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Tarjetas de Memoria, Módulos (1151)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tamaña / dimensión Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Peso Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de Memoria Tamaña de Memoria Factor de forma Velocidad - Leer Velocidad - Ecribir Current - Max Tasa de Transferencia (MB/S, MT/S, MHZ)
A4K08Q28BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4K08Q28BLPBSE 66.4335
RFQ
 ECAD 7820 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Una granela Activo 288-Miniudimm A4K08 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8473.30.1140 50 Ddr4 sdram 8GB 2400
AF256GUD4-BBAXM ATP Electronics, Inc. AF256GUD4-BBAXM 88.6377
RFQ
 ECAD 4288 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Banda Activo -25 ° C ~ 85 ° C AF256 TLC descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1282-AF256GUD4-BBAXM 3A991B1A 8523.51.0000 120 Clase 10, UHS Clase 3 microSDXC ™ 256 GB
CF3T84STJA-CBAIXH1 ATP Electronics, Inc. CF3T84STJA-CBAIXH1 1.0000
RFQ
 ECAD 7606 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C 80.00 mm x 22.00 mm x 3.60 mm Nvme - 3.3V - Alcanzar sin afectado 1282-CF3T84STJA-CBAIXH1 64 - 3.84tb Módulo M.2 2.2GB/s 1.2GB/s -
AL12P72A8BLH9S ATP Electronics, Inc. Al12p72a8blh9s 45.8850
RFQ
 ECAD 9970 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Una granela Activo Módulo AL12 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8473.30.1140 50 4GB
AF16GSSGI-OEM ATP Electronics, Inc. AF16GSSGI-OEM 158.2598
RFQ
 ECAD 4895 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Caja Activo -40 ° C ~ 85 ° C 36.90 mm x 26.60 mm x 11.50 mm - AF16 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8471.70.6000 1 Flash de Accionamiento de Estado Sólido (SSD) - Nand (SLC) 16 GB Disco en El Módulo, EUSB 30 MB/s 27 MB/s -
AQ12M72D8BLF8S ATP Electronics, Inc. Aq12m72d8blf8s 46.4514
RFQ
 ECAD 2142 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Una granela Activo Módulo Aq12m72 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8473.30.1140 50 4GB
AF8GUD3-WAAIX ATP Electronics, Inc. AF8GUD3-WAAIX 17.0000
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C AF8G MLC descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1282-AF8GUD3-WAAIX 3A991B1A 8523.51.0000 120 Clase 10, UHS Clase 1 microSDHC ™ 8GB
AF16GSDI-OEM ATP Electronics, Inc. AF16GSDI-OEM 216.2070
RFQ
 ECAD 4911 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C AF16 SLC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8523.51.0000 50 Clase 10 SDHC ™ 16 GB
AF960GSTJA-8BCIX ATP Electronics, Inc. AF960GSTJA-8BCIX 334.0040
RFQ
 ECAD 3500 0.00000000 ATP Electronics, Inc. N650SI Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C 80.00 mm x 22.00 mm x 3.50 mm Nvme - 3.3V - Alcanzar sin afectado 1282-AF960GSTJA-8BCIX 30 Flash de la Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand 960GB Módulo M.2 3.42GB/s 3.05GB/s -
AF8GUFP3NC(I)-OEM ATP Electronics, Inc. AF8GUFP3NC (I) -OEM 88.7775
RFQ
 ECAD 4150 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Caja Activo -40 ° C ~ 85 ° C 26.60 mm LX 12.00 mm W x 4.50 mm H USB 2.0 AF8FP3 0.282 oz (8.0 g) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8523.51.0000 1 Flash - Nand (SLC) 8GB 21 MB/s 16 MB/s
AF240GSTHI-7BDIP ATP Electronics, Inc. AF240GSTHI-7BDIP 150.0750
RFQ
 ECAD 2120 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600SI Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C 50.80 mm x 29.85 mm x 3.50 mm SATA III - 3.3V - Alcanzar sin afectado 1282-AF240GSTHI-7BDIP 32 Flash de la Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand 240GB msata 560 MB/s 480 MB/s -
AF160GSAHI-7BBIP ATP Electronics, Inc. AF160GSAHI-7BIP 215.5884
RFQ
 ECAD 5049 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A700PI Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C 50.80 mm x 29.85 mm x 3.50 mm SATA III - 3.3V - Alcanzar sin afectado 1282-AF160GSAHI-7BBIP 32 Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (PSLC) 160 GB msata 560 MB/s 520 MB/s -
AF8GSAHI-OEM ATP Electronics, Inc. Af8gsahi-oem 61.6012
RFQ
 ECAD 2835 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Caja Activo 0 ° C ~ 70 ° C 50.80 mm x 29.80 mm x 3.70 mm SATA II AF8G - - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8523.51.0000 1 Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (MLC) 8GB msata 250 MB/s 190 MB/s -
AT32L7238SQB3M ATP Electronics, Inc. AT32L7238SQB3M 114.2128
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Banda Activo - AT32L7238 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8473.30.1140 200 DDR sdram 256 MB
AQ12M6418BKK0M ATP Electronics, Inc. Aq12m6418bkk0m 105.2444
RFQ
