SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora ​​de Luz (Les) Tipo de lente
SPHWH2HDNE05YHT2C1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwh2hdne05yht2c1 5.8276
RFQ
ECAD 9944 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040C Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 16.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwh2 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 440 Rectángulo 1.62a - 1.50 mm 34.5V 1.08a 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 4760LM (TÍP) 85 ° C 128 LM/W 80 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK27YZR3M5 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk27yzr3m5 -
RFQ
ECAD 1930 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040D Banda Obsoleto 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk27 Blanco, genial descascar EAR99 8541.41.0000 1,280 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 34.6V 1.08a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 4796lm (typ) 85 ° C 128 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF25YZP3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzp3d1 -
RFQ
ECAD 9574 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 970MA - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2795lm (2726lm ~ 2863lm) 85 ° C 150 lm/w 80 17.00 mm de diámetro Abovovor
SPHWW1HDNC25YHW32F Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnc25yhw32f -
RFQ
ECAD 3608 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Banda Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.3a - 1.50 mm 35.5V 720 mm 115 ° 2700k 2920LM (2500LM ~ 3340LM) 25 ° C 114 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWH2HDNA05YHW2C1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwh2hdna05yhw2c1 3.1335
RFQ
ECAD 6291 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC010C Banda No hay para Nuevos Diseños 15.00 mm LX 12.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwh2 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 624 Rectángulo 405 Ma - 1.50 mm 34.5V 270 Ma 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 1070LM (TÍP) 85 ° C 115 lm/w 80 Dia de 6.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK27YZU2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk27yzu2d3 4.7867
RFQ
ECAD 9841 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk27 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 34V 1.08a 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 5260LM (typ) 85 ° C 143 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE25YZU3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne25yzu3d3 2.2851
RFQ
ECAD 3867 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne25 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34V 450 mm 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2570LM (TÍP) 85 ° C 168 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8R09528001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R09528001 -
RFQ
ECAD 3566 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LAM-RT32B Caja Obsoleto 273.00 mm LX 216.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1102 EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 600mA - 6.60 mm 24 V 385mA 145 ° 5000K 4 Pasos Macadam Ellipse 1360LM (typ) 35 ° C 148 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SL-B8T1N50L4WW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8T1N50L4WW 10.1500
RFQ
ECAD 131 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. - Una granela Activo 81.00 mm LX 81.00 mm W Módulo liderado - SL-B8T1 Blanco, neutral descascar 1 (ilimitado) 1510-SL-B8T1N50L4WW EAR99 8541.41.0000 240 Cuadrado 770ma - 5.30 mm 19.7V 700mA 120 ° 4000k de 7 Pasos Macadam Ellipse 2430LM (typ) 70 ° C 176 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDN947YHU3FG Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn947yhu3fg -
RFQ
ECAD 9198 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC008B Caja Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 672 Cuadrado 430mA - 1.50 mm 36.5V 240 mm 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1050lm (929lm ~ 1171lm) 25 ° C 120 lm/w 90 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNL251ZU2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl251zu2db 4.5857
RFQ
ECAD 4188 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl251 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnl251zu2db EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.16a - 1.50 mm 51.1V 1.08a 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 8680LM (TÍP) 85 ° C 157 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-N8R4012B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8R4012B0WW -
RFQ
ECAD 7875 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. SLE-040 Banda Obsoleto 50.00 mm de diámetro Chip A Bordo (COB) Conector Si-n8r Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1255 EAR99 8542.39.0001 400 Redondo 1A - 6.10 mm 34.1V 900mA 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 4560lm (TÍP) 75 ° C 149 lm/w 80 Dia de 19.00 mm Departamento de Departamento
SI-B8U07228SWW Samsung Semiconductor, Inc. Si-B8U07228SWW 5.0292
RFQ
ECAD 9408 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-S282F Banda No hay para Nuevos Diseños 279.70 mm LX 23.80 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 128 Tira de Luz lineal 1.44a - 7.40 mm 8.8v 800mA 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1090lm (typ) 50 ° C 155 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNL271ZU3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl271zu3dc 11.8900
RFQ
ECAD 160 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC060D Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhah Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnl271zu3dc 160 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 52V 1.08a 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 7539lm (typ) 85 ° C 134 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF25YZP3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzp3db 2.0722
RFQ
ECAD 5397 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnf25yzp3db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.08a - 1.50 mm 34V 540ma 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2966lm (TÍP) 85 ° C 162 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8R101250WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R101250WW -
RFQ
ECAD 7982 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Dedo-sq64b Banda Obsoleto 230.00 mm LX 273.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 1.6a - 6.70 mm 11.5V 700mA 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1310lm (typ) 35 ° C 163 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG27YZT3J8 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng27yzt3j8 -
RFQ
ECAD 8500 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng27 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1955 EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3051lm (typ) 85 ° C 122 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG27YZT2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng27yzt2d3 3.2630
RFQ
ECAD 3446 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng27 Blanco, neutral descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34V 720 mm 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 3526lm (typ) 85 ° C 144 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8R071B00WW Samsung Semiconductor, Inc. Si-B8R071B00WW 8.4700
RFQ
ECAD 157 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Se Estándar retocedido Una granela Activo 1100.00 mm LX 13.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-SI-B8R071B00WW EAR99 8541.41.0000 150 Tira de Luz lineal 400mA - 6.00 mm 41.5V 176MA 160 ° 5000K 1300LM (typ) 40 ° C 178 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-B8U09528001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U09528001 -
RFQ
ECAD 5355 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LAM-RT32B Caja Obsoleto 273.00 mm LX 216.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1124 EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 600mA - 6.60 mm 24 V 385mA 145 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1280LM (typ) 35 ° C 139 LM/W 80 - Abovovor
SPHWHAHDNG28YZT2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng28yzt2d2 3.0482
RFQ
ECAD 7958 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng28 Blanco, neutral descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 2786lm (typ) 85 ° C 112 LM/W - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG27YZR3J8 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng27yzr3j8 -
RFQ
ECAD 5832 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng27 Blanco, genial descascar EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3077LM (typ) 85 ° C 124 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8U11128001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U11128001 -
RFQ
ECAD 7567 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LAM-RT30B Caja Obsoleto 216.00 mm LX 273.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 900mA - 6.60 mm 15V 700mA 145 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1390lm (typ) 35 ° C 132 LM/W 80 - Abovovor
SPHWW1HDNE27YHT24J Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne27yht24j -
RFQ
ECAD 4154 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Caja Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.9a - - 35.5V 1.08a - 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 4634lm (TÍP) 25 ° C 121 LM/W 90 - -
SPHWHAHDNF25YZT3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzt3d1 -
RFQ
ECAD 3584 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 970MA - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2795lm (2726lm ~ 2863lm) 85 ° C 150 lm/w 80 17.00 mm de diámetro Abovovor
SL-B8V4N80L1WW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8V4N80L1WW -
RFQ
ECAD 4712 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Influx_S04 Banda Obsoleto 279.60 mm LX 39.60 mm W Módulo liderado Conector SL-B8V4 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1356 EAR99 8541.41.0000 160 Tira de Luz lineal 1.38a - 5.90 mm 24.1V 1.38a 115 ° 3000K 4195lm (typ) 65 ° C 126 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK27YZR3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk27yzr3db 7.4300
RFQ
ECAD 136 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk27 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnk27yzr3db EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.16a - 1.50 mm 34V 1.08a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5325lm (typ) 85 ° C 145 lm/w 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDND25YZU2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd25yzu2d2 1.4901
RFQ
ECAD 1201 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 1915lm (typ) 85 ° C 154 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNE25YHV34G Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne25yhv34g -
RFQ
ECAD 6585 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Gen2 Banda Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2102 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.9a - 1.50 mm 35.5V 1.08a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5615LM (5255LM ~ 5975LM) 25 ° C 146 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG27YZV2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng27yzv2d2 3.0059
RFQ
ECAD 1468 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 3223LM (typ) 85 ° C 133 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock