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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tamaña / dimensión | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Color | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Current - Max | Longitud de Onda | Alta | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Real - PrueBa | Ángulo de Visión | CCT (k) | Fljo luminoso @ corriente/temperatura | Temperatura - PrueBa | Lumens/watt @ real - prueba | Cri (Índice de Renderizado de color) | Superficie Emisora de Luz (Les) | Tipo de lente |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Sphwhahdnm231zr3v0 | - | ![]() | 7146 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC080D | Banda | Obsoleto | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnm231 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,280 | Cuadrado | 2.76a | - | 1.50 mm | 52V | 1.62a | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 12673LM (typ) | 85 ° C | 150 lm/w | 70 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdnk25yzq3db | 4.1201 | ![]() | 9157 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnk25 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnk25yzq3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Cuadrado | 2.16a | - | 1.50 mm | 34V | 1.08a | 115 ° | 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse | 6081lm (typ) | 85 ° C | 166 LM/W | 80 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnc25yzr3d3 | 1.3282 | ![]() | 9172 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc25 | Blanco, genial | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,000 | Cuadrado | 690ma | - | 1.50 mm | 34V | 270 Ma | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1563LM (TÍP) | 85 ° C | 170 lm/w | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||||
![]() | SI-B8V031070WW | - | ![]() | 9733 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-H072A | Caja | Obsoleto | 70.00 mm LX 24.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.500 | Tira de Luz lineal | 360 Ma | - | 5.80 mm | 9.45V | 300mA | - | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 350LM (TÍP) | 50 ° C | 123 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdnm271zw3d2 | 9.9642 | ![]() | 8263 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnm271 | Blanco, Cálido | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Cuadrado | 4.14a | - | 1.50 mm | 52V | 1.62a | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 10157LM (typ) | 85 ° C | 121 LM/W | 90 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||||
![]() | SI-B8U11156CWW | 5.4300 | ![]() | 198 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-V562A | Banda | Obsoleto | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-2127 | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 540ma | - | 5.50 mm | 25.2V | 420 mm | 120 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1400LM (typ) | 50 ° C | 132 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-N8U0754B0WW | - | ![]() | 8151 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | CM 90 mm G5 | Una granela | Obsoleto | 90.00 mm de diámetro | Módulo liderado | Conector | Si-n8u | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-SI-N8U0754B0WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 180 | Redondo | - | - | 5.20 mm | 27.5V | 240 mm | 120 ° | 3500K | 1210lm (typ) | 25 ° C | 183 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnh27yzw3db | 5.7700 | ![]() | 195 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Caja | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnh27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnh27yzw3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.8a | - | 1.50 mm | 34V | 900mA | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 4462lm (TÍP) | 85 ° C | 146 LM/W | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnc25yzq3d4 | 3.3200 | ![]() | 490 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen4 | Una granela | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc25 | Blanco, genial | descascar | ROHS3 Cumplante | 2a (4 semanas) | Alcanzar sin afectado | 1510-sphhahdnc25yzq3d4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 690ma | - | 1.65 mm | 33.6V | 270 Ma | 115 ° | 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1623lm (TÍP) | 85 ° C | 179 LM/W | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |
![]() | SI-N8R1312B0WW | - | ![]() | 9230 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | SLE-013 | Banda | Obsoleto | 50.00 mm de diámetro | Chip A Bordo (COB) | Conector | Si-n8r | Blanco, genial | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-1240 | EAR99 | 8542.39.0001 | 400 | Redondo | 350 mm | - | 6.10 mm | 33.5V | 250 Ma | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1220LM (typ) | 75 ° C | 146 LM/W | 80 | Dia de 13.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8V52156CUS | 14.5500 | ![]() | 147 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-V564F | Banda | Obsoleto | 560.00 mm LX 39.80 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 150 | Tira de Luz lineal | 1.62a | - | 5.50 mm | 48.8V | 1.12a | - | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 7214LM (6495LM ~ 7935LM) | 65 ° C | 132 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||||
![]() | Sphww1hdn825yhu3ee | 1.5063 | ![]() | 4084 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC006B Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphww1 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-1982 | EAR99 | 8541.41.0000 | 672 | Cuadrado | 320 mm | - | 1.50 mm | 35.5V | 180 Ma | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 973LM (913LM ~ 1033LM) | 25 ° C | 152 lm/w | 80 | Dia de 8.00 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdng25yzv3dc | 6.2100 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdng25yzv3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.44a | - | 1.50 mm | 33.7V | 720 mm | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 3971lm (TÍP) | 85 ° C | 163 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnc25yzw3dc | 2.8000 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnc25yzw3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 540ma | - | 1.50 mm | 33.7V | 270 Ma | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 1406lm (typ) | 85 ° C | 155 lm/w | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | SL-Z7R3N80L2WW | 6.2477 | ![]() | 4735 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | SC16 S1 | Una granela | Activo | 70.00 mm LX 70.00 mm W | Módulo liderado | - | SL-Z7R | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-SL-Z7R3N80L2WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 400 | Cuadrado | 2.8a | - | 6.00 mm | 23.7V | 1.4a | 120 ° | 5000K 7 Pasos Macadam Ellipse | 5050LM (4270LM ~ 5600LM) | 70 ° C | 155 lm/w | 70 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphhahdne27yzr3d1 | - | ![]() | 9535 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC016D | Banda | Obsoleto | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphhahdne27 | Blanco, genial | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.600 | Cuadrado | 1.15a | - | 1.50 mm | 34.6V | 450 mm | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2089lm (typ) | 85 ° C | 134 LM/W | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |||||
![]() | Sphww1hdnc27yhu32g | 5.0761 | ![]() | 2043 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC026B Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 21.50 mm LX 21.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphww1 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-2061 | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Cuadrado | 1.3a | - | 1.50 mm | 35.5V | 720 mm | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 3243LM (2955LM ~ 3530LM) | 25 ° C | 127 LM/W | 90 | 17.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnl251zv2q3 | - | ![]() | 7184 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC060D | Banda | Obsoleto | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnl251 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,280 | Cuadrado | 2.76a | - | 1.50 mm | 52V | 1.08a | 115 ° | 3000K | 7667LM (typ) | 85 ° C | 137 LM/W | 80 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B8T522B2CUS | 14.2700 | ![]() | 143 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Serie V Gen2 | Una granela | Obsoleto | 1120.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, neutral | descascar | 1 (ilimitado) | 1510-SI-B8T522B2CUS | EAR99 | 8541.41.0000 | 200 | Tira de Luz lineal | 1.35a | - | 5.50 mm | 46.5V | 1.12a | - | 4000K | 8690lm (TÍP) | 65 ° C | 167 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdnb27yzv2d1 | - | ![]() | 3701 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC006D | Banda | Obsoleto | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnb27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 2.400 | Cuadrado | 460ma | - | 1.50 mm | 34.6V | 180 Ma | 115 ° | 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse | 780lm (typ) | 85 ° C | 125 lm/w | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdnc27yzw2d3 | 1.2807 | ![]() | 1414 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc27 | Blanco, Cálido | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,000 | Cuadrado | 690ma | - | 1.50 mm | 34V | 270 Ma | 115 ° | 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse | 1202LM (TÍP) | 85 ° C | 131 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||||
![]() | Sphwhahdnc25yzp3d2 | 1.2304 | ![]() | 8923 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc25 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,000 | Cuadrado | 690ma | - | 1.50 mm | 34.6V | 270 Ma | 115 ° | 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1488LM (TÍP) | 85 ° C | 159 LM/W | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B8T123560WW | 7.3400 | ![]() | 238 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | V Gen3 | Banda | Activo | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, neutral | descascar | No Aplicable | 1510-SI-B8T123560WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 1.8a | - | 3.70 mm | 22.2v | 530mA | 118 ° | 4000K | 2200LM (TÍP) | 50 ° C | 186 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphwhahdnf27yzv2db | 1.5977 | ![]() | 2319 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnf27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnf27yzv2db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.08a | - | 1.50 mm | 34V | 540ma | 115 ° | 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse | 2413LM (typ) | 85 ° C | 131 LM/W | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdng25yzv3k2 | - | ![]() | 7098 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC026D | Banda | Obsoleto | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-1951 | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.600 | Cuadrado | 1.84a | - | 1.50 mm | 34.6V | 720 mm | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 3389lm (typ) | 85 ° C | 136 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphcw1hdn945yhqtkh | 1.7743 | ![]() | 4343 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC008B | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphcw1 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-1710 | EAR99 | 8541.41.0000 | 672 | Cuadrado | 430mA | - | 1.50 mm | 36.5V | 240 mm | 115 ° | 5700K | 1310LM (1268LM ~ 1351LM) | 25 ° C | 150 lm/w | 80 | Dia de 8.00 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnk25yzu3db | 4.2017 | ![]() | 6381 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnk25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnk25yzu3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Cuadrado | 2.16a | - | 1.50 mm | 34V | 1.08a | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 5925lm (típ) | 85 ° C | 161 LM/W | 80 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B9U311B20US | - | ![]() | 9557 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | * | Banda | Obsoleto | Si-B9 | - | ROHS3 Cumplante | 1510-SI-B9U311B20US | EAR99 | 8541.41.0000 | 80 | |||||||||||||||||||||
![]() | Sphwhahdnf27yzu2j1 | - | ![]() | 5067 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC019D | Banda | Obsoleto | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnf27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-1937 | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.600 | Cuadrado | 1.38a | - | 1.50 mm | 34.6V | 540ma | 115 ° | 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse | 2287lm (typ) | 85 ° C | 122 LM/W | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphhahdne2vyztvd2 | 2.4659 | ![]() | 2420 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphhahdne2 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 1.15a | - | 1.50 mm | 34.6V | 450 mm | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2005LM (typ) | 85 ° C | 116 LM/W | - | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento |
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