 ECAD 9359 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Una granela Activo Módulo Aq12m6418 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8473.30.1140 50 4GB
A4O32QD4DNPBSO ATP Electronics, Inc. A4O32QD4DNPBSO 392.3500
RFQ
 ECAD 8507 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Banda Activo Módulo A4O32 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8473.30.1140 200 Ddr4 sdram 32GB 2133
AF960GSTJA-8BFXP ATP Electronics, Inc. AF960GSTJA-8BFXP 337.6660
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 ATP Electronics, Inc. N600S Banda Activo 0 ° C ~ 70 ° C 80.00 mm x 22.00 mm x 3.50 mm Nvme - 3.3V - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1282-AF960GSTJA-8BFXP 30 Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (TLC) 960GB Módulo M.2 3.42GB/s 3.05GB/s -
AF512GSTIC-2BBXX ATP Electronics, Inc. AF512GSTIC-2BBXX 155.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600VC Banda Activo 0 ° C ~ 70 ° C 80.00 mm x 22.00 mm x 2.20 mm SATA III - - descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1282-AF512GSTIC-2BBXX 3A991B1A 8523.51.0000 30 Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (TLC) 512GB Módulo M.2 560 MB/s 525mb/s -
AF8GSD3A-WAAXX ATP Electronics, Inc. AF8GSD3A-WAAXX -
RFQ
 ECAD 3295 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C AMLC - ROHS3 Cumplante 1282-AF8GSD3A-WAAXX 1 Clase 10, UHS Clase 3 SD ™, SDHC ™, SDXC ™ 8GB
AL48P72E4BLK0M ATP Electronics, Inc. AL48P72E4BLK0M 265.1355
RFQ
 ECAD 3911 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Banda Activo Módulo AL48P72 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8473.30.1140 50 16 GB
AL12P72L8BKF8M ATP Electronics, Inc. AL12P72L8BKF8M 92.0030
RFQ
 ECAD 7775 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Una granela Activo Módulo AL12 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8473.30.1140 10 4GB
AF8GUFNDNC(I)-OEM ATP Electronics, Inc. Af8gufndnc (i) -oem 133.0000
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 ATP Electronics, Inc. Nanodura ™ Caja Activo -40 ° C ~ 85 ° C 34.00 mm LX 12.20 mm W x 4.50 mm H USB 2.0 AF8GUFNDNC 0.282 oz (8.0 g) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8523.51.0000 1 Flash - Nand (SLC) 8GB 21 MB/s 16 MB/s
AF4GSSHI-AACXP ATP Electronics, Inc. AF4GSSHI-AACXP 48.3300
RFQ
 ECAD 2010 0.00000000 ATP Electronics, Inc. * Una granela Activo AF4GSSHI - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1282-AF4GSSHI-AACXP 3A991B1A 8471.70.6000 1
AF1TSTIC-2BBXX ATP Electronics, Inc. AF1TSTIC-2BBXX 146.7900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600VC Banda Activo 0 ° C ~ 70 ° C 80.00 mm x 22.00 mm x 2.20 mm SATA III - - descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1282-AF1TSTIC-2BBXX 3A991B1A 8523.51.0000 30 Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (TLC) 1TB Módulo M.2 560 MB/s 525mb/s -
AF32GCSI-OEM ATP Electronics, Inc. AF32GCSI-OEM 275.6100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C AF32 SLC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8523.51.0000 1 - Castre 32GB
AF256GSMCJ-OEM ATP Electronics, Inc. AF256GSMCJ-OEM 246.1300
RFQ
 ECAD 7985 0.00000000 ATP Electronics, Inc. Velocidad MV Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C 100.0 mm x 69.90 mm x 9.20 mm SATA III AF256 - - descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8471.70.6000 2 Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (MLC) 256 GB 2.5 " - - -
AF960GSTCJ-7BBIP ATP Electronics, Inc. AF960GSTCJ-7BIP -
RFQ
 ECAD 9778 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600S Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C 100.00 mm x 69.90 mm x 9.20 mm SATA III - 5V - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1282-AF960GSTCJ-7BIP Obsoleto 1 Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (TLC) 960GB 2.5 " 560 MB/s 500 MB/s -
AY24P7238BLH9M ATP Electronics, Inc. Ay24p7238blh9m 106.5330
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Una granela Activo 204-Miniudimm Ay24p7238 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8473.30.1140 50 8GB
A4D08Q48BLRCME ATP Electronics, Inc. A4D08Q48BLRCME 113.0512
RFQ
 ECAD 5783 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - Una granela Activo Módulo A4D08 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8473.30.1140 25 Ddr4 sdram 8GB 2400
AF120GSTJA-8BDXX ATP Electronics, Inc. AF120GSTJA-8BDXX 110.1590
RFQ
 ECAD 9457 0.00000000 ATP Electronics, Inc. N650SC Banda Activo 0 ° C ~ 70 ° C 80.00 mm x 22.00 mm x 3.50 mm Nvme - 3.3V - Alcanzar sin afectado 1282-AF120GSTJA-8BDXX 30 Flash de la Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand 120 GB Módulo M.2 1.835GB/s 580 MB/s -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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