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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tamaña / dimensión | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Color | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Current - Max | Longitud de Onda | Alta | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Real - PrueBa | Ángulo de Visión | CCT (k) | Fljo luminoso @ corriente/temperatura | Temperatura - PrueBa | Lumens/watt @ real - prueba | Cri (Índice de Renderizado de color) | Superficie Emisora de Luz (Les) | Tipo de lente |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Sphwhahdnm251zw3db | 7.1935 | ![]() | 6765 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnm251 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnm251zw3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Cuadrado | 3.24a | - | 1.50 mm | 51.1V | 1.62a | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 12051lm (typ) | 85 ° C | 146 LM/W | 80 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphhahdne25yzt3db | 3.4600 | ![]() | 495 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphhahdne25 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdne25yzt3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 900mA | - | 1.50 mm | 34V | 450 mm | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2520lm (typ) | 85 ° C | 165 lm/w | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphwhahdna25yzr3db | 1.3700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdna25 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdna25yzr3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 360 Ma | - | 1.50 mm | 34V | 180 Ma | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 516lm (typ) | 85 ° C | 84 LM/W | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphhahdne27yzv3db | 3.5300 | ![]() | 238 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphhahdne27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdne27yzv3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 900mA | - | 1.50 mm | 34V | 450 mm | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1986LM (TÍP) | 85 ° C | 130 lm/w | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphwhahdnd27yzt3db | 3.0500 | ![]() | 466 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnd27 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnd27yzt3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 720 mm | - | 1.50 mm | 34V | 360 Ma | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1670LM (typ) | 85 ° C | 136 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphwhahdna25yzu3db | 1.3700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdna25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdna25yzu3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 360 Ma | - | 1.50 mm | 34V | 180 Ma | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 501lm (typ) | 85 ° C | 82 lm/w | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphwhahdnb25yzu3db | 1.8000 | ![]() | 498 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnb25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnb25yzu3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 360 Ma | - | 1.50 mm | 34V | 180 Ma | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1001lm (typ) | 85 ° C | 164 LM/W | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphhahdne25yzv3db | 3.5300 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphhahdne25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdne25yzv3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 900mA | - | 1.50 mm | 34V | 450 mm | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2399lm (typ) | 85 ° C | 157 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphwhahdng27yzu2db | 2.0330 | ![]() | 5714 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdng27yzu2db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.44a | - | 1.50 mm | 34V | 720 mm | 115 ° | 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse | 3319LM (TÍP) | 85 ° C | 136 LM/W | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphwhahdnd27yzu2db | 1.0407 | ![]() | 2046 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnd27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnd27yzu2db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 720 mm | - | 1.50 mm | 34V | 360 Ma | 115 ° | 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse | 1635lm (typ) | 85 ° C | 134 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphwhahdnc25yzv2db | 0.8297 | ![]() | 3257 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnc25yzv2db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 540ma | - | 1.50 mm | 34V | 270 Ma | 115 ° | 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse | 1425lm (typ) | 85 ° C | 155 lm/w | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphwhahdnc27yzv2db | 0.8297 | ![]() | 4550 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnc27yzv2db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 540ma | - | 1.50 mm | 34V | 270 Ma | 115 ° | 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse | 1212lm (typ) | 85 ° C | 132 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |
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![]() | SI-B8V15156CWW | 5.6700 | ![]() | 447 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-V562B | Banda | Obsoleto | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-2132 | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 720 mm | - | 5.50 mm | 25.4V | 630mA | 120 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2045lm (typ) | 50 ° C | 128 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |
![]() | SI-B8U08128CWW | 3.1800 | ![]() | 340 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-V282B | Banda | Obsoleto | 275.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-2139 | EAR99 | 8541.41.0000 | 560 | Tira de Luz lineal | 360 Ma | - | 5.50 mm | 25.2V | 300mA | 120 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 995lm (typ) | 50 ° C | 132 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |
![]() | Si-b8u221b2cus | 9.1800 | ![]() | 349 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-VB22A | Banda | Activo | 1120.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-2155 | EAR99 | 8541.41.0000 | 360 | Tira de Luz lineal | 1.08a | - | 5.50 mm | 25.2V | 840 Ma | 120 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2800LM (TÍP) | 50 ° C | 132 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphwhahdnd25yzv2d2 | 1.5196 | ![]() | 3382 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnd25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,000 | Cuadrado | 920 mm | - | 1.50 mm | 34.6V | 360 Ma | 115 ° | 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse | 1857lm (TÍP) | 85 ° C | 149 lm/w | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnh25yzw2d2 | 3.5812 | ![]() | 7890 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnh25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 2.3a | - | 1.50 mm | 34.6V | 900mA | 115 ° | 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse | 4418LM (typ) | 85 ° C | 142 lm/w | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Si-B8R097260WW | - | ![]() | 1273 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | F-Series Gen3 | Banda | Obsoleto | - | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Tira de Luz lineal | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Departamento de Departamento | ||
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![]() | SI-B8V17156CWW | - | ![]() | 9384 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Veria V | Banda | Obsoleto | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 900mA | - | 5.50 mm | 24 V | 700mA | - | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2270LM (2043LM ~ 2497LM) | 50 ° C | 135 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdna25yzq3d2 | 0.5645 | ![]() | 3884 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdna25 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,000 | Cuadrado | 230mA | - | 1.50 mm | 34.6V | 90 Ma | 115 ° | 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse | 513lm (typ) | 85 ° C | 165 lm/w | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdna25yzu2d1 | - | ![]() | 2490 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC003D | Banda | Obsoleto | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdna25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 2.400 | Cuadrado | 230mA | - | 1.50 mm | 34.6V | 90 Ma | 115 ° | 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse | 474lm (typ) | 85 ° C | 152 lm/w | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdna27yzv2d2 | 0.5578 | ![]() | 9935 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdna27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,000 | Cuadrado | 230mA | - | 1.50 mm | 34.6V | 90 Ma | 115 ° | 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse | 406lm (typ) | 85 ° C | 130 lm/w | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnb25yzp3d2 | 0.8915 | ![]() | 8147 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnb25 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,000 | Cuadrado | 460ma | - | 1.50 mm | 34.6V | 180 Ma | 115 ° | 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1018lm (typ) | 85 ° C | 163 LM/W | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnb25yzq3d1 | - | ![]() | 5479 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC006D | Banda | Obsoleto | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnb25 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 2.400 | Cuadrado | 460ma | - | 1.50 mm | 34.6V | 180 Ma | 115 ° | 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse | 975lm (typ) | 85 ° C | 157 LM/W | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnc25yzq3d1 | - | ![]() | 8596 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC009D | Banda | Obsoleto | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc25 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 2.400 | Cuadrado | 690ma | - | 1.50 mm | 34.6V | 270 Ma | 115 ° | 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1425lm (typ) | 85 ° C | 153 LM/W | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnd25yzp3d1 | - | ![]() | 2903 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC013D | Banda | Obsoleto | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnd25 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 2.400 | Cuadrado | 920 mm | - | 1.50 mm | 34.6V | 360 Ma | 115 ° | 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1834LM (TÍP) | 85 ° C | 147 lm/w | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnd25yzq3d1 | - | ![]() | 5132 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC013D | Banda | Obsoleto | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnd25 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 2.400 | Cuadrado | 920 mm | - | 1.50 mm | 34.6V | 360 Ma | 115 ° | 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1861lm (typ) | 85 ° C | 149 lm/w | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphhahdne25yzq3d2 | 2.1675 | ![]() | 9919 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphhahdne25 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 1.15a | - | 1.50 mm | 34.6V | 450 mm | 115 ° | 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2581lm (typ) | 85 ° C | 166 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento |
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