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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tamaña / dimensión | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Color | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Current - Max | Longitud de Onda | Alta | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Real - PrueBa | Ángulo de Visión | CCT (k) | Fljo luminoso @ corriente/temperatura | Temperatura - PrueBa | Lumens/watt @ real - prueba | Cri (Índice de Renderizado de color) | Superficie Emisora de Luz (Les) | Tipo de lente |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI-N8A1016E0WW | 6.0480 | ![]() | 2073 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Un 10 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Módulo liderado | - | SI-N8A1016 | Blanco, Cálido / Blanco, Fresco | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 192 | Cuadrado | - | - | 2.20 mm | 35.9V | 250 Ma | - | 2700k ~ 6500K | 1020lm (typ) | 65 ° C | 114 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdna25yzv3d4 | 1.6400 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen4 | Una granela | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdna25 | Blanco, Cálido | descascar | ROHS3 Cumplante | 2a (4 semanas) | Alcanzar sin afectado | 1510-sphhahdna25yzv3d4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 230mA | - | 1.65 mm | 33.6V | 90 Ma | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 521lm (typ) | 85 ° C | 172 lm/w | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphwhahdnk25yzu3n1 | - | ![]() | 9672 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC040D | Banda | Obsoleto | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnk25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-1968 | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,280 | Cuadrado | 2.76a | - | 1.50 mm | 34.6V | 1.08a | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 5418LM (TÍP) | 85 ° C | 145 lm/w | 80 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8T11125001 | - | ![]() | 7498 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Lam-SQ30B | Caja | Obsoleto | 259.00 mm LX 250.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, neutral | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 900mA | - | 6.70 mm | 15.3V | 700mA | 145 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1440LM (typ) | 35 ° C | 134 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdnk27yzr3d3 | 5.8023 | ![]() | 4471 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnk27 | Blanco, genial | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Cuadrado | 2.76a | - | 1.50 mm | 34V | 1.08a | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 5415lm (typ) | 85 ° C | 147 lm/w | 90 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||||
![]() | SI-B8V114250WW | - | ![]() | 9862 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Lam-SQ30 | Banda | Obsoleto | 259.00 mm LX 250.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1647 | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 540ma | - | 6.60 mm | 30.2V | 350 mm | 145 ° | 3000K | 1445LM (1301LM ~ 1606LM) | 50 ° C | 137 LM/W | 80 | - | Abovovor | ||
![]() | Sphwhahdnf27yzu3d1 | - | ![]() | 2272 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC019D | Banda | Obsoleto | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnf27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.600 | Cuadrado | 970MA | - | 1.50 mm | 34.6V | 540ma | 115 ° | 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse | 2302LM (2287LM ~ 2317LM) | 85 ° C | 123 LM/W | 90 | 17.00 mm de diámetro | Abovovor | |||
![]() | Stoimw757809i65e31 | - | ![]() | 8019 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Matriz al aire libre | Caja | Obsoleto | - | Módulo liderado | - | Stoimw757 | Blanco, genial | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 4 | - | - | - | - | - | - | - | 5700K | 6800LM (TÍP) | - | - | 70 | - | - | |||
![]() | Sphwhahdnf25yzw3j3 | - | ![]() | 4178 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC019D | Banda | Obsoleto | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnf25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-1934 | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.600 | Cuadrado | 1.38a | - | 1.50 mm | 34.6V | 540ma | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 2458LM (typ) | 85 ° C | 132 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Si-B8R14256HWW | 13.9100 | ![]() | 126 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-S562H | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 559.70 mm LX 23.80 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.41.0000 | 128 | Tira de Luz lineal | 540ma | - | 7.40 mm | 46.9V | 300mA | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2290lm (TÍP) | 50 ° C | 163 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdna27yzr3a6 | - | ![]() | 9093 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC003D | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdna27 | Blanco, genial | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 2.400 | Cuadrado | 230mA | - | 1.50 mm | 34.6V | 90 Ma | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 387lm (typ) | 85 ° C | 124 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||||
![]() | SI-B8T031070WW | - | ![]() | 8044 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-H072A | Caja | Obsoleto | 70.00 mm LX 24.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, neutral | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.500 | Tira de Luz lineal | 360 Ma | - | 5.80 mm | 9.5V | 300mA | - | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 370LM (typ) | 50 ° C | 130 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphhahdne25yzv2db | 1.3923 | ![]() | 1681 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphhahdne25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdne25yzv2db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 900mA | - | 1.50 mm | 34V | 450 mm | 115 ° | 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse | 2399lm (typ) | 85 ° C | 157 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
SI-B8R111560WW | - | ![]() | 3734 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-M562A | Banda | Obsoleto | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, genial | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-1105 | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 450 mm | - | 5.80 mm | 24.7V | 450 mm | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1580LM (TÍP) | 50 ° C | 142 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B9W151550WW | - | ![]() | 3600 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-M552G | Banda | Obsoleto | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B9 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 40 | Tira de Luz lineal | 600mA | - | 5.80 mm | 24.7V | 600mA | 115 ° | 2700k | 1350lm (typ) | - | 91 LM/W | 90 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B8T09528001 | - | ![]() | 3549 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LAM-RT32B | Caja | Obsoleto | 273.00 mm LX 216.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, neutral | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-1113 | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 600mA | - | 6.60 mm | 24 V | 385mA | 145 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1320LM (typ) | 35 ° C | 143 LM/W | 80 | - | Abovovor | ||
![]() | SI-B8V16256001 | - | ![]() | 6467 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-E564A | Banda | Obsoleto | 560.00 mm LX 40.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 32 | Tira de Luz lineal | 750 MAPA | - | 5.60 mm | 24.3V | 700mA | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2200LM (TÍP) | 45 ° C | 129 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B9W111550WW | - | ![]() | 6026 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-M552F | Banda | Obsoleto | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B9 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 40 | Tira de Luz lineal | 450 mm | - | 5.80 mm | 24.7V | 450 mm | 115 ° | 2700k | 1020lm (typ) | - | 92 lm/w | 90 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdna25yzv3d1 | - | ![]() | 2416 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC003D | Banda | Obsoleto | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdna25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 2.400 | Cuadrado | 230mA | - | 1.50 mm | 34.6V | 90 Ma | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 457lm (typ) | 85 ° C | 147 lm/w | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B8R10125001 | - | ![]() | 6539 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Dedo-sq64b | Banda | Obsoleto | 259.00 mm LX 250.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, genial | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 1.6a | - | 6.70 mm | 12V | 700mA | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1400LM (typ) | 35 ° C | 167 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphhahdne25yzu3d1 | - | ![]() | 3150 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC016D | Banda | Obsoleto | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphhahdne25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.600 | Cuadrado | 1.15a | - | 1.50 mm | 34.6V | 450 mm | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2376lm (typ) | 85 ° C | 153 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-N8W4012B0WW | - | ![]() | 8389 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | SLE-040 | Banda | Obsoleto | 50.00 mm de diámetro | Chip A Bordo (COB) | Conector | SI-N8W | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-1251 | EAR99 | 8542.39.0001 | 400 | Redondo | 1A | - | 6.10 mm | 34.1V | 900mA | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 4010lm (typ) | 75 ° C | 131 LM/W | 80 | Dia de 19.00 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnc25yzr3c2 | 0.8575 | ![]() | 8940 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Serie C Gen2 | Tape & Reel (TR) | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc25 | Blanco, genial | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,000 | Cuadrado | 380 Ma | - | 1.50 mm | 35V | 300mA | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1348LM (typ) | 85 ° C | 128 LM/W | 80 | Dia de 6.00 mm | Departamento de Departamento | |||||
![]() | Sphwhahdnh25yzu3d2 | 3.7281 | ![]() | 5145 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnh25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 2.3a | - | 1.50 mm | 34.6V | 900mA | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 4779lm (typ) | 85 ° C | 153 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdnd27yzu3dc | 3.1200 | ![]() | 349 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnd27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnd27yzu3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 720 mm | - | 1.50 mm | 33.7V | 360 Ma | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1712lm (typ) | 85 ° C | 141 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnc25yzt3c2 | 0.8575 | ![]() | 6806 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Serie C Gen2 | Tape & Reel (TR) | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc25 | Blanco, neutral | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,000 | Cuadrado | 380 Ma | - | 1.50 mm | 35V | 300mA | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1337LM (typ) | 85 ° C | 127 LM/W | 80 | Dia de 6.00 mm | Departamento de Departamento | |||||
![]() | Sphhahdne27yzr3db | 3.5300 | ![]() | 238 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphhahdne27 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdne27yzr3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 900mA | - | 1.50 mm | 34V | 450 mm | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2200LM (TÍP) | 85 ° C | 144 LM/W | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8U251560WW | 13.3300 | ![]() | 556 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | - | Banda | Activo | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | No Aplicable | 1510-SI-B8U251560WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 2.8a | - | 5.50 mm | 23V | 1.12a | 118 ° | 3500K | 4380LM (typ) | 65 ° C | 170 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B9T311B20US | - | ![]() | 9274 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | * | Banda | Obsoleto | Si-B9 | - | ROHS3 Cumplante | 1510-SI-B9T311B20US | EAR99 | 8541.41.0000 | 80 | |||||||||||||||||||||
![]() | SI-N9V3312B0WW | - | ![]() | 4274 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | SLE-033 | Banda | Obsoleto | 50.00 mm de diámetro | Módulo liderado | - | Si-N9V | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1680 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 400 | Redondo | 900mA | - | 6.10 mm | 33.8V | 700mA | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2660LM (typ) | 75 ° C | 112 LM/W | 90 | Dia de 19.00 mm | Departamento de Departamento |
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