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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tamaña / dimensión	TUPO	Cuidadas	Base Número de Producto	Color	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Current - Max	Longitud de Onda	Alta	Voltaje - Forward (VF) (Typ)	Real - PrueBa	Ángulo de Visión	CCT (k)	Fljo luminoso @ corriente/temperatura	Temperatura - PrueBa	Lumens/watt @ real - prueba	Cri (Índice de Renderizado de color)	Superficie Emisora de Luz (Les)	Tipo de lente
Sphww1hdnb25yhu2b3	-	RFQ	9361	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019B Gen3	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido	descascar		1 (ilimitado)		EAR99	8541.41.0000	1.400	Cuadrado	980 Ma	-	1.50 mm	35.5V	540ma	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	3022LM (2725LM ~ 3319LM)	25 ° C	158 LM/W	80	Dia de 12.40 mm	Departamento de Departamento
Sphww1hdnb27yhv2b3	-	RFQ	9788	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019B Gen3	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido	descascar		1 (ilimitado)		EAR99	8541.41.0000	1.400	Cuadrado	980 Ma	-	1.50 mm	35.5V	540ma	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	2443LM (2127LM ~ 2759LM)	25 ° C	127 LM/W	90	Dia de 12.40 mm	Departamento de Departamento
SI-B8R26256CUS	8.5300	RFQ	554	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie V Gen2	Banda	Activo	560.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-B8	Blanco, genial	descascar		No Aplicable	1510-SI-B8R26256 CUS	EAR99	8541.41.0000	150	Tira de Luz lineal	1.35a	-	5.50 mm	23.3V	1.12a	-	5000K	4400LM (TÍP)	65 ° C	169 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-N8T3312B0WW	-	RFQ	4135	Samsung Semiconductor, Inc.	SLE-033	Banda	Obsoleto	50.00 mm de diámetro	Chip A Bordo (COB)	Conector	Si-n8t	Blanco, neutral	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)	1510-1249	EAR99	8542.39.0001	400	Redondo	900mA	-	6.10 mm	33.8V	700mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	3510lm (typ)	75 ° C	148 LM/W	80	Dia de 19.00 mm	Departamento de Departamento
SL-P7T2E35SZWW	-	RFQ	4508	Samsung Semiconductor, Inc.	TUPO E	Banda	Obsoleto	125.00 mm LX 50.00 mm W	Módulo liderado	-	SL-P7T2	Blanco, neutral	-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	12	Rectángulo	700mA	-	41.60 mm	30V	700mA	-	4000K	2100LM (typ)	65 ° C	100 lm/w	70	-	-
Sphwhahdng25yzp3d1	-	RFQ	4429	Samsung Semiconductor, Inc.	LC026D	Banda	Obsoleto	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng25	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	1.600	Cuadrado	1.84a	-	1.50 mm	34.6V	720 mm	115 °	6500K 3 Pasos Macadam Ellipse	3736lm (typ)	85 ° C	150 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh25yzt2d3	3.8126	RFQ	7323	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh25	Blanco, neutral	descascar				EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	2.3a	-	1.50 mm	34V	900mA	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	5089lm (typ)	85 ° C	166 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh2vyzavd2	4.1585	RFQ	7427	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh2	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	2.3a	-	1.50 mm	34.6V	900mA	115 °	3300K 3 Pasos Macadam Ellipse	3488LM (TÍP)	85 ° C	112 LM/W	-	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
SI-B9V113280WW	-	RFQ	1256	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M272H	Banda	Obsoleto	275.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-B9	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable	1510-1203	EAR99	8542.39.0001	400	Tira de Luz lineal	450 mm	-	5.80 mm	25V	450 mm	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1035lm (typ)	55 ° C	92 lm/w	90	-	Departamento de Departamento
SI-B9U111560WW	-	RFQ	4889	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M562F	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-B9	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)	1510-1209	EAR99	8542.39.0001	280	Tira de Luz lineal	450 mm	-	5.80 mm	24.7V	450 mm	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	1120LM (typ)	50 ° C	101 LM/W	90	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdna27yzr3dc	1.4800	RFQ	388	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna27	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-sphhahdna27yzr3dc	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	180 Ma	-	1.50 mm	33.7V	90 Ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	459lm (typ)	85 ° C	151 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnd25yzq3d3	1.6518	RFQ	5694	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd25	Blanco, genial	descascar				EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	920 mm	-	1.50 mm	34V	360 Ma	115 °	5700K 3 Pasos Macadam Ellipse	2053LM (typ)	85 ° C	168 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8R102280WW	-	RFQ	4550	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-H282A	Banda	Obsoleto	280.00 mm LX 24.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, genial	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		EAR99	8541.41.0000	320	Tira de Luz lineal	360 Ma	-	5.80 mm	34.3V	300mA	-	5000K 4 Pasos Macadam Ellipse	1390lm (typ)	50 ° C	135 lm/w	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf25yzw2db	1.5977	RFQ	8778	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-sphhahdnf25yzw2db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.08a	-	1.50 mm	34V	540ma	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	2742lm (typ)	85 ° C	149 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwh2hdnc05yhqtc1	3.3783	RFQ	1802	Samsung Semiconductor, Inc.	