SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora ​​de Luz (Les) Tipo de lente
SI-N8T1123B1US Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8T1123B1US -
RFQ
ECAD 2469 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Acom dle Banda Obsoleto 55.00 mm LX 55.00 mm W Módulo liderado - Si-n8t Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1657 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado - - 12.50 mm 120 VAC - 115 ° 4000K 1200LM (typ) 25 ° C 106 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM251ZR3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zr3d3 11.2793
RFQ
ECAD 9588 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, genial descascar EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 4.14a - 1.50 mm 50V 1.62a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 13836LM (TÍP) 85 ° C 171 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNL251ZQ3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl251zq3d4 12.8600
RFQ
ECAD 160 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl251 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnl251zq3d4 EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.76a - 1.70 mm 50.5V 1.08a 115 ° 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse 9664LM (typ) 85 ° C 177 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA27YZW3A3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna27yzw3a3 -
RFQ
ECAD 3574 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC003D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1847 EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 230mA - 1.50 mm 34.6V 90 Ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 349lm (typ) 85 ° C 112 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNC25YZW3C2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc25yzw3c2 0.8575
RFQ
ECAD 9108 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Serie C Gen2 Tape & Reel (TR) Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc25 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 380 Ma - 1.50 mm 35V 300mA 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 1212lm (typ) 85 ° C 115 lm/w 80 Dia de 6.00 mm Departamento de Departamento
SI-B8U104280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U104280WW -
RFQ
ECAD 4605 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Fin-rt64 Caja Obsoleto 230.00 mm LX 273.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 2.4a - 5.80 mm 11.2V 700mA 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1405LM (TÍP) 35 ° C 179 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWH2HDNE07YHT3C1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwh2hdne07yht3c1 4.9691
RFQ
ECAD 1966 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040C Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 16.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwh2 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1772 EAR99 8541.41.0000 440 Rectángulo 1.62a - 1.50 mm 34.5V 1.08a 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3900LM (TÍP) 85 ° C 105 lm/w 90 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SI-B8T341B2CUS Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T341B2CUS 13.0500
RFQ
ECAD 279 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Veria V Una granela Obsoleto 1120.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, neutral descascar No Aplicable 1510-2215 EAR99 8541.41.0000 360 Tira de Luz lineal 1.08a - 5.50 mm 48V 700mA 120 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 4920LM (typ) 50 ° C 146 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDND25YZQ3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd25yzq3db 1.2075
RFQ
ECAD 3832 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnd25yzq3db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 720 mm - 1.50 mm 34V 360 Ma 115 ° 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse 1928LM (TÍP) 85 ° C 158 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA27YZU3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna27yzu3d1 -
RFQ
ECAD 3017 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC003D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 230mA - 1.50 mm 34.6V 90 Ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 396lm (typ) 85 ° C 127 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNE25YHT34H Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne25yht34h 7.0040
RFQ
ECAD 2048 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2095 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.9a - 1.50 mm 35.5V 1.08a 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5830LM (5635LM ~ 6025LM) 25 ° C 152 lm/w 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA27YZV2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna27yzv2d3 0.5689
RFQ
ECAD 4874 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna27 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 230mA - 1.50 mm 34V 90 Ma 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 428lm (typ) 85 ° C 140 lm/w 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8V151560WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V151560WW -
RFQ
ECAD 3256 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M562B Banda Obsoleto 560.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1140 EAR99 8541.41.0000 280 Tira de Luz lineal 600mA - 5.80 mm 24.7V 600mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1950lm (typ) 50 ° C 132 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDNC27YHV22G Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnc27yhv22g 5.8377
RFQ
ECAD 1597 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2062 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.3a - 1.50 mm 35.5V 720 mm 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 3155LM (2870LM ~ 3440LM) 25 ° C 123 LM/W 90 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNE27YHV24K Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne27yhv24k 7.9194
RFQ
ECAD 5822 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2112 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.9a - 1.50 mm 35.5V 1.08a 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 4603LM (4210LM ~ 4996LM) 25 ° C 120 lm/w 90 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8U111280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U111280WW -
RFQ
ECAD 8002 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LAM-RT30B Banda Obsoleto 216.00 mm LX 273.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 900mA - 6.70 mm 15.3V 700mA 145 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1290lm (typ) 35 ° C 120 lm/w 80 - Abovovor
SPHWHAHDNH25YZW3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh25yzw3d2 3.7281
RFQ
ECAD 2679 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 2.3a - 1.50 mm 34.6V 900mA 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 4418LM (typ) 85 ° C 142 lm/w 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8U102280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U102280WW -
RFQ
ECAD 5924 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-H282A Caja Obsoleto 280.00 mm LX 24.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 320 Tira de Luz lineal 360 Ma - 5.80 mm 34.3V 300mA - 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1310lm (typ) 50 ° C 127 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDNC25YHV2B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnc25yhv2b3 -
RFQ
ECAD 3231 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.050 Cuadrado 1.3a - 1.50 mm 35.5V 720 mm 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 4038LM (3770LM ~ 4306LM) 25 ° C 158 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8U14256HWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U14256HWW 8.2104
RFQ
ECAD 1854 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-S562H Banda No hay para Nuevos Diseños 559.70 mm LX 23.80 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 128 Tira de Luz lineal 540ma - 7.40 mm 46.9V 300mA 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2210lm (typ) 50 ° C 157 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDNB25YHV2B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnb25yhv2b3 -
RFQ
ECAD 7492 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.400 Cuadrado 980 Ma - 1.50 mm 35.5V 540ma 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 3023LM (2819LM ~ 3227LM) 25 ° C 158 LM/W 80 Dia de 12.40 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF2VYZUVD2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf2vyzuvd2 2.9034
RFQ
ECAD 2164 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf2 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2222lm (TÍP) 85 ° C 119 LM/W - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB27YZV3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb27yzv3dc 2.0400
RFQ
ECAD 440 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnb27yzv3dc EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 360 Ma - 1.50 mm 33.7V 180 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 838lm (typ) 85 ° C 137 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG25YZW3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng25yzw3dc 6.2100
RFQ
ECAD 250 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdng25yzw3dc EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.44a - 1.50 mm 33.7V 720 mm 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 3816lm (typ) 85 ° C 157 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDND27YZV3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd27yzv3d2 1.5240
RFQ
ECAD 1348 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1580LM (TÍP) 85 ° C 127 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNB27YHU32J Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnb27yhu32j -
RFQ
ECAD 1731 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019B Caja Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 980 Ma - 1.50 mm 35.5V 540ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2165LM (1894LM ~ 2435LM) 25 ° C 113 LM/W 90 Dia de 12.40 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF25YZV3C2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzv3c2 1.6034
RFQ
ECAD 1582 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Serie C Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 35V 600mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2625lm (typ) 85 ° C 125 lm/w 80 Dia de 8.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDND25YZT3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd25yzt3d2 1.5240
RFQ
ECAD 8110 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd25 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1950lm (typ) 85 ° C 157 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG23YZR3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng23yzr3d2 3.2872
RFQ
ECAD 9797 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng23 Blanco, genial descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 4258LM (typ) 85 ° C 171 LM/W 70 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG27YZU2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng27yzu2d2 2.9475
RFQ
ECAD 1131 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 3319LM (TÍP) 85 ° C 137 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock