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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora ​​de Luz (Les) Tipo de lente
SI-N8T0754B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8T0754B0WW -
RFQ
 ECAD 1826 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. CM 90 mm G5 Una granela Obsoleto 90.00 mm de diámetro Módulo liderado Conector Si-n8t Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-SI-N8T0754B0WW EAR99 8541.41.0000 180 Redondo - - 5.20 mm 27.5V 240 mm 120 ° 4000K 1240LM (typ) 25 ° C 188 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK25YZR3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk25yzr3d2 5.4409
RFQ
 ECAD 8153 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 34.6V 1.08a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 6175lm (typ) 85 ° C 165 lm/w 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF28YZT2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf28yzt2d2 2.2993
RFQ
 ECAD 9667 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf28 Blanco, neutral descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 2121lm (typ) 85 ° C 114 LM/W - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB25YZR3F8 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb25yzr3f8 -
RFQ
 ECAD 2886 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1850 EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 460ma - 1.50 mm 34.6V 180 Ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 928LM (typ) 85 ° C 149 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8V151550WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V151550WW -
RFQ
 ECAD 4316 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M552B Banda Obsoleto 550.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1139 EAR99 8541.41.0000 40 Tira de Luz lineal - - 5.80 mm 24.7V 600mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1950lm (typ) 50 ° C 132 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB27YZU2E0 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb27yzu2e0 -
RFQ
 ECAD 8626 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1861 EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 460ma - 1.50 mm 34.6V 180 Ma 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 768lm (typ) 85 ° C 123 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE25YZP3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne25yzp3db 1.8060
RFQ
 ECAD 7213 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdne25yzp3db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 900mA - 1.50 mm 34V 450 mm 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2507LM (typ) 85 ° C 164 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM251ZV2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zv2d2 8.8119
RFQ
 ECAD 4539 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 4.14a - 1.50 mm 52V 1.62a 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 12468LM (typ) 85 ° C 148 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK25YZR3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk25yzr3dc 8.4500
RFQ
 ECAD 154 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnk25yzr3dc EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.16a - 1.50 mm 33.7V 1.08a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 6414lm (typ) 85 ° C 176 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDN948YHU2EC Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn948yhu2ec -
RFQ
 ECAD 9863 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC008B Caja Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 672 Cuadrado 430mA - 1.50 mm 36.5V 240 mm 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 892LM (803LM ~ 981LM) 25 ° C 102 lm/w 95 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SL-B7R2N70LCWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B7R2N70LCWW 11.9000
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Hilomo RH12 Una granela Activo 146.60 mm LX 45.00 mm W Módulo liderado - SL-B7 Blanco, genial descascar 1 (ilimitado) 1510-SL-B7R2N70LCWW EAR99 8541.41.0000 192 Tira de Luz lineal 770ma - 5.80 mm 35.3V 700mA 128 ° 5000K 4050LM (3640LM ~ 4460LM) 70 ° C 164 LM/W 70 - Departamento de Departamento
SI-B9W051280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B9W051280WW -
RFQ
 ECAD 8824 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M272F Banda Obsoleto 275.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B9 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1195 EAR99 8542.39.0001 400 Tira de Luz lineal 450 mm - 5.80 mm 12V 450 mm 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 510lm (typ) 55 ° C 94 LM/W 90 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDND25YZU3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd25yzu3d4 3.6100
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd25 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnd25yzu3d4 EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 920 mm - 1.65 mm 33.6V 360 Ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2059lm (TÍP) 85 ° C 170 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG28YZW2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng28yzw2d2 2.9890
RFQ
 ECAD 1309 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng28 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 2470LM (typ) 85 ° C 99 LM/W - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB25YZW3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb25yzw3dc 2.0400
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnb25yzw3dc EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 360 Ma - 1.50 mm 33.7V 180 Ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 945lm (typ) 85 ° C 155 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B9T151550WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B9T151550WW -
RFQ
 ECAD 7896 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M562G Banda Obsoleto 560.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B9 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 40 Tira de Luz lineal 600mA - 5.80 mm 24.7V 600mA 115 ° 4000K 1550lm (TÍP) - 105 lm/w 90 - Departamento de Departamento
SI-N9V2612B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N9V2612B0WW -
RFQ
 ECAD 3348 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. SLE-026 Banda Obsoleto 50.00 mm de diámetro Módulo liderado - Si-N9V Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1679 Obsoleto 0000.00.0000 400 Redondo 700mA - 6.10 mm 33.5V 500mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2080LM (TÍP) 75 ° C 124 LM/W 90 Dia de 19.00 mm Departamento de Departamento
SI-B8T071280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T071280WW -
RFQ
 ECAD 9783 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M272B Banda Obsoleto 275.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1185 EAR99 8541.41.0000 400 Tira de Luz lineal 360 Ma - 5.80 mm 24 V 300mA 115 ° 4000K 991lm (typ) 50 ° C 138 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK27YZU3C2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk27yzu3c2 3.0051
RFQ
 ECAD 2842 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Serie C Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk27 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.61a - 1.50 mm 35V 1.05A 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 3991lm (typ) 85 ° C 109 LM/W 90 DiáMetro de 11.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM251ZT2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zt2db 6.0518
RFQ
 ECAD 2402 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnm251zt2db EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 3.24a - 1.50 mm 51.1V 1.62a 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 13123LM (typ) 85 ° C 159 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDND25YZW3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd25yzw3d2 1.5240
RFQ
 ECAD 9757 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 1764LM (TÍP) 85 ° C 142 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHTL3D303E6PQM2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhtl3d303e6pqm2 -
RFQ
 ECAD 2890 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - - Sphwhtl3 - - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 - - - - - - - - - - - - - -
SPHWHAHDNC27YZU3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc27yzu3d4 3.3200
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc27 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnc27yzu3d4 EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 690ma - 1.65 mm 33.6V 270 Ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1349lm (typ) 85 ° C 149 lm/w 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA25YZV3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna25yzv3d1 -
RFQ
 ECAD 2416 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC003D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 230mA - 1.50 mm 34.6V 90 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 457lm (typ) 85 ° C 147 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK2VYZA2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk2vyza2d2 4.9309
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk2 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 34.6V 1.08a 115 ° 3300K 2 Pasos Macadam Ellipse 4335lm (TÍP) 85 ° C 116 LM/W - 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF27YZV3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf27yzv3d4 5.4600
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf27 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnf27yzv3d4 EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.38a - 1.70 mm 33.6V 540ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2610lm (typ) 85 ° C 144 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHCW1HDNA25YHR31D Samsung Semiconductor, Inc. Sphcw1hdna25yhr31d -
RFQ
 ECAD 2639 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013B Banda Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphcw1 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1718 EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 660ma - 1.60 mm 35.5V 360 Ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1800LM (1680LM ~ 1920LM) 25 ° C 141 LM/W 80 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB25YZT2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb25yzt2d3 0.9372
RFQ
 ECAD 3511 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb25 Blanco, neutral descascar EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 460ma - 1.50 mm 34V 180 Ma 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 1043lm (typ) 85 ° C 170 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM231ZV3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm231zv3d4 17.8100
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm231 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnm231zv3d4 EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 4.14a - 1.70 mm 50.5V 1.62a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 13727LM (typ) 85 ° C 179 LM/W 70 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNE27YHT34K Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne27yht34k 7.5001
RFQ
 ECAD 5551 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2109 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.9a - 1.50 mm 35.5V 1.08a 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 4866LM (4462LM ~ 5269LM) 25 ° C 127 LM/W 90 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
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    Unidad de producto estándar

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