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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tamaña / dimensión	TUPO	Cuidadas	Base Número de Producto	Color	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Current - Max	Longitud de Onda	Alta	Voltaje - Forward (VF) (Typ)	Real - PrueBa	Ángulo de Visión	CCT (k)	Fljo luminoso @ corriente/temperatura	Temperatura - PrueBa	Lumens/watt @ real - prueba	Cri (Índice de Renderizado de color)	Superficie Emisora de Luz (Les)	Tipo de lente
Sphwh2hdnc05yhqtc1	3.3783	RFQ	1802	Samsung Semiconductor, Inc.	LC020C	Banda	No hay para Nuevos Diseños	15.00 mm LX 12.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwh2	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	624	Rectángulo	810 Ma	-	1.50 mm	34.5V	540ma	115 °	5700K	2520lm (typ)	85 ° C	135 lm/w	80	Dia de 8.00 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf25yzv3c2	1.6034	RFQ	1582	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie C Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf25	Blanco, Cálido	descascar					EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	920 mm	-	1.50 mm	35V	600mA	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2625lm (typ)	85 ° C	125 lm/w	80	Dia de 8.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnd27yzw2h2	-	RFQ	9085	Samsung Semiconductor, Inc.	LC013D	Banda	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1903	EAR99	8541.41.0000	2.400	Cuadrado	920 mm	-	1.50 mm	34.6V	360 Ma	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	1359lm (typ)	85 ° C	109 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk27yzv3d4	9.3000	RFQ	160	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk27	Blanco, Cálido	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnk27yzv3d4	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.76a	-	1.70 mm	33.6V	1.08a	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5189lm (typ)	85 ° C	143 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B9U311B20US	-	RFQ	9557	Samsung Semiconductor, Inc.	*	Banda	Obsoleto				Si-B9		-	ROHS3 Cumplante			1510-SI-B9U311B20US	EAR99	8541.41.0000	80
SI-B8R08128CWW	3.1800	RFQ	52	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-V282B	Banda	Obsoleto	275.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-2137	EAR99	8541.41.0000	560	Tira de Luz lineal	360 Ma	-	5.50 mm	25.2V	300mA	120 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1026lm (typ)	50 ° C	136 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-B8Q091260WW	-	RFQ	7899	Samsung Semiconductor, Inc.	F-Series Gen3	Banda	Obsoleto	-	Módulo liderado	-	Si-B8	Blanco	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	60	Tira de Luz lineal	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Departamento de Departamento
Sphcw1hdna25yhrtb3	-	RFQ	9937	Samsung Semiconductor, Inc.	LC013B Gen3	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphcw1	Blanco, genial	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.41.0000	1.400	Cuadrado	660ma	-	1.60 mm	35.5V	360 Ma	115 °	5000K	2000LM (1800LM ~ 2199LM)	25 ° C	156 LM/W	80	DiáMetro de 11.00 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb25yzq3db	0.7881	RFQ	2955	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb25	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnb25yzq3db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	360 Ma	-	1.50 mm	34V	180 Ma	115 °	5700K 3 Pasos Macadam Ellipse	1010lm (typ)	85 ° C	165 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnm271zw3db	11.7700	RFQ	160	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhah	Blanco, Cálido	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnm271zw3db			160	Cuadrado	3.24a	-	1.50 mm	51.1V	1.62a	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	10157LM (typ)	85 ° C	123 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphww1hdne25yht34j	-	RFQ	7298	Samsung Semiconductor, Inc.	LC040B	Banda	Obsoleto	21.50 mm LX 21.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, neutral	-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	1.62a	-	1.50 mm	35.5V	1.08a	115 °	4000K	4855LM (4075LM ~ 5635LM)	25 ° C	127 LM/W	80	17.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphhahdne25yzw3dc	4.0400	RFQ	250	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdne25yzw3dc	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	900mA	-	1.50 mm	33.7V	450 mm	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	2426lm (typ)	85 ° C	160 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdng25yzr3d4	7.2800	RFQ	249	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng25	Blanco, genial	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdng25yzr3d4	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.84a	-	1.70 mm	33.6V	720 mm	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	4323LM (typ)	85 ° C	179 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdng25yzt3d4	7.2800	RFQ	150	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng25	Blanco, neutral	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdng25yzt3d4	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.84a	-	1.70 mm	33.6V	720 mm	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	4229lm (typ)	85 ° C	175 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
