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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tamaña / dimensión | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Color | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Current - Max | Longitud de Onda | Alta | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Real - PrueBa | Ángulo de Visión | CCT (k) | Fljo luminoso @ corriente/temperatura | Temperatura - PrueBa | Lumens/watt @ real - prueba | Cri (Índice de Renderizado de color) | Superficie Emisora de Luz (Les) | Tipo de lente |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Sphwhahdnf25yzw3d2 | 2.5401 | ![]() | 6229 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnf25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 1.38a | - | 1.50 mm | 34.6V | 540ma | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 2728LM (typ) | 85 ° C | 146 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdng25yzv2d1 | - | ![]() | 1958 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC026D | Banda | Obsoleto | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.600 | Cuadrado | 1.84a | - | 1.50 mm | 34.6V | 720 mm | 115 ° | 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse | 3558LM (TÍP) | 85 ° C | 143 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdng27yzv2d1 | - | ![]() | 9041 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC026D | Banda | Obsoleto | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.600 | Cuadrado | 1.84a | - | 1.50 mm | 34.6V | 720 mm | 115 ° | 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse | 3048LM (typ) | 85 ° C | 122 LM/W | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdnk27yzu2d1 | - | ![]() | 7380 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC040D | Banda | Obsoleto | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnk27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,280 | Cuadrado | 2.76a | - | 1.50 mm | 34.6V | 1.08a | 115 ° | 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse | 4872lm (typ) | 85 ° C | 130 lm/w | 90 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdnk27yzu3d1 | - | ![]() | 8568 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC040D | Banda | Obsoleto | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnk27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,280 | Cuadrado | 2.76a | - | 1.50 mm | 34.6V | 1.08a | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 4872lm (typ) | 85 ° C | 130 lm/w | 90 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwh2hdna07yhw2c1 | 3.1335 | ![]() | 4945 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC010C | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 15.00 mm LX 12.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwh2 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 624 | Rectángulo | 405 Ma | - | 1.50 mm | 34.5V | 270 Ma | 115 ° | 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse | 800LM (TÍP) | 85 ° C | 86 LM/W | 90 | Dia de 6.00 mm | Departamento de Departamento | |||
![]() | Si-b8rz91b2cus | 24.9700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-VB24F | Banda | Obsoleto | 1200.00 mm LX 39.80 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Tira de Luz lineal | 3.24a | - | 5.50 mm | 48.8V | 2.24a | - | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 15632LM (14070LM ~ 17195LM) | 65 ° C | 143 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||||
![]() | SI-B8T481B20US | 23.0800 | ![]() | 144 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-VB24F_G2 | Una granela | Activo | 1120.00 mm LX 39.80 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, neutral | descascar | 1 (ilimitado) | 1510-SI-B8T481B20US | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 1.08a | - | 5.20 mm | 44V | 1.08a | 118 ° | 4000K | 8950lm (TÍP) | 50 ° C | 188 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Si-b8u342b2cus | 12.2800 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Serie V Gen2 | Una granela | Obsoleto | 1120.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | 1 (ilimitado) | 1510-SI-B8U342B2CUS | EAR99 | 8541.41.0000 | 200 | Tira de Luz lineal | 900mA | - | 5.50 mm | 46.4V | 700mA | - | 3500K | 5440LM (typ) | 50 ° C | 167 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-N9W1624B1US | - | ![]() | 5455 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Acom | Una granela | Obsoleto | 100.00 mm de diámetro | Módulo liderado | - | SI-N9W | Blanco, Cálido | descascar | 1 (ilimitado) | 1510-SI-N9W1624B1US | EAR99 | 8541.41.0000 | 144 | Redondo | - | - | 11.00 mm | 120V | - | 115 ° | 2700k | 1630LM (TÍP) | 25 ° C | 94 LM/W | 90 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdnb25yzu2db | 0.6413 | ![]() | 9862 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnb25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnb25yzu2db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 360 Ma | - | 1.50 mm | 34V | 180 Ma | 115 ° | 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse | 1001lm (typ) | 85 ° C | 164 LM/W | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnc25yzu2db | 0.8297 | ![]() | 5154 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnc25yzu2db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 540ma | - | 1.50 mm | 34V | 270 Ma | 115 ° | 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse | 1466lm (typ) | 85 ° C | 160 lm/w | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnd27yzw3db | 3.0500 | ![]() | 283 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnd27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnd27yzw3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 720 mm | - | 1.50 mm | 34V | 360 Ma | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 1486lm (typ) | 85 ° C | 121 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnf27yzt3db | 4.0000 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnf27 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnf27yzt3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.08a | - | 1.50 mm | 34V | 540ma | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2581lm (typ) | 85 ° C | 141 LM/W | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnf27yzv3db | 3.5900 