LC020C	Banda	No hay para Nuevos Diseños	15.00 mm LX 12.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwh2	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	624	Rectángulo	810 Ma	-	1.50 mm	34.5V	540ma	115 °	5700K	2520lm (typ)	85 ° C	135 lm/w	80	Dia de 8.00 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnm271zu2d2	8.6408	RFQ	4566	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm271	Blanco, Cálido	descascar				EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	4.14a	-	1.50 mm	52V	1.62a	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	11004LM (typ)	85 ° C	131 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf25yzw2d1	-	RFQ	4924	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019D	Banda	Obsoleto	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	1.600	Cuadrado	970MA	-	1.50 mm	34.6V	540ma	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	2520LM (2458LM ~ 2581LM)	85 ° C	135 lm/w	80	17.00 mm de diámetro	Abovovor
SI-B9V171560WW	-	RFQ	5498	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M562H	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-B9	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)	1510-1216	EAR99	8542.39.0001	280	Tira de Luz lineal	900mA	-	5.80 mm	24 V	700mA	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1700LM (TÍP)	50 ° C	101 LM/W	90	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk27yzr3c2	3.0051	RFQ	1741	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie C Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk27	Blanco, genial	descascar				EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.61a	-	1.50 mm	35V	1.05A	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	4108LM (typ)	85 ° C	112 LM/W	90	DiáMetro de 11.50 mm	Departamento de Departamento
Sphww1hdnd27yhu33q	6.1870	RFQ	1671	Samsung Semiconductor, Inc.	LC033B Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	21.50 mm LX 21.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-2082	EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	1.62a	-	1.50 mm	35.5V	900mA	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	4051LM (3707LM ~ 4394LM)	25 ° C	127 LM/W	90	17.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk27yzr3d1	-	RFQ	2478	Samsung Semiconductor, Inc.	LC040D	Banda	Obsoleto	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk27	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	1,280	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34.6V	1.08a	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5036lm (typ)	85 ° C	135 lm/w	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnl251zw3d3	7.6854	RFQ	9686	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnl251	Blanco, Cálido	descascar				EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	51V	1.08a	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	8386lm (typ)	85 ° C	152 lm/w	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-N9T2612B0WW	-	RFQ	4716	Samsung Semiconductor, Inc.	SLE-026	Banda	Obsoleto	50.00 mm de diámetro	Módulo liderado	-	Si-n9t	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable	1510-1673	Obsoleto	0000.00.0000	400	Redondo	700mA	-	6.10 mm	33.5V	500mA	115 °	4000K 4 Pasos Macadam Ellipse	2250lm (TÍP)	75 ° C	134 LM/W	90	Dia de 19.00 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdna25yzv2d3	0.5802	RFQ	2867	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna25	Blanco, Cálido	descascar				EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	230mA	-	1.50 mm	34V	90 Ma	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	499lm (typ)	85 ° C	163 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphww1hdna25yhw3b3	-	RFQ	8876	Samsung Semiconductor, Inc.	LC013B Gen3	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido	descascar		1 (ilimitado)		EAR99	8541.41.0000	1.400	Cuadrado	660ma	-	1.60 mm	35.5V	360 Ma	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	1969LM (1800LM ~ 2138LM)	25 ° C	154 LM/W	80	DiáMetro de 11.00 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh25yzv3d3	4.0475	RFQ	6580	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh25	Blanco, Cálido	descascar				EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	2.3a	-	1.50 mm	34V	900mA	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	4847LM (TÍP)	85 ° C	158 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphww1hdnb27yhv22k	3.8805	RFQ	8990	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019B Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-2041	EAR99	8541.41.0000	480	Cuadrado	980 Ma	-	1.50 mm	35.5V	540ma	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	2327LM (2127LM ~ 2527LM)	25 ° C	121 LM/W	90	Dia de 12.40 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb27yzr3dc	2.0400	RFQ	488	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb27	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-sphhahdnb27yzr3dc	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	360 Ma	-	1.50 mm	33.7V	180 Ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	902LM (typ)	85 ° C	148 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8T111550WW	-	RFQ	9093	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M552A	Banda	Obsoleto	550.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, neutral	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)	1510-1115	EAR99	8541.41.0000	40	Tira de Luz lineal	-	-	5.80 mm	24.7V	450 mm	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1530LM (TÍP)	50 ° C	138 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SL-B8R4N90LALA	-	RFQ	1966	Samsung Semiconductor, Inc.	*	Banda	Obsoleto				SL-B8R4		-		No Aplicable	1510-SL-B8R4N90LALA	Obsoleto		1