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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tamaña / dimensión | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Color | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Current - Max | Longitud de Onda | Alta | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Real - PrueBa | Ángulo de Visión | CCT (k) | Fljo luminoso @ corriente/temperatura | Temperatura - PrueBa | Lumens/watt @ real - prueba | Cri (Índice de Renderizado de color) | Superficie Emisora de Luz (Les) | Tipo de lente |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI-N8W4012B0WW | - | ![]() | 8389 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | SLE-040 | Banda | Obsoleto | 50.00 mm de diámetro | Chip A Bordo (COB) | Conector | SI-N8W | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-1251 | EAR99 | 8542.39.0001 | 400 | Redondo | 1A | - | 6.10 mm | 34.1V | 900mA | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 4010lm (typ) | 75 ° C | 131 LM/W | 80 | Dia de 19.00 mm | Departamento de Departamento | |
![]() | SL-B8U1N30LAWW | 5.4384 | ![]() | 1610 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | H afluencia | Banda | Activo | 280.00 mm LX 24.00 mm W | Módulo liderado | - | SL-B8U1 | Blanco, Cálido | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 256 | Tira de Luz lineal | 1.6a | - | 5.20 mm | 11.1V | 1A | 118 ° | 3500K | 2030LM (TÍPICO) | 55 ° C | 183 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | ||||
![]() | Sphwhahdna27yzw3d1 | - | ![]() | 1896 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC003D | Banda | Obsoleto | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdna27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 2.400 | Cuadrado | 230mA | - | 1.50 mm | 34.6V | 90 Ma | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 384lm (TÍP) | 85 ° C | 123 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphww1hdna27yhw2b3 | - | ![]() | 2360 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC013B Gen3 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 17.00 mm LX 17.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphww1 | Blanco, Cálido | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.400 | Cuadrado | 660ma | - | 1.60 mm | 35.5V | 360 Ma | 115 ° | 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse | 1614lm (1405lm ~ 1822lm) | 25 ° C | 126 LM/W | 90 | DiáMetro de 11.00 mm | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdnl271zr3dc | 12.4600 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnl271 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnl271zr3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Cuadrado | 2.16a | - | 1.50 mm | 50.6V | 1.08a | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 8186lm (typ) | 85 ° C | 150 lm/w | 90 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphwhahdng27yzr3db | 5.2000 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng27 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdng27yzr3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.44a | - | 1.50 mm | 34V | 720 mm | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 3433LM (typ) | 85 ° C | 140 lm/w | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphww1hdnd28yhw33j | - | ![]() | 9587 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC033B | Caja | Obsoleto | 21.50 mm LX 21.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphww1 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Cuadrado | 1.62a | - | 1.50 mm | 35.5V | 900mA | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 3371LM (3034LM ~ 3708LM) | 25 ° C | 106 LM/W | 95 | 17.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Si-B8U222B2HUS | 15.2100 | ![]() | 128 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | H-Series H Gen4 | Una granela | Activo | 1120.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-Si-B8U222B2HUS | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Tira de Luz lineal | 3.7a | - | 3.70 mm | 22V | 960MA | - | 3500K | 4010lm (typ) | 40 ° C | 190 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |
![]() | SI-B8T114280WW | - | ![]() | 9134 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-M282C_G2 | Banda | Obsoleto | 275.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1334 | EAR99 | 8541.41.0000 | 400 | Tira de Luz lineal | 540ma | - | 4.40 mm | 24.8V | 450 mm | 115 ° | 4000K 4 Pasos Macadam Ellipse | 1650lm (typ) | 50 ° C | 148 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphcw1hdn945yhrtkh | 1.7743 | ![]() | 8583 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC008B | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphcw1 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-1715 | EAR99 | 8541.41.0000 | 672 | Cuadrado | 430mA | - | 1.50 mm | 36.5V | 240 mm | 115 ° | 5000K | 1310LM (1268LM ~ 1351LM) | 25 ° C | 150 lm/w | 80 | Dia de 8.00 mm | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphwhahdnm251zw3d2 | 9.9642 | ![]() | 2527 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnm251 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Cuadrado | 4.14a | - | 1.50 mm | 52V | 1.62a | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 11815lm (TÍP) | 85 ° C | 140 lm/w | 80 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8R031500WW | 4.8900 | ![]() | 568 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Se Estándar retocedido | Una granela | Activo | 500.00 mm LX 13.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-SI-B8R031500WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 300 | Tira de Luz lineal | 200 MMA | - | 6.00 mm | 41.5V | 88 Ma | 160 ° | 5000K | 650lm (typ) | 40 ° C | 178 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphww1hdn94vyht3fg | - | ![]() | 5485 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC008B | Banda | Obsoleto | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphww1 | Blanco, neutral | - | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-2012 | EAR99 | 8541.41.0000 | 672 | Cuadrado | 430mA | - | 1.50 mm | 35.5V | - | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1068LM (940LM ~ 1196LM) | 25 ° C | - | - | Dia de 8.00 mm | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphww1hdne28yhu33m | - | ![]() | 9153 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC040B | Caja | Obsoleto | - | Chip A Bordo (COB) | - | Sphww1 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Cuadrado | - | - | - | 35.5V | 1.08a | - | 3500K | 4445lm (TÍP) | 25 ° C | 116 LM/W | 95 | 17.00 mm de diámetro | - | ||
![]() | Sphwh2hdnc05yhw2c1 | 3.6841 | ![]() | 4324 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC020C | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 15.00 mm LX 12.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwh2 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 624 | Rectángulo | 810 Ma | - | 1.50 mm | 34.5V | 540ma | 115 ° | 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse | 2140LM (typ) | 85 ° C | 115 lm/w | 80 | Dia de 8.00 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8T031070WW | - | ![]() | 8044 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-H072A | Caja | Obsoleto | 70.00 mm LX 24.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, neutral | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.500 | Tira de Luz lineal | 360 Ma | - | 5.80 mm | 9.5V | 300mA | - | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 370LM (typ) | 50 ° C | 130 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | SL-P7T2W52MBGL | - | ![]() | 7730 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | T-type gen2 | Banda | Activo | - | Módulo liderado | IP66 | SL-P7T2 | Blanco, neutral | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 12 | Rectángulo | 1A | - | - | 30V | 700mA | - | 4000K | - | 58 ° C | - | 76 (typ) | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdnb27yzw2d3 | 0.9372 | ![]() | 9936 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnb27 | Blanco, Cálido | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,000 | Cuadrado | 460ma | - | 1.50 mm | 34V | 180 Ma | 115 ° | 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse | 809lm (typ) | 85 ° C | 132 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||||
![]() | SI-B9W111550WW | - | ![]() | 6026 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-M552F | Banda | Obsoleto | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B9 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 40 | Tira de Luz lineal | 450 mm | - | 5.80 mm | 24.7V | 450 mm | 115 ° | 2700k | 1020lm (typ) | - | 92 lm/w | 90 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphww1hdn947yhw2fg | - | ![]() | 3354 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC008B | Caja | Obsoleto | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphww1 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 672 | Cuadrado | 430mA | - | 1.50 mm | 36.5V | 240 mm | 115 ° | 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse | 1050lm (929lm ~ 1171lm) | 25 ° C | 120 lm/w | 90 | Dia de 8.00 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B9R311C00US | - | ![]() | 7078 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | * | Banda | Obsoleto | Si-B9 | - | ROHS3 Cumplante | 1510-SI-B9R311C00US | EAR99 | 8541.41.0000 | 80 | ||||||||||||||||||||
![]() | SI-B8P09626001 | - | ![]() | 7443 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Dedo-sq32b | Banda | Obsoleto | 259.00 mm LX 250.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, genial | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-1235 | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 600mA | - | 5.80 mm | 24 V | 385mA | 115 ° | 6500K 4 Pasos Macadam Ellipse | 1380LM (typ) | 35 ° C | 149 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphwhahdng27yzt3d2 | 3.2872 | ![]() | 6119 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng27 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 1.84a | - | 1.50 mm | 34.6V | 720 mm | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 3387LM (typ) | 85 ° C | 136 LM/W | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnb27yzw2d1 | - | ![]() | 2125 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC006D | Banda | Obsoleto | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnb27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 2.400 | Cuadrado | 460ma | - | 1.50 mm | 34.6V | 180 Ma | 115 ° | 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse | 744lm (typ) | 85 ° C | 119 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8U11228001 | - | ![]() | 6225 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Finger-Rt30b | Caja | Obsoleto | 216.00 mm LX 273.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 900mA | - | 5.80 mm | 15V | 700mA | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1450LM (TÍP) | 35 ° C | 138 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdna27yzv3dc | 1.4800 | ![]() | 490 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdna27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdna27yzv3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 180 Ma | - | 1.50 mm | 33.7V | 90 Ma | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 428lm (typ) | 85 ° C | 164 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |
![]() | SI-N9U1312B0WW | - | ![]() | 1386 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | SLE-013 | Banda | Obsoleto | 50.00 mm de diámetro | Módulo liderado | - | Si-n9u | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1676 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 400 | Redondo | 350 mm | - | 6.10 mm | 33.5V | 250 Ma | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1000LM (TÍP) | 75 ° C | 119 LM/W | 90 | Dia de 13.50 mm | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphcw1hdne25yhr34j | - | ![]() | 7900 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC040B | Caja | Obsoleto | 21.50 mm LX 21.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphcw1 | Blanco, genial | - | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Cuadrado | 1.9a | - | 1.50 mm | 35.5V | 1.08a | - | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 5440LM (typ) | 25 ° C | 142 lm/w | 80 | 17.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnh23yzr3d3 | 4.0475 | ![]() | 7688 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnh23 | Blanco, genial | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 2.3a | - | 1.50 mm | 34V | 900mA | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 5429lm (typ) | 85 ° C | 177 LM/W | 70 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||||
![]() | Sphwhahdna27yzu3d2 | 0.5645 | ![]() | 3945 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdna27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,000 | Cuadrado | 230mA | - | 1.50 mm | 34.6V | 90 Ma | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 419lm (typ) | 85 ° C | 135 lm/w | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento |
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