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnf27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnf27yzv3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.08a | - | 1.50 mm | 34V | 540ma | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2413LM (typ) | 85 ° C | 131 LM/W | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnm251zu3db | 7.0538 | ![]() | 8519 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnm251 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnm251zu3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Cuadrado | 3.24a | - | 1.50 mm | 51.1V | 1.62a | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 12852LM (TÍP) | 85 ° C | 155 lm/w | 80 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdng27yzw3db | 5.2000 | ![]() | 245 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdng27yzw3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.44a | - | 1.50 mm | 34V | 720 mm | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 3048LM (typ) | 85 ° C | 125 lm/w | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnk25yzr3db | 7.4300 | ![]() | 131 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnk25 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnk25yzr3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Cuadrado | 2.16a | - | 1.50 mm | 34V | 1.08a | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 6113lm (typ) | 85 ° C | 166 LM/W | 80 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnl251zr3db | 10.2500 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnl251 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnl251zr3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Cuadrado | 2.16a | - | 1.50 mm | 51.1V | 1.08a | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 8949lm (TÍP) | 85 ° C | 162 LM/W | 80 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8T031500WW | 4.8900 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Se Estándar retocedido | Una granela | Activo | 500.00 mm LX 13.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-SI-B8T031500WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 300 | Tira de Luz lineal | 200 MMA | - | 6.00 mm | 41.5V | 88 Ma | 160 ° | 4000K | 640lm (typ) | 40 ° C | 175 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8V103560EU | - | ![]() | 8956 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Q | Banda | Activo | 560.00 mm LX 24.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | No Aplicable | 1510-SI-B8V103560EU | EAR99 | 8541.41.0000 | 40 | Tira de Luz lineal | 360 Ma | - | 5.20 mm | 54.8V | 180 Ma | 115 ° | 3000K | 1840lm | 40 ° C | 187 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B8R923B20WW | 24.5900 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | V Gen3 | Banda | Activo | 1120.00 mm LX 39.80 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | No Aplicable | 1510-SI-B8R923B20WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Tira de Luz lineal | 2.02a | - | 3.70 mm | 45V | 2.02a | 118 ° | 5000K | 16000LM (TÍP) | 65 ° C | 176 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdng27yzv3dc | 6.2100 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdng27yzv3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.44a | - | 1.50 mm | 33.7V | 720 mm | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 3389lm (typ) | 85 ° C | 139 LM/W | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnc27yzu3dc | 2.8000 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnc27yzu3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 540ma | - | 1.50 mm | 33.7V | 270 Ma | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1294lm (typ) | 85 ° C | 142 lm/w | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnk23yzt3dc | 8.4500 | ![]() | 127 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnk23 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnk23yzt3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Cuadrado | 2.16a | - | 1.50 mm | 33.7V | 1.08a | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 6560LM (TÍP) | 85 ° C | 180 lm/w | 70 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphhahdne25yzu3dc | 4.0400 | ![]() | 8070 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphhahdne25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdne25yzu3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 900mA | - | 1.50 mm | 33.7V | 450 mm | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2621lm (typ) | 85 ° C | 172 lm/w | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnb25yzu3dc | 2.0400 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnb25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnb25yzu3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 360 Ma | - | 1.50 mm | 33.7V | 180 Ma | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1021lm (typ) | 85 ° C | 167 lm/w | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnd25yzv3dc | 3.1200 | ![]() | 490 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnd25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnd25yzv3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 720 mm | - | 1.50 mm | 33.7V | 360 Ma | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1945lm (typ) | 85 ° C | 161 LM/W | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnm251zw3d4 | 17.8100 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen4 | Una granela | Activo | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnm251 | Blanco, Cálido | descascar | ROHS3 Cumplante | 2a (4 semanas) | Alcanzar sin afectado | 1510-sphhahdnm251zw3d4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Cuadrado | 4.14a | - | 1.70 mm | 50.5V | 1.62a | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 12998LM (TÍP) | 85 ° C | 159 LM/W | 80 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |
![]() | Sphwhahdnc25yzp3d4 | 3.3200 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen4 | Una granela | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc25 | Blanco, genial | descascar | ROHS3 Cumplante | 2a (4 semanas) | Alcanzar sin afectado | 1510-sphhahdnc25yzp3d4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 690ma | - | 1.65 mm | 33.6V | 270 Ma | 115 ° | 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1597lm (TÍP) | 85 ° C | 176 LM/W | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento |
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