108.2300 | | 50 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | 288-udimm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 3642-AMP4N02GD28B1SN-C4H | EAR99 | 8542.32.0023 | 1 | Ddr4 udimm | 16 GB | 2400 | ||||||||||||
| AMP4R01GD28E0SP-C1E | 54.3200 | | 50 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | 288-DIMM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 3642-AMP4R01GD28E0SP-C1E | EAR99 | 8542.32.0023 | 1 | DDR4 DIMM | 8GB | 2166 | ||||||||||||
| AMP4E04GS28G1SP-C7J | 149.3900 | | 50 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | 260-SODIMM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 3642-amp4e04gs28g1sp-c7j | EAR99 | 8542.32.0023 | 1 | DDR4 SODIMM | 32GB | 2666 | ||||||||||||
| AMPW5D960-N40DAI | 348.3500 | | 3 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3642-ampw5d960-n40dai | 1 | ||||||||||||||||||||
| AMPV5T250-NM02AI | 170.5800 | | 20 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | 3642-AMPV5T250-NM02AI | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP25T250-NM02AI | - | | 1108 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | 3642-AMP25T250-NM02AI | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMPW5T250-IM02AI | 211.7600 | | 2 | 0.00000000 | Producción de Memoria Acelerada, Inc. | - | Una granela | Activo | - | 3642-ampw5t250-IM02AI | 1 |
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