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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tamaña / dimensión | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Color | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Current - Max | Longitud de Onda | Alta | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Real - PrueBa | Ángulo de Visión | CCT (k) | Fljo luminoso @ corriente/temperatura | Temperatura - PrueBa | Lumens/watt @ real - prueba | Cri (Índice de Renderizado de color) | Superficie Emisora de Luz (Les) | Tipo de lente |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Sphwhahdnl271zt3d2 | 7.5957 | ![]() | 7688 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnl271 | Blanco, neutral | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Cuadrado | 2.76a | - | 1.50 mm | 52V | 1.08a | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 7706lm (typ) | 85 ° C | 137 LM/W | 90 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||||
![]() | SI-B8V251560WW | 13.3300 | ![]() | 558 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | M afluencia | Banda | Activo | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | No Aplicable | 1510-SI-B8V251560WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 2.8a | - | 5.50 mm | 23V | 1.12a | 118 ° | 3000K | 4300LM (TÍP) | 65 ° C | 167 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdnh27yzu3dc | 7.3600 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnh27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnh27yzu3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.8a | - | 1.50 mm | 33.7V | 900mA | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 4293LM (TÍP) | 85 ° C | 142 lm/w | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8P113250WW | - | ![]() | 8786 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Aleta-SQ30 | Caja | Obsoleto | 259.00 mm LX 250.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 450 mm | - | 5.80 mm | 30.2V | 350 mm | 115 ° | 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1610lm (typ) | 50 ° C | 152 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphww1hdn945yhw3kh | 1.7398 | ![]() | 8677 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC008B Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphww1 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-2007 | EAR99 | 8541.41.0000 | 672 | Cuadrado | 430mA | - | 1.50 mm | 36.5V | 240 mm | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 1201LM (1141LM ~ 1260LM) | 25 ° C | 137 LM/W | 80 | Dia de 8.00 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnc27yzu3d4 | 3.3200 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen4 | Una granela | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc27 | Blanco, Cálido | descascar | ROHS3 Cumplante | 2a (4 semanas) | Alcanzar sin afectado | 1510-sphhahdnc27yzu3d4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 690ma | - | 1.65 mm | 33.6V | 270 Ma | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1349lm (typ) | 85 ° C | 149 lm/w | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphww1hdnd25yht2b3 | - | ![]() | 4665 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC033B Gen3 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 21.50 mm LX 21.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphww1 | Blanco, neutral | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.050 | Cuadrado | 1.62a | - | 1.50 mm | 35.5V | 900mA | 115 ° | 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse | 5117LM (4747LM ~ 5487LM) | 25 ° C | 160 lm/w | 80 | 17.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||||
![]() | Si-B8T04560EU | - | ![]() | 7466 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | * | Banda | Obsoleto | Si-B8 | - | No Aplicable | 1510-SI-B8T04560EU | EAR99 | 8541.41.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | SI-B8R17256001 | 10.0800 | ![]() | 178 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-M562C Gen3 | Banda | Activo | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 1.08a | - | 5.80 mm | 24 V | 700mA | 115 ° | 5000K | 2655lm | - | 158 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B8Q091280WW | - | ![]() | 5179 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | F-Series Gen3 | Banda | Obsoleto | - | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Tira de Luz lineal | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B9U151560WW | - | ![]() | 3259 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-M562G | Banda | Obsoleto | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B9 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-1213 | EAR99 | 8542.39.0001 | 280 | Tira de Luz lineal | 600mA | - | 5.80 mm | 24.7V | 600mA | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1480LM (typ) | 50 ° C | 100 lm/w | 90 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B9T311C00US | - | ![]() | 4177 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | * | Banda | Obsoleto | Si-B9 | - | ROHS3 Cumplante | 1510-SI-B9T311C00US | EAR99 | 8541.41.0000 | 80 | |||||||||||||||||||||
![]() | Sphwh2hdnc05yht3c1 | 3.3783 | ![]() | 7690 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC020C | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 15.00 mm LX 12.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwh2 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-1758 | EAR99 | 8541.41.0000 | 624 | Rectángulo | 810 Ma | - | 1.50 mm | 34.5V | 540ma | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2380LM (typ) | 85 ° C | 128 LM/W | 80 | Dia de 8.00 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-N8T1254B0WW | 7.2000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | CM 110 mm G5 | Una granela | Obsoleto | 110.00 mm de diámetro | Módulo liderado | Conector | Si-n8t | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-SI-N8T1254B0WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 120 | Redondo | - | - | 5.20 mm | 27.8V | 430mA | 120 ° | 4000K | 2210lm (typ) | 25 ° C | 185 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphww1hdnb2vyht32f | - | ![]() | 3368 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC019B | Banda | Obsoleto | 17.00 mm LX 17.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphww1 | Blanco, neutral | - | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-2045 | EAR99 | 8541.41.0000 | 480 | Cuadrado | 980 Ma | - | 1.50 mm | 35.5V | - | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2318LM (2040LM ~ 2596LM) | 25 ° C | - | - | Dia de 12.40 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8V26256CUS | - | ![]() | 5294 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Serie V Gen2 | Una granela | Obsoleto | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | 1 (ilimitado) | 1510-SI-B8V26256 CUS | EAR99 | 8541.41.0000 | 150 | Tira de Luz lineal | 1.35a | - | 5.50 mm | 23.3V | 1.12a | - | 3000K | 4150LM (TÍP) | 65 ° C | 159 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdnf27yzu3d1 | - | ![]() | 2272 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC019D | Banda | Obsoleto | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnf27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.600 | Cuadrado | 970MA | - | 1.50 mm | 34.6V | 540ma | 115 ° | 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse | 2302LM (2287LM ~ 2317LM) | 85 ° C | 123 LM/W | 90 | 17.00 mm de diámetro | Abovovor | |||
![]() | SL-B8U2N70LAWW | 9.5527 | ![]() | 6248 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | H afluencia | Banda | Activo | 281.00 mm LX 41.00 mm W | Módulo liderado | - | SL-B8U2 | Blanco, Cálido | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Tira de Luz lineal | 1.6a | - | 5.20 mm | 22.3v | 1A | 118 ° | 3500K | 4060lm (typ) | 55 ° C | 182 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||||
![]() | Sphwhahdnb27yzt2db | 0.6413 | ![]() | 1338 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnb27 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnb27yzt2db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 360 Ma | - | 1.50 mm | 34V | 180 Ma | 115 ° | 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse | 870lm (typ) | 85 ° C | 142 lm/w | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
SI-B8T261560WW | 12.9300 | ![]() | 419 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | F-Series Gen3 | Una granela | Activo | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, neutral | descascar | No Aplicable | 1510-2219 | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | - | - | 5.20 mm | 23V | 1.12a | - | 4000K | 4500LM (TÍP) | 65 ° C | 175 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | ||||
![]() | SPHCW1HDN825YHR3B3 | - | ![]() | 3245 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC006B Gen3 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphcw1 | Blanco, genial | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.750 | Cuadrado | 320 mm | - | 1.50 mm | 35.5V | 180 Ma | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 988LM (887LM ~ 1089LM) | 25 ° C | 155 lm/w | 80 | Dia de 8.00 mm | Departamento de Departamento | ||||
![]() | Sphwhahdng25yzw3k0 | - | ![]() | 6763 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC026D | Banda | Obsoleto | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-1953 | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.600 | Cuadrado | 1.84a | - | 1.50 mm | 34.6V | 720 mm | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 3225LM (TÍP) | 85 ° C | 129 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnh25yzv3d4 | 7.8200 | ![]() | 235 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen4 | Una granela | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnh25 | Blanco, Cálido | descascar | ROHS3 Cumplante | 2a (4 semanas) | Alcanzar sin afectado | 1510-sphhahdnh25yzv3d4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 2.3a | - | 1.70 mm | 33.6V | 900mA | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 5044lm (TÍP) | 85 ° C | 167 lm/w | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |
![]() | SI-B8U17256CWW | - | ![]() | 5672 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Serie V Gen2 | Una granela | Activo | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | 1 (ilimitado) | 1510-SI-B8U17256CWW | EAR99 | 8541.41.0000 | 96 | Tira de Luz lineal | 900mA | - | 5.50 mm | 23.2v | 700mA | - | 3500K | 2720LM (TÍP) | 50 ° C | 167 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B8R111250WW | - | ![]() | 4199 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Lam-SQ30B | Banda | Obsoleto | 259.00 mm LX 250.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, genial | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 900mA | - | 6.70 mm | 15.3V | 700mA | 145 ° | 5000K 4 Pasos Macadam Ellipse | 1400LM (typ) | 35 ° C | 131 LM/W | 80 | - | Abovovor | |||
![]() | SI-B8T152560WW | - | ![]() | 1579 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-M562B_G2 | Banda | Obsoleto | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1335 | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 720 mm | - | 4.40 mm | 24.8V | 600mA | 115 ° | 4000K 4 Pasos Macadam Ellipse | 2200LM (TÍP) | 50 ° C | 148 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8T251560WW | 6.6789 | ![]() | 2707 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | M afluencia | Banda | Activo | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, neutral | descascar | No Aplicable | 1510-SI-B8T251560WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 2.8a | - | 5.50 mm | 23V | 1.12a | 118 ° | 4000K | 4510lm (typ) | 65 ° C | 175 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B8R031500WW | 4.8900 | ![]() | 568 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Se Estándar retocedido | Una granela | Activo | 500.00 mm LX 13.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-SI-B8R031500WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 300 | Tira de Luz lineal | 200 MMA | - | 6.00 mm | 41.5V | 88 Ma | 160 ° | 5000K | 650lm (typ) | 40 ° C | 178 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnf25yzr3j6 | - | ![]() | 4072 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC019D | Banda | Obsoleto | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnf25 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-1926 | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.600 | Cuadrado | 1.38a | - | 1.50 mm | 34.6V | 540ma | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2756lm (typ) | 85 ° C | 148 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-N8U1123B1US | - | ![]() | 7345 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Acom dle | Banda | Obsoleto | 55.00 mm LX 55.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-n8u | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1662 | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Cuadrado | - | - | 12.50 mm | 120 VAC | - | 115 ° | 3500K | 1180LM (typ) | 25 ° C | 104 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento |
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