SI-N9W3312B0WW	-	RFQ	7661	Samsung Semiconductor, Inc.	SLE-033	Banda	Obsoleto	50.00 mm de diámetro	Módulo liderado	-	SI-N9W	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-1684	Obsoleto	0000.00.0000	400	Redondo	900mA	-	6.10 mm	33.8V	700mA	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	2610lm (typ)	75 ° C	110 lm/w	90	Dia de 19.00 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb25yzp3d2	0.8915	RFQ	8147	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb25	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	460ma	-	1.50 mm	34.6V	180 Ma	115 °	6500K 3 Pasos Macadam Ellipse	1018lm (typ)	85 ° C	163 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B9W111250WW	-	RFQ	3768	Samsung Semiconductor, Inc.	F-Series Gen3	Banda	Activo	-	Módulo liderado	-	Si-B9	Blanco	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	60	Tira de Luz lineal	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnl231zt3d3	7.8376	RFQ	3425	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnl231	Blanco, neutral	descascar					EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	51V	1.08a	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	9694LM (TÍP)	85 ° C	176 LM/W	70	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-N8V2513B0WW	5.6600	RFQ	104	Samsung Semiconductor, Inc.	Ronda-060d	Banda	Obsoleto	62.00 mm de diámetro	Módulo liderado	-	Si-n8v	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-1669	EAR99	8541.41.0000	270	Redondo	700mA	-	3.70 mm	35.5V	700mA	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	3040LM (typ)	25 ° C	123 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-N8T4012B0WW	-	RFQ	7049	Samsung Semiconductor, Inc.	SLE-040	Banda	Obsoleto	50.00 mm de diámetro	Chip A Bordo (COB)	Conector	Si-n8t	Blanco, neutral	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		1510-1254	EAR99	8542.39.0001	400	Redondo	1A	-	6.10 mm	34.1V	900mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	4510lm (typ)	75 ° C	147 lm/w	80	Dia de 19.00 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf27yzu2j1	-	RFQ	5067	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019D	Banda	Obsoleto	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1937	EAR99	8541.41.0000	1.600	Cuadrado	1.38a	-	1.50 mm	34.6V	540ma	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	2287lm (typ)	85 ° C	122 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnm251zv3db	12.3400	RFQ	159	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm251	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnm251zv3db	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	3.24a	-	1.50 mm	51.1V	1.62a	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	12468LM (typ)	85 ° C	151 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Si-b8u52256cus	-	RFQ	6075	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie V Gen2	Una granela	Obsoleto	560.00 mm LX 39.80 mm W	Módulo liderado	-	Si-B8	Blanco, genial	descascar		1 (ilimitado)		1510-SI-B8U52256 CUS	EAR99	8541.41.0000	200	Tira de Luz lineal	1.35a	-	5.50 mm	46.5V	1.12a	-	3500K	8410lm (typ)	65 ° C	161 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdng27yzu2d2	2.9475	RFQ	1131	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.84a	-	1.50 mm	34.6V	720 mm	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	3319LM (TÍP)	85 ° C	137 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnm271zu2d2	8.6408	RFQ	4566	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm271	Blanco, Cálido	descascar					EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	4.14a	-	1.50 mm	52V	1.62a	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	11004LM (typ)	85 ° C	131 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8T08128001	-	RFQ	1999	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-H284A	Banda	Obsoleto	280.00 mm LX 40.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, neutral	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	36	Tira de Luz lineal	1.2a	-	5.60 mm	11.6V	700mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1260LM (typ)	45 ° C	155 lm/w	80	-	Departamento de Departamento
Sphww1hdna25yhv3b3	-	RFQ	6254	Samsung Semiconductor, Inc.	LC013B Gen3	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.41.0000	1.400	Cuadrado	660ma	-	1.60 mm	35.5V	360 Ma	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2020LM (1850LM ~ 2189LM)	25 ° C	158 LM/W	80	DiáMetro de 11.00 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnd27yzv3d3	1.6518	RFQ	3148	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd27	Blanco, Cálido	descascar					EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	920 mm	-	1.50 mm	34V	360 Ma	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1661lm (typ)	85 ° C	136 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8R102280WW	-	RFQ	4550	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-H282A	Banda	Obsoleto	280.00 mm LX 24.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, genial	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	320	Tira de Luz lineal	360 Ma	-	5.80 mm	34.3V	300mA	-	5000K 4 Pasos Macadam Ellipse	1390lm (typ)	50 ° C	135 lm/w	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh25yzv3d2	3.7281	RFQ	2007	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	2.3a	-	1.50 mm	34.6V	900mA	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	4643LM (TÍP)	85 ° C	149 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento