SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora ​​de Luz (Les) Tipo de lente
SPHWW1HDNA27YHV2B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdna27yhv2b3 -
RFQ
ECAD 6027 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.400 Cuadrado 660ma - 1.60 mm 35.5V 360 Ma 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 1652lm (1440lm ~ 1863lm) 25 ° C 129 LM/W 90 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE2VYZUVD2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne2vyzuvd2 2.4659
RFQ
ECAD 1820 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne2 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34.6V 450 mm 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1875lm (TÍP) 85 ° C 108 LM/W - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SL-B8R5C9H1AWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8R5C9H1AWW 22.7700
RFQ
ECAD 307 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Horticultura l2 Una granela Obsoleto 281.00 mm LX 41.00 mm W Módulo liderado - SL-B8R5 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-SL-B8R5C9H1AWW EAR99 8541.41.0000 160 Tira de Luz lineal 1.6a - 5.20 mm 21.5V 1.2a 118 ° 5390k (4990k ~ 5820k) 4110LM (3600LM ~ 4400LM) 25 ° C 159 LM/W - - Departamento de Departamento
SPHWW1HDND27YHT33Q Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnd27yht33q 6.0669
RFQ
ECAD 3964 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC033B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2080 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.62a - 1.50 mm 35.5V 900mA 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 4163LM (3815LM ~ 4511LM) 25 ° C 130 lm/w 90 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8V041500WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V041500WW 6.7600
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. * Una granela Activo Si-B8 - Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-SI-B8V041500WW EAR99 8541.41.0000 300
SPHWHAHDNA25YZV3B1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna25yzv3b1 -
RFQ
ECAD 6088 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC003D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1837 EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 230mA - 1.50 mm 34.6V 90 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 435lm (typ) 85 ° C 140 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNC27YHT32F Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnc27yht32f -
RFQ
ECAD 4213 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Banda Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.3a - 1.50 mm 35.5V 720 mm 115 ° 4000K 2785LM (2285LM ~ 3285LM) 25 ° C 109 LM/W 90 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDN825YHU3EE Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn825yhu3ee 1.5063
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1982 EAR99 8541.41.0000 672 Cuadrado 320 mm - 1.50 mm 35.5V 180 Ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 973LM (913LM ~ 1033LM) 25 ° C 152 lm/w 80 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB25YZT3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb25yzt3dc 2.0400
RFQ
ECAD 499 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb25 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnb25yzt3dc EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 360 Ma - 1.50 mm 33.7V 180 Ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1038lm (typ) 85 ° C 170 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8U11125001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U11125001 -
RFQ
ECAD 5942 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Lam-SQ30B Caja Obsoleto 259.00 mm LX 250.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 900mA - 6.70 mm 15V 700mA 145 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1390lm (typ) 35 ° C 132 LM/W 80 - Abovovor
SPHWHAHDNM251ZR3U2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zr3u2 -
RFQ
ECAD 4539 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC080D Banda Obsoleto 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,280 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 52V 1.62a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 11847LM (typ) 85 ° C 141 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG27YZW3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdng27yzw3dc 6.2100
RFQ
ECAD 245 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdng27yzw3dc EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.44a - 1.50 mm 33.7V 720 mm 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 3222LM (typ) 85 ° C 133 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8UZ91B2CUS Samsung Semiconductor, Inc. Si-B8UZ91B2CUS -
RFQ
ECAD 3223 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-VB24F Banda Obsoleto 1200.00 mm LX 39.80 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, Cálido descascar No Aplicable EAR99 8541.41.0000 160 Tira de Luz lineal 3.24a - 5.50 mm 48.8V 2.24a - 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 14976LM (13480LM ~ 16475LM) 65 ° C 137 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNH23YZT3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh23yzt3d2 3.7281
RFQ
ECAD 9655 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh23 Blanco, neutral descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 2.3a - 1.50 mm 34.6V 900mA 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5175lm (TÍP) 85 ° C 166 LM/W 70 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM271ZT3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm271zt3dc 14.8800
RFQ
ECAD 127 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm271 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnm271zt3dc EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 3.24a - 1.50 mm 50.6V 1.62a 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 11743LM (typ) 85 ° C 144 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF25YZT2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzt2d2 2.3229
RFQ
ECAD 2934 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 3026lm (typ) 85 ° C 162 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8V152560WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V152560WW 10.0900
RFQ
ECAD 238 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M562B_G2 Banda Obsoleto 560.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1322 EAR99 8541.41.0000 280 Tira de Luz lineal 720 mm - 4.40 mm 24.8V 600mA 115 ° 3000K 4 Pasos Macadam Ellipse 2105lm (typ) 50 ° C 141 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-B8U521B20WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U521B20WW 21.5800
RFQ
ECAD 905 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. F-Series Gen3 Una granela Activo 1120.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar No Aplicable 1510-2226 EAR99 8541.41.0000 200 Tira de Luz lineal - - 5.20 mm 46V 1.12a - 3500K 8800LM (TÍP) 65 ° C 171 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-B8T52156CUS Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T52156CUS 14.4100
RFQ
ECAD 133 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-V564F Banda Obsoleto 560.00 mm LX 39.80 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, neutral descascar No Aplicable EAR99 8541.41.0000 150 Tira de Luz lineal 1.62a - 5.50 mm 48.8V 1.12a - 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 7816LM (7035LM ~ 8600LM) 65 ° C 143 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SL-B8T3N80LAWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8T3N80LAWW 20.9200
RFQ
ECAD 95 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. H afluencia Banda Activo 560.00 mm LX 24.00 mm W Módulo liderado - SL-B8T3 Blanco, neutral descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 210 Tira de Luz lineal 2.2a - 5.20 mm 22.4V 1.43a 118 ° 4000K 6110lm (typ) 55 ° C 191 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB25YZV3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb25yzv3d3 0.9531
RFQ
ECAD 1164 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb25 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 460ma - 1.50 mm 34V 180 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 994lm (typ) 85 ° C 162 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK27YZT3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk27yzt3d1 -
RFQ
ECAD 8849 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040D Banda Obsoleto 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk27 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,280 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 34.6V 1.08a 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 4979lm (TÍP) 85 ° C 133 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SL-B8R4N90LALA Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8R4N90LALA -
RFQ
ECAD 1966 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. * Banda Obsoleto SL-B8R4 - No Aplicable 1510-SL-B8R4N90LALA Obsoleto 1
SPHWHAHDNL271ZV3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl271zv3d2 7.4482
RFQ
ECAD 3905 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl271 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 52V 1.08a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 7352lm (TÍP) 85 ° C 131 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNE25YHT2B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne25yht2b3 -
RFQ
ECAD 8523 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.050 Cuadrado 1.9a - 1.50 mm 35.5V 1.08a 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 6075LM (5635LM ~ 6515LM) 25 ° C 158 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDND25YZV2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd25yzv2d2 1.5196
RFQ
ECAD 3382 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 1857lm (TÍP) 85 ° C 149 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8R17156CWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R17156CWW -
RFQ
ECAD 2787 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Veria V Banda Obsoleto 560.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 280 Tira de Luz lineal 900mA - 5.50 mm 24 V 700mA - 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2460LM (2214LM ~ 2706LM) 50 ° C 146 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDNA2VYHT31F Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdna2vyht31f -
RFQ
ECAD 9474 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013B Banda Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2026 EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 660ma - 1.60 mm 35.5V - 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1608LM (1415LM ~ 1801LM) 25 ° C - - DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWH2HDNE08YHU3C1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwh2hdne08yhu3c1 5.5745
RFQ
ECAD 3819 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040C Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 16.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwh2 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 440 Rectángulo 1.62a - 1.50 mm 34.5V 1.08a 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 3550LM (TÍP) 85 ° C 95 lm/w 92 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK25YZV3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk25yzv3d2 5.4409
RFQ
ECAD 5323 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 34.6V 1.08a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5837lm (TÍP) 85 ° C 156 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

    Almacén en stock