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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora ​​de Luz (Les) Tipo de lente
SPHWHAHDNE2VYZU2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne2vyzu2d2 2.2550
RFQ
 ECAD 6006 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne2 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34.6V 450 mm 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 1875lm (TÍP) 85 ° C 120 lm/w - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8V10125001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V10125001 -
RFQ
 ECAD 8231 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Dedo-sq64b Banda Obsoleto 259.00 mm LX 250.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 1.6a - 6.70 mm 11.5V 700mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1300LM (typ) 35 ° C 161 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA27YZW2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna27yzw2d2 0.5578
RFQ
 ECAD 6149 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 230mA - 1.50 mm 34.6V 90 Ma 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 388lm (typ) 85 ° C 125 lm/w 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8U111250WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U111250WW -
RFQ
 ECAD 4480 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Lam-SQ30B Banda Obsoleto 259.00 mm LX 250.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 900mA - 6.70 mm 15.3V 700mA 145 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1290lm (typ) 35 ° C 120 lm/w 80 - Abovovor
SI-N8Q1254B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8Q1254B0WW -
RFQ
 ECAD 6801 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. CM 110 mm G5 Banda Obsoleto 110.00 mm de diámetro LED de motor - Si-n8q Blanco, genial descascar 1 (ilimitado) 1510-SI-N8Q1254B0WW EAR99 8541.41.0000 8 Redondo - - 5.20 mm 27.8V 430mA 120 ° 5700K 2230lm (TÍP) 25 ° C 186 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG25YZW2K0 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng25yzw2k0 -
RFQ
 ECAD 6825 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1952 EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 3225LM (TÍP) 85 ° C 129 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SL-PGR2W53MBWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-PGR2W53MBWW -
RFQ
 ECAD 3343 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. T-type gen2 Banda Obsoleto 150.00 mm LX 65.00 mm W Módulo liderado IP66 SL-PGR2 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 12 Rectángulo 1A - 43.20 mm 30V 700mA - 5000K 2800LM (TÍP) 58 ° C 135 lm/w 75 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG25YZW3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng25yzw3d2 3.2872
RFQ
 ECAD 5198 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 3580LM (typ) 85 ° C 144 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB25YZU3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb25yzu3d1 -
RFQ
 ECAD 6537 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 460ma - 1.50 mm 34.6V 180 Ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 947LM (typ) 85 ° C 152 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8T52256CUS Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T52256CUS -
RFQ
 ECAD 6505 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Serie V Gen2 Una granela Obsoleto 560.00 mm LX 39.80 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, neutral descascar 1 (ilimitado) 1510-SI-B8T52256 CUS EAR99 8541.41.0000 200 Tira de Luz lineal 1.35a - 5.50 mm 46.5V 1.12a - 4000K 8690lm (TÍP) 65 ° C 167 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE27YZV3H7 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne27yzv3h7 -
RFQ
 ECAD 3467 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC016D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1921 EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34.6V 450 mm 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1877LM (typ) 85 ° C 121 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDNA27YHV31G Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdna27yhv31g 2.8362
RFQ
 ECAD 8906 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2024 EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 660ma - 1.60 mm 35.5V 360 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1575lm (1440lm ~ 1710lm) 25 ° C 123 LM/W 90 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNL251ZP3Q6 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl251zp3q6 -
RFQ
 ECAD 9695 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC060D Banda Obsoleto 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl251 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,280 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 52V 1.08a 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 8066lm (typ) 85 ° C 144 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE25YZV2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne25yzv2d2 1.9822
RFQ
 ECAD 4175 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34.6V 450 mm 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 2423LM (typ) 85 ° C 156 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNH27YZR3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh27yzr3d4 7.8200
RFQ
 ECAD 249 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh27 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnh27yzr3d4 EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 2.3a - 1.70 mm 33.6V 900mA 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 4599lm (typ) 85 ° C 152 lm/w 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK23YZV3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk23yzv3d2 5.4409
RFQ
 ECAD 1759 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk23 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 34.6V 1.08a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 6304lm (typ) 85 ° C 169 LM/W 70 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNB25YHW2B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnb25yhw2b3 -
RFQ
 ECAD 4445 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.400 Cuadrado 980 Ma - 1.50 mm 35.5V 540ma 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 2842LM (2650LM ~ 3034LM) 25 ° C 148 LM/W 80 Dia de 12.40 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDND27YHW33Q Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnd27yhw33q 6.1870
RFQ
 ECAD 7255 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC033B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2086 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.62a - 1.50 mm 35.5V 900mA 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 3864LM (3527LM ~ 4200LM) 25 ° C 121 LM/W 90 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8U112250WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U112250WW -
RFQ
 ECAD 4190 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Dedo-sq30b Banda Obsoleto 259.00 mm LX 250.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 900mA - 5.80 mm 15.3V 700mA 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1370LM (typ) 35 ° C 128 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDND25YZT2H6 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd25yzt2h6 -
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd25 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1889 EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 1757lm (typ) 85 ° C 141 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF25YZT3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzt3dc 4.6900
RFQ
 ECAD 247 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnf25yzt3dc EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.08a - 1.50 mm 33.7V 540ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3218LM (typ) 85 ° C 177 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK27YZV3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk27yzv3d4 9.3000
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk27 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnk27yzv3d4 EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.76a - 1.70 mm 33.6V 1.08a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5189lm (typ) 85 ° C 143 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM251ZW2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zw2d3 9.9748
RFQ
 ECAD 2188 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 4.14a - 1.50 mm 50V 1.62a 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 12437LM (typ) 85 ° C 153 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNH25YZQ3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh25yzq3d4 7.1800
RFQ
 ECAD 7729 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh25 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnh25yzq3d4 EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 2.3a - 1.70 mm 33.6V 900mA 115 ° 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse 5277LM (typ) 85 ° C 175 lm/w 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF28YZV3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf28yzv3d2 2.5640
RFQ
 ECAD 8139 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf28 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1976LM (TÍP) 85 ° C 106 LM/W - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNL251ZP3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl251zp3d3 7.8376
RFQ
 ECAD 1975 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl251 Blanco, genial descascar EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 51V 1.08a 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 9253LM (typ) 85 ° C 168 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE25YZV2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne25yzv2d3 2.1309
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne25 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34V 450 mm 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 2497LM (typ) 85 ° C 163 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8V095280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V095280WW -
RFQ
 ECAD 8655 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LAM-RT32B Caja Obsoleto 273.00 mm LX 216.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1136 EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo - - 5.60 mm 24 V 385mA 145 ° 3000K 1130LM (1010LM ~ 1260LM) 35 ° C 123 LM/W 80 - Abovovor
SPHWHAHDNH25YZR3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh25yzr3dc 7.3600
RFQ
 ECAD 246 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnh25yzr3dc EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.8a - 1.50 mm 33.7V 900mA 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5240LM (typ) 85 ° C 173 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF27YZW2D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf27yzw2d1 -
RFQ
 ECAD 3672 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 970MA - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 2157LM (2104LM ~ 2210LM) 85 ° C 115 lm/w 90 17.00 mm de diámetro Abovovor
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

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