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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tamaña / dimensión	TUPO	Cuidadas	Base Número de Producto	Color	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Current - Max	Longitud de Onda	Alta	Voltaje - Forward (VF) (Typ)	Real - PrueBa	Ángulo de Visión	CCT (k)	Fljo luminoso @ corriente/temperatura	Temperatura - PrueBa	Lumens/watt @ real - prueba	Cri (Índice de Renderizado de color)	Superficie Emisora de Luz (Les)	Tipo de lente
Sphhahdne25yzt2d2	1.9437	RFQ	9092	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.15a	-	1.50 mm	34.6V	450 mm	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	2558LM (TÍP)	85 ° C	164 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphww1hdn945yht2b3	-	RFQ	8131	Samsung Semiconductor, Inc.	LC008B Gen3	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, neutral	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.41.0000	1.750	Cuadrado	430mA	-	1.50 mm	35.5V	240 mm	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	1397LM (1256LM ~ 1537LM)	25 ° C	164 LM/W	80	Dia de 8.00 mm	Departamento de Departamento
Sphhahdne25yzu3dc	4.0400	RFQ	8070	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdne25yzu3dc	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	900mA	-	1.50 mm	33.7V	450 mm	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2621lm (typ)	85 ° C	172 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphhahdne27yzw2db	1.3923	RFQ	8060	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdne27yzw2db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	900mA	-	1.50 mm	34V	450 mm	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	1776lm (typ)	85 ° C	116 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk28yzv2d2	4.4532	RFQ	9513	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk28	Blanco, Cálido	descascar					EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34.6V	1.08a	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	3952lm (TÍP)	85 ° C	106 LM/W	-	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb25yzu2f5	-	RFQ	9575	Samsung Semiconductor, Inc.	LC006D	Banda	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1853	EAR99	8541.41.0000	2.400	Cuadrado	460ma	-	1.50 mm	34.6V	180 Ma	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	902LM (typ)	85 ° C	145 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh23yzt3d3	4.0475	RFQ	4546	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh23	Blanco, neutral	descascar					EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	2.3a	-	1.50 mm	34V	900mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5332lm (TÍP)	85 ° C	174 LM/W	70	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk27yzu2d2	4.3636	RFQ	6311	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34.6V	1.08a	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	5152lm (TÍP)	85 ° C	138 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdng25yzw2d2	3.0059	RFQ	5159	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.84a	-	1.50 mm	34.6V	720 mm	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	3580LM (typ)	85 ° C	144 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphhahdne25yzr3j2	-	RFQ	5420	Samsung Semiconductor, Inc.	LC016D	Banda	Obsoleto	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1907	EAR99	8541.41.0000	1.600	Cuadrado	1.15a	-	1.50 mm	34.6V	450 mm	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2324lm (typ)	85 ° C	149 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh27yzu3c2	2.6171	RFQ	8595	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie C Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh27	Blanco, Cálido	descascar					EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.38a	-	1.50 mm	35V	900mA	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	3490LM (typ)	85 ° C	111 LM/W	90	DiáMetro de 11.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdna25yzu3dc	1.4800	RFQ	490	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdna25yzu3dc	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	180 Ma	-	1.50 mm	33.7V	90 Ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	516lm (typ)	85 ° C	170 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphcw1hdnb25yhr31g	-	RFQ	8267	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019B	Banda	Obsoleto	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphcw1	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1724	EAR99	8541.41.0000	480	Cuadrado	980 Ma	-	1.50 mm	35.5V	540ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2831LM (2646LM ~ 3016LM)	25 ° C	148 LM/W	80	Dia de 12.40 mm	Departamento de Departamento
Si-B8U141560LD	8.3886	RFQ	3024	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-S562N	Banda	No hay para Nuevos Diseños	560.00 mm LX 24.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)			EAR99	8541.41.0000	224	Tira de Luz lineal	720 mm	-	5.80 mm	35.2V	400mA	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2210lm (typ)	50 ° C	157 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphhahdne25yzp3d2	2.1675	RFQ	6488	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.15a	-	1.50 mm	34.6V	450 mm	115 °	6500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2558LM (TÍP)	85 ° C	164 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphcw1hdna25yhrt1e	2.8899	RFQ	2645	Samsung Semiconductor, Inc.	LC013B	Banda	No hay para Nuevos Diseños	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphcw1	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1721	EAR99	8541.41.0000	480	Cuadrado	660ma	-	1.60 mm	35.5V	360 Ma	115 °	5000K	1920LM (1800LM ~ 2040LM)	25 ° C	150 lm/w	80	DiáMetro de 11.00 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdna25yzu3d3	0.5758	RFQ	4305	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna25	Blanco, Cálido	descascar					EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	230mA	-	1.50 mm	34V	90 Ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	514lm (typ)	85 ° C	168 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf25yzv3db	4.0800	RFQ	250	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnf25yzv3db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.08a	-	1.50 mm	34V	540ma	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2877LM (typ)	85 ° C	157 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphhahdne27yzt3d4	4.8900	RFQ	246	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne27	Blanco, neutral	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdne27yzt3d4	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.15a	-	1.70 mm	33.6V	450 mm	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2344lm (typ)	85 ° C	155 lm/w	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnc25yzu2db	0.8297	RFQ	5154	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnc25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnc25yzu2db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	540ma	-	1.50 mm	34V	270 Ma	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	1466lm (typ)	85 ° C	160 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8T502560WW	42.2600	RFQ	6436	Samsung Semiconductor, Inc.	Horticultura l2 gen2	Banda	Activo	561.00 mm LX 41.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-B8	Rojo, Blanco - Cálido	descascar		No Aplicable		1510-SI-B8T502560WW	EAR99	8541.41.0000	120	Tira de Luz lineal	1.6a	-	5.50 mm	42V	1.2a	118 °	3350k (3070k ~ 3645k)	8960LM (typ)	25 ° C	178 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf25yzv2d2	2.2778	RFQ	5787	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.38a	-	1.50 mm	34.6V	540ma	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	2877LM (typ)	85 ° C	154 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnm251zt3d2	9.9642	RFQ	7210	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm251	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	4.14a	-	1.50 mm	52V	1.62a	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	13123LM (typ)	85 ° C	156 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnm231zv3d4	17.8100	RFQ	118	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm231	Blanco, Cálido	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnm231zv3d4	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	4.14a	-	1.70 mm	50.5V	1.62a	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	13727LM (typ)	85 ° C	179 LM/W	70	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SL-P7T2E33MZWW	-	RFQ	7124	Samsung Semiconductor, Inc.	TUPO E	Banda	Obsoleto	125.00 mm LX 50.00 mm W	Módulo liderado	-	SL-P7T2	Blanco, neutral	-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	12	Rectángulo	700mA	-	41.60 mm	30V	700mA	-	4000K	2100LM (typ)	65 ° C	100 lm/w	70	-	-
SI-B8U095280WW	-	RFQ	3271	Samsung Semiconductor, Inc.	LAM-RT32B	Caja	Obsoleto	273.00 mm LX 216.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		1510-1125	EAR99	8541.41.0000	60	Rectángulo	-	-	5.60 mm	24 V	385mA	145 °	3500K	1150LM (1030LM ~ 1280LM)	35 ° C	126 LM/W	80	-	Abovovor
Sphww1hdne27yht24k	8.0762	RFQ	4263	Samsung Semiconductor, Inc.	LC040B Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	21.50 mm LX 21.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, neutral	-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-2108	EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	1.9a	-	1.50 mm	35.5V	1.08a	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	4866LM (4462LM ~ 5269LM)	25 ° C	127 LM/W	90	17.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8V26156CUS	8.4400	RFQ	264	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-V562F	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-B8	Blanco, Cálido	descascar		No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	280	Tira de Luz lineal	1.62a	-	5.50 mm	24.4V	1.12a	-	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	3607LM (3245LM ~ 3970LM)	65 ° C	132 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-N9W1624B1US	-	RFQ	5455	Samsung Semiconductor, Inc.	Acom	Una granela	Obsoleto	100.00 mm de diámetro	Módulo liderado	-	SI-N9W	Blanco, Cálido	descascar		1 (ilimitado)		1510-SI-N9W1624B1US	EAR99	8541.41.0000	144	Redondo	-	-	11.00 mm	120V	-	115 °	2700k	1630LM (TÍP)	25 ° C	94 LM/W	90	-	Departamento de Departamento
SI-N8A1016E0WW	6.0480	RFQ	2073	Samsung Semiconductor, Inc.	Un 10	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Módulo liderado	-	SI-N8A1016	Blanco, Cálido / Blanco, Fresco	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	192	Cuadrado	-	-	2.20 mm	35.9V	250 Ma	-	2700k ~ 6500K	1020lm (typ)	65 ° C	114 LM/W	80	-	Departamento de Departamento